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IDT推出全球首款超低功耗CMOS振蕩器

  • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.),推出業(yè)界首款擁有突破性±50ppm頻率精度和超低功耗的CMOS振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器,在任何要求±50ppm時間基準的廣泛應(yīng)用中,節(jié)省功耗高達75%,包括計算、通信和消費市場。
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IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

  •   致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。   IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù),可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(huán)(PLL)。
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IDT 推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

  •   致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。   
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cmos振蕩器介紹

  CMOS振蕩器是基于CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)的一種基本的波形發(fā)生電路,在有些應(yīng)用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴格的產(chǎn)品改善性能;而在另外一些應(yīng)用中,通過它們就能夠設(shè)計出全新的無線產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件?! MOS 振蕩器電路的工作原理圖 如圖所示。M1~ M5, M7, M8, R1構(gòu)成了單位增益緩沖器 ,使Vol Vref ,決定了振蕩器的充電電流基I1( I 1 = Vo [ 查看詳細 ]

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