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SK海力士開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)“PEB110 E1.S”

采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗(yàn)證后，將于明年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時(shí)在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡(jiǎn)稱(chēng) PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時(shí)代的全面到
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敷形涂覆在潮濕環(huán)境中的應(yīng)用—易被忽略的三個(gè)性能要素

在技術(shù)更迭日新月異的今天，尤其是新能源汽車(chē)行業(yè)引領(lǐng)的高壓系統(tǒng)（如800V功率模塊）的高速發(fā)展，電子業(yè)對(duì)電子組件的防護(hù)性能提出了前所未有的高要求。潮濕、離子污染、顆粒殘留等因素成為了影響絕緣性能、引發(fā)漏電及設(shè)備損壞的重大隱患。為了提升電子組件的防護(hù)能力，行業(yè)普遍采用敷形涂覆技術(shù)(Conformal coating，俗稱(chēng)三防漆)。經(jīng)過(guò)涂覆工藝后的電子產(chǎn)品如同穿上一層“隱形盔甲，既強(qiáng)化了抵御外界侵害的能力，也促進(jìn)了電路板設(shè)計(jì)中導(dǎo)體間距的減小，從而有效維持了電氣絕緣性的穩(wěn)定。敷形涂覆技術(shù)在潮濕環(huán)境中的性能評(píng)估是多
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7折購(gòu)！米爾基于全志T113系列開(kāi)發(fā)板

全志T113系列芯片是目前比較受歡迎的國(guó)產(chǎn)入門(mén)級(jí)嵌入式工業(yè)芯片。米爾是基于T113芯片開(kāi)發(fā)較早、提供配置最全的廠家，目前是唯一一家提供T113-S和T113-i兩種芯片核心板的廠家。T113-i的核心板兼容T113-S的核心板，同一個(gè)硬件設(shè)計(jì)，有多種更適合的選擇。2種芯片，多種配置，全志T113系列產(chǎn)品自上市以來(lái)已得到各行各業(yè)的應(yīng)用，為回饋廣大客戶的支持，助力國(guó)產(chǎn)芯的發(fā)展，米爾在特推出特大優(yōu)惠活動(dòng)，開(kāi)發(fā)板7折，限量150套！搶購(gòu)鏈接：全志科技T113系列處理器是一款基于雙核 Cortex-A7 + HiF
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ZESTRON邀你參加R&S在線講座

成熟的制造工藝開(kāi)發(fā)是產(chǎn)品可靠性的重要基石。IPC-B-52 測(cè)試板能更好的代表制造材料和工藝，同時(shí)滿足表面絕緣電阻 (SIR)測(cè)試和離子色譜（IC）測(cè)試的需要，可用于評(píng)估驗(yàn)證工藝過(guò)程，或從可靠性的角度提供制程可接受性的客觀證據(jù)，使測(cè)試或證明材料和工藝兼容性的工作變得更加簡(jiǎn)單。5月23日，ZESTRON R&S可靠性專(zhuān)家、IPC 亞洲會(huì)員社區(qū)特邀專(zhuān)家王克同老師將帶來(lái)在線講座《駕馭電子制造工藝開(kāi)發(fā)-善用IPC-B-52測(cè)試板驗(yàn)證工藝》。演講圍繞探討電子行業(yè)工藝開(kāi)發(fā)的挑戰(zhàn)、介紹IPC-B-52測(cè)試板的核
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羅德與施瓦茨推出具有市場(chǎng)領(lǐng)先功能的新型R&S NGC100電源系列

R&S NGC100電源系列包括單通道、雙通道和三通道等型號(hào)，可提供高達(dá)32 V、10A 和100W 的直流電源。直流電源在整個(gè)電子工業(yè)中必不可少，它能從可能受到波動(dòng)和浪涌影響的交流電源中提供精確穩(wěn)定的直流供電，滿足基本要求。新型R&S NGC100電源系列不僅滿足了這一基本要求，而且還具有各種特性、功能和遠(yuǎn)程控制能力，可支持比穩(wěn)定輸出功率更為復(fù)雜的應(yīng)用。該系列包括單通道、雙通道和三通道等型號(hào)，每通道供電電壓為0-32V，輸出功率高達(dá)10A和100W。單通道R&S NGC101最大
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羅德與施瓦茨最新推出頻率高達(dá)40 GHz的R&S SMB100B微波信號(hào)發(fā)生器

羅德與施瓦茨（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“R&S”）的新型R&S SMB100B微波信號(hào)發(fā)生器有四種頻率可供選擇，頻率范圍分別為8 kHz 至 12.75 GHz、20 GHz、31.8 GHz 或 40 GHz，為模擬微波信號(hào)發(fā)生帶來(lái)了出色的輸出功率、頻譜純度、極低的近端相位噪聲以及幾乎可忽略的寬帶噪聲。新推出的R&S SMB100B模擬微波信號(hào)發(fā)生器性能卓越，在中端級(jí)別高達(dá)40 GHz的模擬信號(hào)發(fā)生領(lǐng)域處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。R&S SMB100B操作簡(jiǎn)便、功能全面，是所有需要干凈模擬信號(hào)或高
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國(guó)內(nèi)首款 2Tb/s 三維集成硅光芯粒成功出樣

5 月 10 日消息，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）公眾號(hào)昨日發(fā)布博文，攜手鵬城實(shí)驗(yàn)室組建光電融合聯(lián)合團(tuán)隊(duì)，成功研制出國(guó)內(nèi)首款 2Tb / s 硅光互連芯粒（chiplet），且在國(guó)內(nèi)首次驗(yàn)證了 3D 硅基光電芯粒架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了單片最高達(dá) 8×256Gb / s 的單向互連帶寬。2Tb / s 硅基 3D 集成光發(fā)射芯粒圖源：NOEIC2Tb / s 硅基 3D 集成光接收芯粒圖源：NOEIC該團(tuán)隊(duì)在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，研制出硅光配套的單路
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羅德與施瓦茨推出新型R&S NPA系列緊湊型功率分析儀可滿足所有功率測(cè)量要求

R&S NPA101功率計(jì)提供所有基本測(cè)量功能，R&S NPA501功率分析儀增加了增強(qiáng)型測(cè)量功能和圖形分析功能，R&S NPA701合規(guī)性測(cè)試儀包括符合IEC62301和EN50564標(biāo)準(zhǔn)的功耗評(píng)估功能，以及符合EN61000-3-2 標(biāo)準(zhǔn)的EMC諧波發(fā)射測(cè)試功能。設(shè)備或模塊的電氣特性是整個(gè)電子行業(yè)都要測(cè)量的基本屬性，從研發(fā)開(kāi)始，到一致性認(rèn)證測(cè)試，生產(chǎn)和服務(wù)過(guò)程中都要測(cè)量。新型 R&S NPA 功率分析儀系列的所有型號(hào)都能滿足所有這些階段的要求，功率測(cè)量范圍從50μW 到
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羅德與施瓦茨推出頻率可達(dá)50GHz的R&S FSPN50，專(zhuān)用于相位噪聲分析和VCO測(cè)量

R&S嚴(yán)格執(zhí)行相位噪聲分析和壓控振蕩器 (VCO) 測(cè)量功能，所有R&S FSPN型號(hào)均具有出色的性價(jià)比。R&SFSPN既能進(jìn)行高速測(cè)量，同時(shí)又能提供合成器、VCO、OCXO 和 DRO 等信號(hào)源參數(shù)表征所需的高準(zhǔn)確度。更高測(cè)試速度和更高精度之間總是不能兼得，測(cè)試者需要選擇最適合其應(yīng)用的設(shè)置。從這個(gè)角度看，R&S FSPN 不僅是生產(chǎn)測(cè)試的理想解決方案，還能滿足許多振蕩器開(kāi)發(fā)要求。新型R&S FSPN50的頻率范圍為 1MHz至50GHz，是對(duì)現(xiàn)有8GHz和26.5
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D型觸發(fā)器的電路和操作

D型觸發(fā)器是基本的數(shù)字存儲(chǔ)器元件。在這里，我們檢查它們的輸入輸出行為和內(nèi)部電路。邏輯門(mén)是所有數(shù)字技術(shù)的組成部分。然而，只有組合邏輯電路是不可能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代世界龐大的計(jì)算功能的。在完全由組合邏輯組成的電路中，輸出僅取決于輸入的當(dāng)前狀態(tài)。所有信號(hào)通過(guò)互連的邏輯門(mén)直接從輸入移動(dòng)到輸出。為了實(shí)現(xiàn)我們與當(dāng)今數(shù)字技術(shù)相關(guān)的先進(jìn)計(jì)算和信號(hào)處理，我們需要組合邏輯和數(shù)字存儲(chǔ)器。換句話說(shuō)，我們需要時(shí)序邏輯。雖然組合邏輯允許我們構(gòu)建有用的設(shè)備，如加法器、多路復(fù)用器和編碼器，但正是時(shí)序邏輯讓我們進(jìn)入微處理器領(lǐng)域。在時(shí)序邏輯電路中，輸
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羅德與施瓦茨將展示計(jì)劃中的新藍(lán)牙信號(hào)的首次實(shí)時(shí)測(cè)量結(jié)果，以支持信道探測(cè)

信道探測(cè)（Channel Sounding）, Rohde & Schwarz, 羅德與施瓦茨（簡(jiǎn)稱(chēng)R&S）
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全球首張「無(wú)人駕駛載人航空器」生產(chǎn)許可證頒給億航智能

據(jù)微信公眾號(hào)「億航智能」消息，中國(guó)民航局7日在廣東廣州正式頒發(fā)首張無(wú)人駕駛載人航空器生產(chǎn)許可證，這也是全球eVTOL（電動(dòng)垂直起降飛行器）行業(yè)內(nèi)首張生產(chǎn)許可證。億航智能EH216-S獲得首張生產(chǎn)許可證，標(biāo)志著這款航空器率先邁入規(guī)?；a(chǎn)階段，為下一步的商業(yè)化運(yùn)營(yíng)提供重要保障。觀察者網(wǎng)報(bào)導(dǎo)，生產(chǎn)許可證是大陸民航局頒發(fā)給航空器制造商的重要、關(guān)鍵證書(shū)。EH216-S的批量生產(chǎn)質(zhì)量管理體系覆蓋原材料、供貨商管理、生產(chǎn)組織、生產(chǎn)質(zhì)量管控、航空器出廠測(cè)試、售后維修維護(hù)等環(huán)節(jié)，讓每一個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)都有章可循、有據(jù)可查，確保
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R&S EPL1000 EMI測(cè)試接收機(jī)為設(shè)備開(kāi)發(fā)商和一致性測(cè)試機(jī)構(gòu)提供高達(dá)30MHz的快速、準(zhǔn)確和可靠的EMI認(rèn)證測(cè)量

眾多家用電器產(chǎn)品的電磁發(fā)射必須符合CISPR 14-1標(biāo)準(zhǔn)中要求的高達(dá) 30 MHz 的傳導(dǎo)測(cè)試。R&S EPL1000 EMI測(cè)試接收機(jī)以極具吸引力的價(jià)格滿足了所設(shè)要求，并符合 CISPR 針對(duì)頻段A 和頻段B的測(cè)試流程。新的 R&S EPL1-K59 喀嚦聲率分析儀選件可根據(jù) CISPR 14-1的要求進(jìn)行測(cè)量。這些測(cè)量對(duì)于具有開(kāi)關(guān)操作的家用電器和電動(dòng)工具（如烤箱、空調(diào)和洗衣機(jī)）來(lái)說(shuō)是強(qiáng)制性的，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)操作會(huì)導(dǎo)致斷續(xù)干擾（"喀嚦聲"）或尖峰發(fā)射。R&S EP
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講座預(yù)告|ZESTRON R&S《駕馭汽車(chē)零部件全面清潔度管理》

汽車(chē)電子行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)清潔度管理涵蓋了從原材料選擇、生產(chǎn)制造、組裝直至成品檢驗(yàn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，對(duì)零部件表面污染物進(jìn)行全面管控，通過(guò)精密檢測(cè)和嚴(yán)格控制，以確保滿足高可靠性的應(yīng)用需求。3月28日，ZESTRON R&S（可靠性和表面技術(shù)）為業(yè)內(nèi)人士帶來(lái)免費(fèi)在線講座《駕馭汽車(chē)零部件全面清潔度管理-離子清潔度、技術(shù)清潔度及膜層清潔度》。本期演講嘉賓是ZESTRON北亞區(qū) R&S高級(jí)技術(shù)分析師、失效分析專(zhuān)家趙俊亮。他擁有16年以上電子行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，曾供職于全球知名的電子制造企業(yè)，工作廣泛涉及新產(chǎn)品導(dǎo)入、設(shè)
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愛(ài)普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過(guò)客戶驗(yàn)證

全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶驗(yàn)證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢(shì)，可在先進(jìn)封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機(jī)及高性能計(jì)算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛(ài)普科技的S-SiCap?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
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