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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級(jí)STripFET F8晶體管

2023 年 5 月 24 日，中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類(lèi)產(chǎn)品提高40%。新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進(jìn)技術(shù)，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身，實(shí)現(xiàn)高效的開(kāi)關(guān)性能。因此，STL120N10F8的最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ（在 VGS = 10V 時(shí)），高效運(yùn)行頻率達(dá)到6
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意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位
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