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飛索GL-S NOR Flash內(nèi)存開始生產(chǎn)

  •   NOR Flash內(nèi)存方案領(lǐng)導(dǎo)供貨商Spansion(NYSE CODE)宣布已開始生產(chǎn)1Gb和512Mb的Spansion GL NOR Flash內(nèi)存,相較于其他NOR產(chǎn)品,其讀取性能提升45%并具備最快編程速度。GL-S突破性的性能、高度可靠性和高密度支持,為車用電子、消費性電子、游戲應(yīng)用與遠(yuǎn)程登錄程序(telnet)應(yīng)用帶來革新。
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flash內(nèi)存介紹

  Flash內(nèi)存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是按區(qū)塊擦寫,這樣閃存就 [ 查看詳細(xì) ]

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