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我國下一代IC工藝技術(shù)需慎重布局

  • 　　電子電路逐漸細(xì)微，芯片制造商在晶體管設(shè)計制造方面遇到的困難也越來越大。1965年“摩爾定律”與1975年“丹納德定律”所構(gòu)建的“幾何尺寸按比例縮小”的時代在進(jìn)入10納米后，多年來基于硅的平面器件所形成的技術(shù)路線、工藝裝備和生產(chǎn)條件，面臨重大調(diào)整。進(jìn)入2014年以來，英特爾、臺積電在推進(jìn)基于14nm/16nmFinFET工藝時都遇到了比以往更大的挑戰(zhàn)，而日前韓國三星公司宣布與意法半導(dǎo)體合作開展FDSOI生產(chǎn)工藝開發(fā)，更使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的
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MEMS技術(shù)加工工藝與IC工藝區(qū)別

  • 微機(jī)械加工工藝分為硅基加工和非硅基加工。下面主要介紹體加工工藝、硅表面微機(jī)械加工技術(shù)、結(jié)合加工、逐次 ...
  • 關(guān)鍵字： MEMS  IC工藝  

針對電路板空間不足的IC工藝解決方案

  • IC 工藝幾何尺寸的日益縮小促使當(dāng)今電子產(chǎn)品的工作電壓降至遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于 2V 的水平，由此帶來了諸多的設(shè)計挑戰(zhàn)。一個常見的問題是需要多個電源電壓，例如：一個電壓用于 CPU 內(nèi)核，另一個電壓用于 I/O，還有其它一些電壓
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ic工藝介紹

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