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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt保護(hù)

IGBT驅(qū)動電路

  • 摘要： 本文在分析了IGBT驅(qū)動條件的基礎(chǔ)上介紹了幾種常見的IGBT驅(qū)動電路，設(shè)計了一種基于光耦HCPL-316J的IGBT驅(qū)動電路。實(shí)驗(yàn)證明該電路具有良好的驅(qū)動及保護(hù)能力。關(guān)鍵詞： 驅(qū)動電路；IGBT保護(hù)；HCPL-316J 引言絕緣門極雙極型晶體管(Isolated Gate Bipolar Transistor簡稱IGBT)是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好驅(qū)動電路簡單、通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點(diǎn)，因
  • 關(guān)鍵字： 0702_A  HCPL-316J  IGBT保護(hù)  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  驅(qū)動電路  雜志_技術(shù)長廊  
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igbt保護(hù)介紹

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