首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt軟開關(guān)損

IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗

  • IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念（也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”）降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極管的IGBT概念也經(jīng)常被探討。首...
  • 關(guān)鍵字： IGBT軟開關(guān)損  
共1條 1/1 1

igbt軟開關(guān)損介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbt軟開關(guān)損!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對igbt軟開關(guān)損的理解，并與今后在此搜索igbt軟開關(guān)損的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473