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IGBT軟開(kāi)關(guān)在應(yīng)用中的損耗

  • IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念（也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”）降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極管的IGBT概念也經(jīng)常被探討。首...
  • 關(guān)鍵字： IGBT軟開(kāi)關(guān)損  
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igbt軟開(kāi)關(guān)損介紹

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