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高性價(jià)比4.8W雙組輸出IGBT驅(qū)動電源：QA_HD2-R3 / QA_HCD2-R3系列

• 一、產(chǎn)品介紹隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，IGBT /SiC MOSFET作為充電樁設(shè)備、光伏SVG系統(tǒng)中的關(guān)鍵半導(dǎo)體器件組成部分，市場對其應(yīng)用條件和性能提出更高的要求，對于驅(qū)動方案的要求也隨之提高。日前，金升陽推出了IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源QA-R3/QA_C-R3系列產(chǎn)品，以及滿足更加嚴(yán)苛的應(yīng)用需求的驅(qū)動電源QA_H-R3/QA_HC-R3系列產(chǎn)品。為打造更具有高性價(jià)比的驅(qū)動電源，金升陽基于自主IC設(shè)計(jì)平臺升級開發(fā)出內(nèi)部采用非對稱式電壓輸出形式的QA_HD2-R3 / QA_HCD2-
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