首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbtmosfet器件隔離驅(qū)

igbtmosfet器件隔離驅(qū) 文章 進入igbtmosfet器件隔離驅(qū)技術社區(qū)

常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術匯總

  • MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時...
  • 關鍵字： IGBTMOSFET器件隔離驅(qū)  
共1條 1/1 1

igbtmosfet器件隔離驅(qū)介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條igbtmosfet器件隔離驅(qū)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對igbtmosfet器件隔離驅(qū)的理解，并與今后在此搜索igbtmosfet器件隔離驅(qū)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473