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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

  • 比利時(shí)微電子研究中心(imec),在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實(shí)驗(yàn)室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī),發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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價(jià)值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)

  • 8月6日消息,在近日的財(cái)報(bào)電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價(jià)值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機(jī))。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達(dá)到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠

  • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備,安裝時(shí)間需要數(shù)月,預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會議后股價(jià)表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
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ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍,讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決

  • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī),業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究,尋找合適的解決方案,計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道,Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元,甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元,是EUV光刻機(jī)的兩倍多
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臺積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機(jī)競賽提前打響?

  • 5月26日,臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來
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High-NA EUV光刻機(jī)或?qū)⒊蔀橛⑻貭柕霓D(zhuǎn)機(jī)

  • 上個(gè)月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟,為未來工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。
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High-NA EUV光刻機(jī)入場,究竟有多強(qiáng)?

  • 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ);再到后來的極紫外光刻機(jī)(EUV)以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)(High-NA)正式登上歷史舞臺,進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)

  • 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道,ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù),運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道,NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝,可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量,相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應(yīng)對?

  • 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機(jī),預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下,臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計(jì)臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時(shí)觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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ASML:數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo),光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥(ASML)執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會ITF World 2023表示,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù),滿足半導(dǎo)體發(fā)展。Christophe Fouquet表示,自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟,半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年,以超過50%幅度前進(jìn),不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA(NA=0.55)EUV微影曝光設(shè)備(原型制作),
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可穿戴與IoT用DC/DC:如何實(shí)現(xiàn)納安級消耗電流?  

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉(zhuǎn)換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA,通過電路、布局和工藝實(shí)現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字: 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

電流-頻率轉(zhuǎn)換電路--1NA~100UA轉(zhuǎn)0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1(V/S),1UA電流為10的負(fù)6次方/800*10的負(fù)12次方=1.25*10的6次方V/S,穿越-5.6~+5.6V的時(shí)間林約是9MS,頻率為111HZ。實(shí)際上必須加上上升時(shí)間,所以振蕩頻率大約為100HZ。 因?yàn)镃1的微調(diào)很困難,所以允許A2的正
  • 關(guān)鍵字: 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

  •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開口數(shù)(NA)為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。    這家大型半導(dǎo)體廠商的名字,尼康沒有公布,估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。    作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題,據(jù)稱利用名為“Local-fill(局部
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