nor閃存文章進(jìn)入nor閃存技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出業(yè)界首款用于太空應(yīng)用的QML認(rèn)證512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)NOR閃存

英飛凌推出業(yè)界首款用于太空應(yīng)用的QML認(rèn)證512 Mbit抗輻射加固設(shè)計(jì)NOR閃存
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諾存微電子發(fā)布國(guó)內(nèi)首款高速NOR閃存

近日，在深圳舉辦的2019年中國(guó)電子展（CEF）上，蘇州諾存微電子公司舉辦新品發(fā)布會(huì)，發(fā)布了國(guó)內(nèi)首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR閃存（64Mb-256MB）。
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Spansion業(yè)界首款45nm 8Gb NOR閃存打造游戲中的視

日前，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存產(chǎn)品廠商宣布推出其業(yè)界首款的45nm 單芯片8Gb NOR閃存產(chǎn)品。不能不說(shuō)，這為游戲業(yè)界和工業(yè)應(yīng)用中的互動(dòng)圖形、動(dòng)畫(huà)、視頻領(lǐng)
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美光為下一代超高速串行NOR閃存解決方案開(kāi)疆拓土

　　美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達(dá)克股票代碼：MU)今天宣布推出Twin-Quad串行NOR閃存產(chǎn)品系列，為客戶提供兩倍于市場(chǎng)現(xiàn)有四輸入/輸出(quad-I/O)解決方案的遷移路徑。同時(shí)，美光正在與華邦電子合作，讓美光下一代高性能串行NOR閃存解決方案具備開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)多源采購(gòu)特性，滿足新興汽車、工業(yè)和消費(fèi)者應(yīng)用對(duì)于互聯(lián)的需求。　　WebFeet Research首席執(zhí)行官Alan Niebel表示：“串行NOR閃存是物聯(lián)網(wǎng)的核心，因?yàn)樗缺挥米鞔鎯?chǔ)連接
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Spansion通過(guò)推出1.8V串行NOR閃存擴(kuò)展其閃存產(chǎn)品種類

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前推出高性能1.8V NOR閃存：Spansion? FS-S 閃存產(chǎn)品家族，進(jìn)一步豐富了其高速串行NOR閃存產(chǎn)品線。
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NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)下降

據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，NOR閃存前景不妙。在智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品領(lǐng)域，NOR已經(jīng)輸給NAND閃存。
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ST閃存技術(shù)解析

前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見(jiàn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這...
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Spansion宣布推出業(yè)界首款45nm 8Gb NOR閃存

行業(yè)領(lǐng)先的閃存解決方案廠商Spansion公司(紐約證交所代碼: CODE)日前宣布推出業(yè)界首款45納米(nm)單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品。8Gb Spansion? GL-T可提供高品質(zhì)的快速隨機(jī)訪問(wèn)讀取性能，助力游戲和工業(yè)應(yīng)用中的互動(dòng)圖形、動(dòng)畫(huà)和視頻實(shí)現(xiàn)更好的用戶體驗(yàn)。
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Spansion主要拓展在華的串行NOR閃存研發(fā)業(yè)務(wù)

　　Spansion公司宣布正全力拓展在華設(shè)計(jì)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)，公司將重點(diǎn)研發(fā)具有成本優(yōu)勢(shì)的串行NOR閃存解決方案，這些方案將針對(duì)適用于中國(guó)和全球市場(chǎng)的特定應(yīng)用。Spansion近日收購(gòu)了隆智半導(dǎo)體的部分資產(chǎn)后，將在鎮(zhèn)江和上海設(shè)立新的研發(fā)中心，運(yùn)用隆智半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)人才加強(qiáng)Spansion在華研發(fā)優(yōu)勢(shì)。　　Spansion已在中國(guó)組建系統(tǒng)和軟件工程團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)達(dá)七年。鎮(zhèn)江和上海中心將重點(diǎn)研發(fā)低密度串行閃存產(chǎn)品。Spansion成立研發(fā)中心旨在發(fā)揮本土工程人才優(yōu)勢(shì)——并開(kāi)發(fā)廣泛的系統(tǒng)解決方
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Spansion拓展在華研發(fā)業(yè)務(wù)

Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)日前宣布正全力拓展在華設(shè)計(jì)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)，公司將重點(diǎn)研發(fā)具有成本優(yōu)勢(shì)的串行NOR閃存解決方案，這些方案將針對(duì)適用于中國(guó)和全球市場(chǎng)的特定應(yīng)用。Spansion近日收購(gòu)了隆智半導(dǎo)體的部分資產(chǎn)后，將在鎮(zhèn)江和上海設(shè)立新的研發(fā)中心，運(yùn)用隆智半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)人才加強(qiáng)Spansion在華研發(fā)優(yōu)勢(shì)。
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Spansion公司推出全新軟件增強(qiáng)閃存系統(tǒng)性能

2011年9月26日，中國(guó)上?！獦I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布針對(duì)并行及串行NOR閃存推出全新閃存文件系統(tǒng)軟件——Spansion FFS。Spansion FFS是一款功能齊全的軟件套件，其高性能水平及可靠性配合嵌入式軟件應(yīng)用可自動(dòng)管理讀寫(xiě)、擦除閃存等復(fù)雜操作。Spansion FFS是業(yè)界首款針對(duì)串行NOR閃存開(kāi)發(fā)的閃存文件系統(tǒng)軟件。
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Spansion推出業(yè)內(nèi)首款4Gb NOR閃存

　　Spansion公司日前發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款基于65納米生產(chǎn)技術(shù)的單芯片4Gb(千兆比特)NOR閃存產(chǎn)品——4Gb Spansion GL-S。通過(guò)高速讀取以及出色的質(zhì)量保證，協(xié)助游戲及汽車應(yīng)用提供更完美的交互圖像、動(dòng)畫(huà)及視頻服務(wù)，從而提升用戶體驗(yàn)。
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中國(guó)與亞太2011年將成為NOR閃存的主要產(chǎn)地

　　據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)報(bào)告，已然是NOR閃存主要買家的中國(guó)和亞太地區(qū)，2011年將擴(kuò)大其占全球采購(gòu)的份額，但大多數(shù)NOR制造營(yíng)業(yè)收入仍將留在歐洲和美洲。　　
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Spansion攜手飛思卡爾開(kāi)發(fā)全新存儲(chǔ)擴(kuò)展模塊

　　NOR閃存提供商Spansion公司日前宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作，針對(duì)飛思卡爾塔式系統(tǒng)(Freescale Tower System)開(kāi)發(fā)全新存儲(chǔ)擴(kuò)展模塊。該模塊為系統(tǒng)工程師在進(jìn)行原型設(shè)計(jì)時(shí)提供更多靈活性，使其更好地應(yīng)對(duì)不斷擴(kuò)展的嵌入式應(yīng)用，包括工廠自動(dòng)化、工業(yè)電腦、醫(yī)療設(shè)備、銷售點(diǎn)(POS)和機(jī)器人。Spansion的外設(shè)模塊將增強(qiáng)塔式系統(tǒng)的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，為如今越來(lái)越多使用二維和三維圖形的電子設(shè)備提供支持。
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Spansion攜手飛思卡爾構(gòu)建存儲(chǔ)開(kāi)發(fā)平臺(tái)

業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存提供商Spansion公司(NYSE: CODE)今日宣布將與飛思卡爾(Freescale)公司合作，針對(duì)飛思卡爾塔式系統(tǒng)(Freescale Tower System)開(kāi)發(fā)全新存儲(chǔ)擴(kuò)展模塊。該模塊為系統(tǒng)工程師在進(jìn)行原型設(shè)計(jì)時(shí)提供更多靈活性，使其更好地應(yīng)對(duì)不斷擴(kuò)展的嵌入式應(yīng)用，包括工廠自動(dòng)化、工業(yè)電腦、醫(yī)療設(shè)備、銷售點(diǎn)（POS）和機(jī)器人。Spansion的外設(shè)模塊將增強(qiáng)塔式系統(tǒng)的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力，為如今越來(lái)越多
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nor閃存介紹

flash閃存是非易失存儲(chǔ)器，可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫(xiě)和再編程。任何flash器件的寫(xiě)入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫(xiě)入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫(xiě)為0。由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個(gè)寫(xiě)入/擦除操作的時(shí)間為5s，與此相反，擦除NAND器件是 [ 查看詳細(xì) ]

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