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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic肖特基勢壘二極管

ROHM開發(fā)出支持更高電壓xEV系統(tǒng)的SiC肖特基勢壘二極管

  • 采用自主設(shè)計(jì)封裝，絕緣電阻顯著提高！全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應(yīng)用的“SCS2xxxNHR”8款機(jī)型。計(jì)劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備的“SCS2xxxN”。近年來，xEV得以快速普及，對(duì)于其配套的OBC等部件而言，功率半導(dǎo)體是不可或缺的存在，因此，市場對(duì)發(fā)熱量少、開關(guān)速度快、耐壓能力強(qiáng)的Si
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東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業(yè)設(shè)備效率

  • 中國上海，2023年7月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。 新產(chǎn)品在第3代SiC SBD芯片中使用了一種新金屬，優(yōu)化了第2代產(chǎn)品的結(jié)勢壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[2]。它們實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先[3]的1.2V（典型值）低正向電壓，比上一代的1.45V（
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sic肖特基勢壘二極管介紹

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