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ARM開(kāi)發(fā)步步深入之SDRAM編程示例

　　實(shí)驗(yàn)?zāi)康模焊淖儭包c(diǎn)燈大法”的執(zhí)行地點(diǎn)，從NandFlash的Steppingstone轉(zhuǎn)到SDRAM中執(zhí)行，借此掌握存儲(chǔ)控制器的使用?！　?shí) 驗(yàn)環(huán)境及說(shuō)明：恒頤S3C2410開(kāi)發(fā)板H2410。H2410核心板擴(kuò)展有64MB的SDRAM，用于設(shè)置程序堆棧和存放各種變量。SDRAM選用了兩片三星公司的K4S561632(4M*16bit*4BANK)，兩片拼成32位數(shù)據(jù)寬度的SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)，并映射到S3C2410的 SROM/SDRAM的BANK6，地址范圍是0x300
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美國(guó)組建半導(dǎo)體工作組或與中國(guó)推進(jìn)海外并購(gòu)發(fā)生沖突

　　日前，美國(guó)總統(tǒng)科學(xué)和技術(shù)顧問(wèn)委員會(huì)(PCAST)宣布成立一個(gè)新的工作組，旨在研究影響美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的問(wèn)題，尤其當(dāng)它們涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)和安全利益時(shí)。據(jù)悉，該工作組將專注于半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的核心挑戰(zhàn)，提出加強(qiáng)行業(yè)和維護(hù)美國(guó)在全球領(lǐng)導(dǎo)地位的建議。這一舉措凸顯了美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)正在遭遇挑戰(zhàn)，美國(guó)政府開(kāi)始尋找措施，維護(hù)其既有的地位。　　值得注意的是，該舉措有可能地對(duì)當(dāng)前中國(guó)正在推進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃造成影響，有必要認(rèn)真面對(duì)。　　有玩笑稱，現(xiàn)在的美國(guó)，對(duì)外輸出的產(chǎn)品可以用“三片”來(lái)統(tǒng)稱，
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ARM進(jìn)軍AI領(lǐng)域成立OPEN AI LAB生態(tài)聯(lián)盟

　　2016年12月1日，由ARM生態(tài)系統(tǒng)加速器安創(chuàng)空間聯(lián)合全志科技、地平線機(jī)器人發(fā)起的開(kāi)放人工智能實(shí)驗(yàn)室OPEN AI LAB在北京正式成立。OPEN AI LAB旨在探索新的合作模式推進(jìn)嵌入式人工智能的軟硬件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化協(xié)同發(fā)展。　　中科院院士、清華大學(xué)張鈸教授蒞臨發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)祝賀，并在成立儀式上致辭，對(duì)OPEN AI LAB表達(dá)深切的關(guān)注。工信部軟件與集成電路促進(jìn)中心盧山主任對(duì)OPEN AI LAB的成立表示祝賀，期望行業(yè)上下游領(lǐng)軍企業(yè)在嵌入式人工智能產(chǎn)業(yè)化的道路上加強(qiáng)協(xié)作，共同努力推動(dòng)基礎(chǔ)技術(shù)發(fā)
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英特爾怎么看？ARM陣營(yíng)在服務(wù)器芯片市場(chǎng)力量被削弱

其實(shí)ARM要進(jìn)入服務(wù)器芯片市場(chǎng)遇到的困難，就與Intel進(jìn)入移動(dòng)市場(chǎng)遇到的困難一樣大。
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[ARM應(yīng)用]按鍵中斷驅(qū)動(dòng)實(shí)例

　　1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹　?1)了解按鍵原理及其與S3C2410的接口電路設(shè)計(jì)　　(2)了解S3C2410芯片的外部中斷處理機(jī)制　　(3)掌握按鍵中斷驅(qū)動(dòng)的編寫(xiě)及測(cè)試過(guò)程　　2 實(shí)驗(yàn)原理　　(1)按鍵的硬件原理　　在嵌入式系統(tǒng)中，按鍵的硬件原理比較簡(jiǎn)單，通過(guò)一個(gè)上拉電阻將處理器的外部中斷(或GPIO)引腳拉高，電阻的另一端連接按鍵并接地即可實(shí)現(xiàn)。如圖2-1所示：　　　　圖　　2-1按鍵接口電路　　仔細(xì)看圖2-1，不難知道，當(dāng)按鍵被按下時(shí)，EINT0上將產(chǎn)生低電平，
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英特爾任命ARM前任執(zhí)行長(zhǎng)為物聯(lián)網(wǎng)集團(tuán)領(lǐng)導(dǎo)

　　英特爾公司表示，Tom Lantzsch將成為英特爾物聯(lián)網(wǎng)集團(tuán)的高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理。此前，他是ARM公司戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁，也是物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的主要參與者。　　英特爾的舉動(dòng)突出了如何越來(lái)越多地在公司外部帶來(lái)領(lǐng)導(dǎo)。請(qǐng)記住去年英特爾曾任命Venkata博士“Murthy”Renduchintala——前Qualcomm高管，來(lái)負(fù)責(zé)公司的客戶、物聯(lián)網(wǎng)和系統(tǒng)架構(gòu)組。　　Renduchintala說(shuō)，Lantzsch將是物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新的“加速器&r
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Surface Studio拆解：內(nèi)部有ARM處理器可輕松更換硬盤(pán)

　　Surface Studio原定于今年12月15日發(fā)貨，不過(guò)誠(chéng)意滿滿的微軟為更好的迎接購(gòu)物季已經(jīng)于日前開(kāi)始陸續(xù)發(fā)貨。國(guó)外知名維修團(tuán)隊(duì)iFixit團(tuán)隊(duì)在拿到這款一體機(jī)之后馬不停蹄的進(jìn)行了拆解，最終給出了5分的評(píng)價(jià)(總分為10分，分?jǐn)?shù)越高代表越容易維修)?！　?nbsp; 　　首先值得注意的地方在28英寸屏幕下方有個(gè)ARM處理器，iFixit團(tuán)隊(duì)并未解釋為何英特爾處理器驅(qū)動(dòng)的x86架構(gòu)PC下會(huì)有一個(gè)ARM處理器，外媒猜測(cè)可能是幫助承擔(dān)微軟PixelSense屏幕的輔助計(jì)算。　　除此
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ARM開(kāi)發(fā)步步深入之MMU初窺

　　實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簡(jiǎn)⒂肕MU，映射SDRAM的地址空間，操作虛擬地址實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”，借此掌握MMU的使用?！　?shí) 驗(yàn)環(huán)境及說(shuō)明：恒頤S3C2410開(kāi)發(fā)板H2410。H2410核心板擴(kuò)展有64MB的K4S561632 SDRAM(4M*16bit*4BANK)，地址范圍是0x30000000~0x33FFFFFF。GPIO端口的地址范圍是 0x56000000~0X560000B0?！　?shí) 驗(yàn)思路：開(kāi)發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開(kāi)始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中
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[ARM筆記](méi)存儲(chǔ)控制器的寄存器使用方法

　　存儲(chǔ)器共有13個(gè)寄存器，BANK0~BANK5只需要設(shè)置BWSCON和BANKCONx(x為0~5)兩個(gè)寄存器;BANK6、BANK7外接SDRAM時(shí)，除了BWSCON和BANKCONx(x為6、7)外，還要設(shè)置REFRESH、BANKSIZE、MRSRB6、MRSRB7等4個(gè)寄存器。下面分類說(shuō)明(“[y:x]”表示占據(jù)了寄存器的位x、x+1、……、y)：　　1. 位寬和等待控制寄存器BWSCON(Bus Width & Wait Sta
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基于ZYNQ嵌入式小型化繼電保護(hù)平臺(tái)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本文介紹了一種應(yīng)用在智能變電站中全新的嵌入式小型化繼電保護(hù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)選用片內(nèi)集成雙ARM內(nèi)核和FPGA的Xilinx Zynq系列芯片，在成本、數(shù)據(jù)處理速度、功耗及可擴(kuò)展性方面能夠滿足就地化安裝繼電保護(hù)設(shè)備的需求。全文從軟件和硬件方面詳細(xì)闡述了嵌入式小型化繼電保護(hù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)方法。
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ARM匯編常用偽操作總結(jié)

　　在分析 2410 工程中啟動(dòng)代碼的過(guò)程中，除了一些常用的匯編如 ldr,str,bic 等，還有一些很陌生的符號(hào)讓我們很困惑，到網(wǎng)上一查資料，噢，原來(lái)是 ARM 的一些偽操作。為了在閱讀啟動(dòng)代碼的過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)很大的閱讀與理解障礙，就總結(jié)了啟動(dòng)代碼中用到的偽操作以供熟悉和查閱　　PS: 這里說(shuō)一下自己對(duì)匯編指令的看法，感覺(jué)就如英語(yǔ)單詞似的，在進(jìn)行閱讀之前必須具備一些詞匯量，但不需要精記，因?yàn)榫浀脑捔刻筇s，不容易掌握，效果也不好
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[ARM筆記](méi)存儲(chǔ)控制器及其訪問(wèn)外設(shè)的原理

　　1. S3C2410/S3C2440地地址空間　　S3C2410/S3C2440對(duì)外引出的27根地址線ADDR0~ADDR26的訪問(wèn)范圍只有128MB，那么是如何達(dá)到1GB的空間的呢?CPU對(duì)外還引出了8根片選信號(hào)nGCS0~nGCS7，對(duì)應(yīng)于BANK0~BANK7，當(dāng)訪問(wèn)BANKx的地址空間時(shí)，nGCSx引腳輸出低電平用來(lái)選中外接的設(shè)備。這樣，每個(gè)nGCSx對(duì)應(yīng)128MB的地址空間，8個(gè)nGCSx信號(hào)總共就對(duì)應(yīng)了1GB的地址空間。這8個(gè)BANK的地址空間如：http://weimenlov
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三星準(zhǔn)備丟開(kāi)ARM，開(kāi)發(fā)RISC-V架構(gòu)自主CPU內(nèi)核

　　今年三星的半導(dǎo)體部門(mén)已經(jīng)開(kāi)始嘗試一些大的飛躍，其運(yùn)用于Galaxy S7旗艦的Exynos 8890處理器，首次采用了自主定制的CPU內(nèi)核M1?，F(xiàn)在來(lái)看，三星正計(jì)劃擴(kuò)大芯片定制開(kāi)發(fā)的實(shí)力，因?yàn)槿涨案鶕?jù)業(yè)內(nèi)人士透露的消息了解，三星設(shè)備解決方案(Device Solution)事業(yè)部正在為研發(fā)32位的MCU微控制器定制一種CPU內(nèi)核，并且似乎是以可穿戴設(shè)備或物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)為目標(biāo)。　　據(jù)稱，三星研發(fā)中的這個(gè)CPU內(nèi)核基于開(kāi)源的RISC-V指令集架構(gòu)，而不是我們常見(jiàn)的ARM架構(gòu)(例如三星旗艦機(jī)長(zhǎng)期所用的ARM
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[ARM筆記](méi)GPIO硬件介紹

　　GPIO(General Purpose I/O Ports)意思為通用輸入/輸出端口，通俗地說(shuō)，就是一些引腳，可以通過(guò)它們輸出高低電平或者通過(guò)它們讀入引腳的狀態(tài)-是高電平或是低電平?！　3C2410共有117個(gè)I/O端口，共分為A~H共8組：GPA、GPB、...、GPH。S3C2440共有130個(gè)I/O端口，分為A~J共9組：GPA、GPB、...、GPJ。可以通過(guò)設(shè)置寄存器來(lái)確定某個(gè)引腳用于輸入、輸出還是其他特殊功能。　　1.1 通過(guò)寄存器來(lái)操作GPIO
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[ARM筆記](méi)內(nèi)存管理單元地址變換過(guò)程

　　1. 地址的分類　　以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運(yùn)行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況:　　1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過(guò)了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中;　　2)多任務(wù)系統(tǒng)中有很多程序需要同時(shí)運(yùn)行,它們要求的內(nèi)存空間超過(guò)了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中?！　?shí)際上，一個(gè)程序在運(yùn)行前，沒(méi)有必要全部裝入內(nèi)存，而僅需要將那些當(dāng)前要運(yùn)行的部分先裝入內(nèi)存，其余部分在用到的時(shí)候再?gòu)拇疟P(pán)調(diào)入，而當(dāng)內(nèi)存耗光時(shí)，再將暫時(shí)不用的部分調(diào)出到磁盤(pán)。這使得一個(gè)大程序可以在較小的內(nèi)存空間
關(guān)鍵字： ARM 存儲(chǔ)器