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Intel：DDR4內(nèi)存明年將統(tǒng)治PC

  • DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時間了，現(xiàn)在DDR3走到生涯末年了，終于DDR4可以頂上去了，等的花都謝了。
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專利流氓良了Rambus殺入DDR4

  • 　　熟悉PC尤其是內(nèi)存歷史的應(yīng)當(dāng)都記得外號“專利流氓”的Rambus。它發(fā)明了很高明的RDRAM等技術(shù)，但沒有拿來造福百姓，而是憑借專利四處“勒索”，臭名遠(yuǎn)揚，自己的技術(shù)也沒幾個人用，RDRAM唯一的成功就是索尼PS3，當(dāng)然還坑了Intel一把。 　　現(xiàn)在，Ramubus又回來了，但放棄了IP授權(quán)經(jīng)營模式，轉(zhuǎn)型為一家無工廠半導(dǎo)體廠商，設(shè)計、銷售自己的產(chǎn)品。 　　趁著Intel IDF 2015舉行之際，Rambus宣布了自己的首款產(chǎn)品“RB2
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DRAM價差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流

  • 　　據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價求售，使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 　　受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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DRAM價差縮 研調(diào)：DDR4年底變主流

  • 　　據(jù)記憶體市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange最新報告顯示，第3季初伺服器用記憶體整體市場需求仍未見回溫，在需求端拉貨力道不振下，即便原廠力守價格，代理商對市場信心依然持續(xù)減弱，并出現(xiàn)降價求售，使整體市場價格出現(xiàn)明顯松動。 　　DRAMeXchange分析師劉家羽表示，由于PC端需求依舊疲軟，標(biāo)準(zhǔn)型記憶體跌價幅度持續(xù)擴張，也使得伺服器用記憶體價格跌幅收斂受阻。 　　受DDR4跌價沖擊，DDR3價格下殺幅度趨明顯，7月底 8GB/16GB均價來到64與116美元，月跌幅達(dá)5~6%;而DDR4 R-DIMM
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瀾起科技攜全新DDR4產(chǎn)品亮相英特爾信息技術(shù)峰會

  • 　　2015年4月8日，一年一度的英特爾信息技術(shù)峰會在深圳熱烈開幕，瀾起科技攜基于全新DDR4內(nèi)存接口套片的服務(wù)器平臺亮相峰會現(xiàn)場。 　　去年9月，瀾起科技DDR4內(nèi)存接口套片在成功通過英特爾公司認(rèn)證后，便成為亞洲第一家、國內(nèi)唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務(wù)器平臺的企業(yè)。 　　M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)芯片，其性能和速率均遠(yuǎn)超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DD
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是德科技推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 BGA 內(nèi)插器

  • 　　是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內(nèi)插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結(jié)合使用，可以讓工程師調(diào)試和表征他們的 DDR4 內(nèi)存設(shè)計，以及驗證器件與 JEDEC DDR4 標(biāo)準(zhǔn)的一致性。 　　隨著 DDR4 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，動態(tài)隨機訪問存儲器(DRAM)的數(shù)據(jù)速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲器系統(tǒng)設(shè)計工程師正面臨著較之以往更大的挑戰(zhàn)，面向高數(shù)據(jù)速率的存儲信號探測變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內(nèi)插器
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小改變大不同 揭秘DDR4內(nèi)存與DDR3區(qū)別

  • DDR3內(nèi)存自從2007年服役以來，至今已經(jīng)走過了8個年頭。相比Intel的更新?lián)Q代步伐來說，內(nèi)存發(fā)展可謂相當(dāng)緩慢。不過好在2014年底，各大廠商紛紛上架DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，起跳頻率達(dá)到2133MHz，標(biāo)志著DDR3時代的終結(jié)。
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Wide I/O、HBM、HMC將成存儲器新標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　現(xiàn)行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設(shè)計為基礎(chǔ)，其中許多技術(shù)已沿用長達(dá)十余年，而今無論是系統(tǒng)總頻寬或中央處理器(CPU)等作業(yè)環(huán)境都不可同日而語。有鑒于此，發(fā)展新的解決方案為眼下業(yè)界的共識，Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標(biāo)準(zhǔn)遂成業(yè)界關(guān)注重點。 　　據(jù)ExtremeTech網(wǎng)站報導(dǎo)指出，過去近20年來存儲器規(guī)格已從第一代的SDRAM DIMM發(fā)展至DDR4-3200，成長高達(dá)48倍。因此，現(xiàn)今業(yè)界雖針對是否應(yīng)進(jìn)一步以此標(biāo)準(zhǔn)定義DDR5有所爭議，更多人卻傾向發(fā)展新的存儲
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DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲變革？

  • 臺灣曾將DRAM視為支柱產(chǎn)業(yè)，但隨著移動設(shè)備與物聯(lián)網(wǎng)市場的火爆，需求朝向更小、更省電的方向，而非速度跟效率。若能掌握新趨勢，未來臺灣廠商在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)仍將大有可為。
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引進(jìn)CRC/3DS架構(gòu)　DDR4數(shù)據(jù)傳輸性能/可靠度躍升

  • 　　相較前一代記憶體規(guī)格，第四代雙倍資料率(DDR4)新增超過二十種功能，其中，采用循環(huán)冗余校驗碼(CRC)和立體矽堆疊(3DS)技術(shù)更是重大變革，前者可即時檢測資料匯流排上的錯誤訊息，提升可靠度;后者對提升時序和功率效能則大有幫助。 　　隨著標(biāo)準(zhǔn)不斷演進(jìn)，新一代記憶體規(guī)范通常著重于提升資料傳輸速率，其他方面僅略做調(diào)整，但第四代雙倍資料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相時，便新增超過二十種功能，比先前DDR規(guī)格足足多一倍。 　　前幾代的DDR規(guī)格創(chuàng)新，主要目標(biāo)是提供更快速度或更廣泛的應(yīng)用，然而，
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中國芯：瀾起科技的酸甜苦辣之2014

  • 　　瀾起科技在2014年的年初和年末分別經(jīng)歷了的強烈的指責(zé)以及年末并購案對公司利好的喜悅。那么除了這大喜和大悲之后，瀾起科技在2014年同樣還經(jīng)歷了二次增發(fā)成功的幸福，被做空股價動蕩的苦惱，有收到私有化要約的震驚，有中間起起伏伏的波折，有節(jié)節(jié)高升的業(yè)績，更有私有化成功的回歸。
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重　4GB DDR4主流之路恐延后

  • 　　DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，資本支出不會改變。 　　日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PCOEM客戶認(rèn)證，導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴(yán)重，轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重　4Gb DDR4主流之路恐延后

  • 　　DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導(dǎo)入終端應(yīng)用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度一切都如預(yù)期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程，資本支出不會改變。 　　日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PC OEM客戶認(rèn)證，導(dǎo)致部分貨源流入現(xiàn)貨市場，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認(rèn)證的嚴(yán)格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴(yán)重，轉(zhuǎn)進(jìn)20納米
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淺談 DDR4 的技術(shù)變革與市場趨勢

  • 　　動態(tài)隨機存取記憶體(Dynamic Random-Access Memory，DRAM)是常見的記憶體元件。在處理器相關(guān)運作中，DRAM 經(jīng)常被用來當(dāng)作資料與程式的主要暫存空間。相對于硬碟或是快閃記憶體(Flash Memory)，DRAM 具有存取速度快、體積小、密度高等綜合優(yōu)點，因此廣泛的使用在各式各樣現(xiàn)代的科技產(chǎn)品中，例如電腦、手機、游戲機、影音播放器等等。 　　   　　自 1970 年英代爾(Intel)發(fā)表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 開始，隨著半導(dǎo)
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威剛超頻存儲器創(chuàng)紀(jì)錄

  • 　　記憶體品牌威剛科技宣布，威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記憶體搭配華碩(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主機板，以液態(tài)氮(LN2)超頻，直達(dá)4255MHz CL17，締造了全新紀(jì)錄。 　　威剛長期與各大主機板廠合作，努力追求DDR4搭配Intel最新X99平臺的最高效能。秉持堅強的研發(fā)實力，全新閃耀金色版的威剛XPG Z1 DDR4 3333MHz此次輕松突破4GHz大關(guān)，還達(dá)到了4255MHz CL17的超高頻率與時序，證明了威剛XPG Z1 DDR4 3333超頻記
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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]

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