ddr5 dram 文章 進(jìn)入ddr5 dram技術(shù)社區(qū)
茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)
- 茂德與臺灣存儲器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機(jī)臺和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺，這亦破除市場質(zhì)疑TMC沒有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 存儲器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達(dá)成共識，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
- 關(guān)鍵字： 茂德 DRAM 65納米
DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽(yù)勛章
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，美國科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)頒發(fā)的榮譽(yù)勛章。 DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德 與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比，今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域
- 關(guān)鍵字： IBM DRAM 摩爾定律
韓國海力士在無錫成功“擴(kuò)容” 規(guī)模國內(nèi)最大
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項(xiàng)目落戶無錫，其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露，十二英寸后工序項(xiàng)目明年初將建設(shè)完畢，屆時，該集團(tuán)將真正實(shí)現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn)，成為中國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。 海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔(dān)了韓國總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場的百分之十。 權(quán)五哲稱，金融危機(jī)下，國際內(nèi)存需求量逆勢上升，該公司目前內(nèi)存價格較年初已上漲二倍。明年實(shí)現(xiàn)
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茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)
- 茂德與臺灣存儲器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機(jī)臺和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺，這亦破除市場質(zhì)疑TMC沒有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。 存儲器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達(dá)成共識，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
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德國總理暗示將對本國半導(dǎo)體業(yè)提供資助
- 德國總理默克爾15日在柏林的一次演講中暗示，政府可能對本國半導(dǎo)體企業(yè)提供財(cái)政資助，以幫助這些企業(yè)更好地與美國公司競爭。 默克爾在演講中比較了德國英飛凌、奇夢達(dá)與美國英特爾的情況，并認(rèn)為英特爾獲得了美國政府經(jīng)濟(jì)刺激計(jì)劃的慷慨支持。她表示，對歐洲僅剩的幾家半導(dǎo)體生產(chǎn)商，政府可能需要對其提供資助。 數(shù)據(jù)顯示，受經(jīng)濟(jì)衰退影響，DRAM價格過去一年下跌58%。德國半導(dǎo)體企業(yè)深受打擊，奇夢達(dá)已經(jīng)于今年1月23日申請破產(chǎn)保護(hù)。 據(jù)悉，由于德國9月27日將迎來全國大選，總理默克爾和其挑戰(zhàn)者副總理兼外
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 DRAM 半導(dǎo)體
茂德科技稱正與潛在戰(zhàn)略合作伙伴進(jìn)行談判
- 中國臺灣存儲芯片生產(chǎn)商茂德科技董事長陳民良周二表示，公司正與數(shù)家企業(yè)就開展戰(zhàn)略合作生產(chǎn)芯片事宜進(jìn)行談判。 陳民良在年度大會上向公司股東表示，茂德科技將利用其臺中的工廠生產(chǎn)DRAM芯片。 該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產(chǎn)非主流DRAM產(chǎn)品和非DRAM芯片。 由于存儲芯片行業(yè)供應(yīng)過剩及全球經(jīng)濟(jì)滑坡導(dǎo)致的需求下滑，茂德科技此前八個季度連續(xù)虧損，導(dǎo)致公司現(xiàn)金緊張，舉步維艱。
- 關(guān)鍵字： 茂德 DRAM 存儲芯片
三星DRAM藏伏筆 臺廠忐忑難安
- 過去一向扮演DRAM市場領(lǐng)頭羊的三星電子(Samsung Electronics)，在近期這波合約價上漲過程中，卻表現(xiàn)異常的沈默，存儲器業(yè)者表示，三星不僅不愿意跟進(jìn)調(diào)漲，甚至業(yè)界不斷傳出三星有意不讓1Gb容量DDR2價格上漲超過1.5美元、甚至1.3美元，似乎不想讓原本奄奄一息的臺廠，再度有喘息機(jī)會，加上DRAM產(chǎn)業(yè)前景仍不明確，終端需求回籠跡象還不明顯，但卻已傳出多家DRAM廠開始低調(diào)增加投片量，希望能趕上2009年下半PC市場傳統(tǒng)旺季，這不僅讓整體DRAM市場彌漫著相當(dāng)詭異氣氛，亦讓臺DRAM廠對
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓 DDR2
DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
- 據(jù)港臺媒體報(bào)道，美國國家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。 根據(jù)《CENT》報(bào)導(dǎo)，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
- 關(guān)鍵字： 惠普 DRAM 內(nèi)存 軟性憶阻器
向山寨科技學(xué)習(xí)什么
- 《山寨科技創(chuàng)了什么新》一文(本刊5月5日號總第267期)發(fā)表以后，讀者的熱情反應(yīng)與分歧的意見，讓遠(yuǎn)在大洋彼岸的我始料未及。在本文中，我試圖再次整理山寨中的創(chuàng)新因素，讓居廟堂之高者明白，創(chuàng)新不必非來自于高高在上的微軟、諾基亞或者默克，也不必像當(dāng)年搞“兩彈一星”那樣舉全國之力傾斜投入，關(guān)鍵在于利用市場全球化、技術(shù)開放化的強(qiáng)大推手，在國際價值產(chǎn)業(yè)鏈上配置資源。 中國要走的自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新道路上，山寨科技的摸索已經(jīng)為我們探明了前進(jìn)的路徑： 研發(fā)模式：螞蟻雄兵的模塊化開發(fā)強(qiáng)
- 關(guān)鍵字： TI DRAM 手機(jī)
臺日聯(lián)手抗韓 共同投資臺灣記憶體公司
- 臺灣“經(jīng)濟(jì)部”部長尹啟銘周六表示，將由政府主導(dǎo)出資成立的臺灣記憶體公司(TMC)，將獲日本政府投資，但他不愿透露金額及其他細(xì)節(jié)。分析師解讀，臺灣及日本有此意外之舉，應(yīng)是希望藉此聯(lián)合起來，與全球龍頭——韓國三星抗衡。 對于日本政府有意投資TMC的最新進(jìn)展，富邦投顧研究部協(xié)理李克揚(yáng)分析，“對兩邊的產(chǎn)業(yè)界都有好處?，F(xiàn)在就是大家一起在想辦法，希望這次可以一起活下來，或是最少保持跟得上三星的競爭力。” 李克揚(yáng)表示，日本政府應(yīng)該亦
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM
NAND Flash買氣急凍 通路庫存塞車
- NAND Flash經(jīng)歷2個月價格狂飆后，近期市場買氣一夕轉(zhuǎn)淡，記憶體模組廠紛因庫存急增，開始出現(xiàn)驚慌失措。模組廠表示，3、4月NAND Flash漲價時，通路商一度擔(dān)心會缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場卻出乎意外地很快冷卻下來，由于消費(fèi)者需求不振，導(dǎo)致中間通路商手上庫存整個塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現(xiàn)貨價跌破4美元心理關(guān)卡，合約價漲勢亦熄火，模組廠5月同時面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應(yīng)在營收表現(xiàn)上。 模組廠表示，2009年第1季NAND Flash市場
- 關(guān)鍵字： 蘋果 DRAM NAND
存儲器業(yè)或已過景氣谷底 但前景仍未見光明
- 存儲器芯片產(chǎn)業(yè)景氣在歷經(jīng)兩年來的大滑坡之後，看來似乎已經(jīng)落底，但未來恐難重拾昔日科技業(yè)金雞母的豐采。 更慘的是，部分分析師認(rèn)為近期存儲器芯片價格上漲，讓迫切需要進(jìn)行的產(chǎn)業(yè)重整工作受阻，使得產(chǎn)業(yè)仍呈現(xiàn)過度擁擠狀態(tài)，易于受到周期性景氣榮枯的沖擊。 “除了產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子之外，其他動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)業(yè)者都必需想出對策以保留現(xiàn)金及繼續(xù)存活。”富邦投顧研究部協(xié)理李克揚(yáng)表示。 長期來看，部分業(yè)者很難獨(dú)自走出活路。 臺灣政府今年稍早成立臺灣存儲器公司(TM
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲器
美媒：內(nèi)存大廠美光 準(zhǔn)備進(jìn)軍LED與太陽能領(lǐng)域
- 根據(jù)《埃達(dá)荷政治家報(bào)》網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，DRAM大廠Micron Technology正對外尋求資金以擴(kuò)展 LED制造業(yè)務(wù)，且同時考慮生產(chǎn)太陽能板。 美國埃達(dá)荷州政府看好Micron的未來表現(xiàn)，亦積極向美國能源部申請，由該州能源資源局撥款500萬美元。 由于DRAM業(yè)務(wù)虧損連連，Micron索性裁員并關(guān)閉部份產(chǎn)線，連閃存部門也分拆出去與 Intel(英特爾) 共組合資企業(yè)IM Flash Technologies LLC。 有意改變營運(yùn)重心的Micron，逐漸將眼光放在技術(shù)水準(zhǔn)類似，獲利卻更
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