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Intel拍胸脯：DDR5、PCIe 5.0明年見！

  • 因為種種原因,Intel的產(chǎn)品規(guī)劃這兩年調(diào)整非常頻繁,路線圖經(jīng)常出現(xiàn)變動,無論是消費級還是企業(yè)級。在近日與投資者溝通時,Intel公關(guān)總監(jiān)Trey Campbell就保證說,將在今年第二季度末(最遲至6月底)發(fā)布代號Ice Lake-SP的下一代至強(qiáng)服務(wù)器平臺,明年某個時候則會帶來Sapphire Rapids。Ice Lake-SP將采用和移動端Ice Lake-U/Y系列相同的10nm工藝、Sunny Cove CPU架構(gòu),并更換新的LGA4189封裝接口,核心數(shù)量和頻率暫時不詳(據(jù)說最多38核心),
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  • 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié),但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。簡單來說,DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳(廠商一般都會從4800MHz出貨)、最高可達(dá)8400MHz(時序瑟瑟發(fā)抖……)。核心容量密度方面,SK海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇,也就是說,DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB。其它參數(shù)也均有明顯改進(jìn),兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和VPP分別從1.2V、2.5V將至1.1V、1.8V,可進(jìn)一步緩解
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SK海力士公布DDR5內(nèi)存規(guī)范：頻率高達(dá)8400MHz、今年量產(chǎn)

  •        盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。　　簡單來說，DDR5內(nèi)存頻率從3200MHz起跳（廠商一般都會從4800MHz出貨）、最高可達(dá)8400MHz（時序瑟瑟發(fā)抖……）?！　『诵娜萘棵芏确矫妫琒K海力士給出8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb如此豐富的選擇，也就是說，DDR5時代單條內(nèi)存最大可到128GB?！　∑渌鼌?shù)也均有明顯改進(jìn)，兩個關(guān)鍵電壓VDD/VDDq和
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Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到

  • 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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中國芯片工廠停擺、DDR5延期？美光辟謠：一切正常

  • 韓媒報道稱美國美光公司在中國地區(qū)的工廠及辦公室也受到了嚴(yán)重影響,生產(chǎn)中斷,拖累DDR5量產(chǎn),不過美光方面否認(rèn)了相關(guān)報道。最近的疫情危機(jī)不僅影響了很多的生活,更重要的是導(dǎo)致一些工廠不能正常開工。韓國媒體報道稱,春節(jié)期間,美光公司在中國地區(qū)不僅辦公室工作受到影響,生產(chǎn)線也一度陷入停擺。韓媒指出,美光中國區(qū)目前已經(jīng)開始恢復(fù)生產(chǎn),但是臨時中斷產(chǎn)線已經(jīng)帶來嚴(yán)重?fù)p失,還推遲了DDR5內(nèi)存量產(chǎn)的計劃,對客戶的供貨也會出現(xiàn)問題。針對這些報道,美光公司下午發(fā)表聲明否認(rèn),聲稱美光致力維持安全的工作環(huán)境,除了密切關(guān)注國際性新冠
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美光交付全球首款量產(chǎn)的LPDDR5芯片

  • 美光科技近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

  • 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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Intel開始出貨10nm Agilex FPGA：DDR5、PCIe 5.0

  • Intel 10nm工藝雖然有些姍姍來遲，但是布局深廣，包括面向筆記本和服務(wù)器的Ice Lake、3D立體封裝的Lakefield、面向5G基礎(chǔ)設(shè)施的Snow Ridge，還有一款全新的FPGA。
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美光正在為DDR5擴(kuò)大產(chǎn)能 并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)

  • 在近日與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上，美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求表示了信心，該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計劃，并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。
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SK海力士：DDR5內(nèi)存2020年推出，起步5200MHz

  • 近日，SK海力士負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示，準(zhǔn)備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
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SK海力士首發(fā)標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存

  • 　　SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5?！　?jù)介紹，新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標(biāo)準(zhǔn)的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時工作頻率高達(dá)5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達(dá)41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒?！　∈姓{(diào)機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存需求將在20
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DDR5內(nèi)存芯片：美光在2019新策略

  • 　　隨著科技的發(fā)展，DIY行業(yè)又一次迎來了春天，各類產(chǎn)品層出不窮，而美光成為內(nèi)存的老牌廠商，為無數(shù)玩家提供縱橫游戲的尖端裝備，近日，內(nèi)部有消息稱，美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)?！　∽鳛镈DR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日，美光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。　　從美光公布的文件來看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。　　
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美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片：2019年底量產(chǎn)

  • 　　盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底量產(chǎn)?！　∈聦嵣?，早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗證模組，DRAM來自美光，接口層自研，采用臺積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s，也就是頻率高達(dá)4400MHz?！　「鶕?jù)美光的最新說法，其16Gb DDR5芯片會在2019年底量產(chǎn)，基于18nm以下工藝，這就意味著，搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世?！　“凑者M(jìn)度，JEDEC
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DDR5可望成為下一代主流存儲器接口？

  • 老的DDR4能不能降個價，現(xiàn)在實在買不起。
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