f／v 文章進(jìn)入f／v技術(shù)社區(qū)

Imagination升級(jí)為高級(jí)會(huì)員并將繼續(xù)致力于推動(dòng)RISC-V的發(fā)展

Imagination Technologies近日宣布公司已升級(jí)為RISC-V International高級(jí)會(huì)員并將繼續(xù)致力于推動(dòng)RISC-V生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。在升級(jí)為高級(jí)會(huì)員后，Imagination計(jì)算部副總裁Shreyas Derashri將加入RISC-V International董事會(huì)。Imagination多年來一直活躍于RISC-V社區(qū)，最初通過廣受歡迎的RVfpga培訓(xùn)課程推動(dòng)RISC-V架構(gòu)的教育。今年，公司發(fā)布了其首個(gè)商用RISC-V核——實(shí)時(shí)IMG RTXM-2200 CPU。此
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RISC-V 成功運(yùn)行安卓 12，阿里平頭哥公布融合新進(jìn)展

北京時(shí)間12月14日早晨，在2022 RISC-V國際峰會(huì)上，阿里平頭哥展示了RISC-V架構(gòu)與安卓體系融合的最新進(jìn)展：基于SoC原型曳影1520，RISC-V在安卓12（AOSP）上成功運(yùn)行多媒體、3D渲染、AI識(shí)物等場景及功能。這意味著安卓系統(tǒng)在RISC-V硬件上得到進(jìn)一步驗(yàn)證，兩大體系融合開始進(jìn)入原生支持的應(yīng)用新階段。在大部分基礎(chǔ)功能成功實(shí)現(xiàn)后，RISC-V與安卓的融合進(jìn)入應(yīng)用驗(yàn)證領(lǐng)域，面臨更多模塊缺失、接口不一致等技術(shù)和系統(tǒng)挑戰(zhàn)。比如在車載場景中，硬件層需重新設(shè)計(jì)總線以支持多路輸入，系統(tǒng)層要兼容外
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無畏 RISC-V 來勢(shì)洶洶，Arm 高管稱競爭是好事

IT之家 12 月 13 日消息，據(jù)臺(tái)媒 TechNews 報(bào)道，面對(duì) RISC-V 積極開疆拓土，Arm 策略與行銷執(zhí)行副總裁 Drew Henry 在媒體分享會(huì)上表示，要正向看待良性競爭，而 Arm 長期建構(gòu)下來的硬件效能、軟件及開發(fā)工具所形成的龐大生態(tài)系是最大優(yōu)勢(shì)，也能滿足產(chǎn)業(yè)需求?！?圖源 ArmDrew Henry 表示，隨著數(shù)據(jù)中心需求急劇增加，加上自動(dòng)駕駛汽車、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用崛起，市場對(duì)于運(yùn)算能力的要求越來越高，這也使得摩爾定律備受挑戰(zhàn)。如今要靠單一技術(shù)延續(xù)摩爾定
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第三大CPU架構(gòu)RISC-V沖向5nm 192核國產(chǎn)版也要來了：單核性能有驚喜

作為僅次于x86、ARM的第三大CPU架構(gòu)，RISC-V憑借開源、免費(fèi)的優(yōu)勢(shì)迅速發(fā)展，之前主要用于低功耗市場，但是現(xiàn)在也開始沖擊高性能領(lǐng)域，Ventana公司日前已經(jīng)做出了5nm 192核的芯片。Ventana公司日前發(fā)布了第一款產(chǎn)品Veyron V1，該公司研發(fā)了一種高性能RISC-V架構(gòu)，每個(gè)CPU模塊中有16個(gè)RISC-V內(nèi)核，頻率3.6GHz，整合48MB緩存，整個(gè)處理器可以集成12個(gè)CPU模塊，做到192核，臺(tái)積電5nm工藝生產(chǎn)制造，還有自己開發(fā)的高性能IO核心，延遲低至7ns，接近原生核心性能
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Microchip在RISC-V峰會(huì)上展示基于RISC-V的FPGA和空間計(jì)算解決方案

中端FPGA和片上系統(tǒng)（SoC）FPGA對(duì)于將計(jì)算機(jī)工作負(fù)載轉(zhuǎn)移到網(wǎng)絡(luò)邊緣發(fā)揮著重要作用。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）憑借其屢獲殊榮的FPGA幫助推動(dòng)了這一轉(zhuǎn)變，現(xiàn)又推出首款基于RISC-V的FPGA，其能效是同類中端FPGA的兩倍，并具有同類最佳的設(shè)計(jì)、操作系統(tǒng)和解決方案生態(tài)系統(tǒng)。Microchip將在2022年RISC-V峰會(huì)上展示該解決方案，并預(yù)覽其PolarFire 2 FPGA硅平臺(tái)和基于RISC-V的處理器子系統(tǒng)及軟件套件路線圖。Microchip還將
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Codasip 宣布成立 Codasip 實(shí)驗(yàn)室，以加速行業(yè)前沿技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用！

德國慕尼黑，2022年12月7日——處理器設(shè)計(jì)自動(dòng)化和RISC-V處理器IP的領(lǐng)導(dǎo)者Codasip今日宣布成立Codasip實(shí)驗(yàn)室（Codasip Labs）。作為公司內(nèi)部創(chuàng)新中心，新的Codasip實(shí)驗(yàn)室將支持關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域中創(chuàng)新技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)應(yīng)用，覆蓋了安全、功能安全（FuSa）和人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）等方向。該實(shí)驗(yàn)室的使命在于識(shí)別和構(gòu)建相關(guān)技術(shù)，以擴(kuò)展定制計(jì)算的可能性，并加快具有定制化的、領(lǐng)域?qū)Ｓ迷O(shè)計(jì)的差異化產(chǎn)品的開發(fā)，并縮短其上市時(shí)間。Codasip實(shí)驗(yàn)室將由公司創(chuàng)始人兼總裁馬克仁（Ka
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“芯”突破！行業(yè)首款RISC-V物聯(lián)網(wǎng)安全芯片“港華芯”正式發(fā)布！

11月29日,由港華集團(tuán)名氣家主辦的“港華芯暨生態(tài)合作發(fā)布會(huì)”于蘇州港華大廈順利舉行。名氣家戰(zhàn)略合作伙伴賽昉科技、微五科技、芯昇科技、愛旗科技、紫光展銳、移遠(yuǎn)通信、中國電信、中國移動(dòng)的代表們通過線上線下共同參與。能源行業(yè)的數(shù)字化、智能化轉(zhuǎn)型正全面提速,與此同時(shí)信息安全體系建設(shè)和完善也被提到前所未有的高度。隨著國家出臺(tái)《關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施安全保護(hù)條例》,特別提出要重點(diǎn)保障包括能源行業(yè)在內(nèi)的關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的安全。港華集團(tuán)作為城市燃?xì)饣A(chǔ)設(shè)施服務(wù)商率先行動(dòng),以“港華芯”為抓手,致力于在筑牢行業(yè)數(shù)據(jù)安全“防火墻”
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IAR Systems 與嘉楠科技達(dá)成合作，支持RISC-V內(nèi)核高精度AI芯片

中國上海——2022年11月23日——嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems 與領(lǐng)先的端側(cè) AI 芯片研發(fā)供應(yīng)商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布，IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片，助力開發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側(cè)推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個(gè)完整的C/C++編譯器和調(diào)試器工具鏈，將嵌入式開發(fā)者所需的一切
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英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開始批量供貨

【2022年11月22日，德國慕尼黑訊】近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器（鐵電存取存儲(chǔ)器）開始批量供貨。該系列儲(chǔ)存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲(chǔ)器，能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對(duì)非易失性數(shù)據(jù)記錄的需求，防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲(chǔ)器的工作電壓范圍為1.71 V至3.6 V，借助低引腳數(shù)接口，該器件可支持高達(dá)54MBps的數(shù)據(jù)吞吐量，并且采用了符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的650 V超快恢復(fù)整流管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車領(lǐng)域的銅夾片F(xiàn)latPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個(gè)采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應(yīng)用于車載充電器(OBC)和電動(dòng)汽車逆變器，以及工業(yè)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換器、PV逆變器和電源。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
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全新 IAR Embedded Workbench for RISC-V 支持 Andes CoDense?擴(kuò)展

瑞典烏普薩拉 - 2022 年 11 月 17 日 - 嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems? 宣布其最新版本的 IAR Embedded Workbench for RISC-V 3.11版現(xiàn)已完全支持 Andes Technology（晶心科技）旗下 AndeStar? V5 RISC-V 處理器的 CoDense? 擴(kuò)展。CoDense? 是處理器 ISA（指令集架構(gòu)）的專利擴(kuò)展，能夠幫助 IAR 的工具鏈生成緊湊的代碼，從而節(jié)省目標(biāo)處理器上的閃存，而在之前版本中已實(shí)現(xiàn)支持的 A
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Arm和高通打架中國芯片尋找第三道路RISC-V

圖源：東方IC芯片行業(yè)兩家重量級(jí)企業(yè)Arm和高通的法庭訴訟進(jìn)入攻防戰(zhàn)階段，而近期傳出的相關(guān)消息，更有可能對(duì)全球芯片行業(yè)的發(fā)展帶來極大的影響。高通在近期提交給法庭的一份證據(jù)中提到，Arm在與其他客戶溝通時(shí)表示，高通所獲授權(quán)在2024年到期后不再續(xù)簽，這也意味著高通將不能再提供Arm架構(gòu)的芯片。另外，所有獲得Arm授權(quán)的半導(dǎo)體制造商將無法向OEM客戶提供CPU外的其他SoC組件，包括GPU、NPU等，因?yàn)锳rm計(jì)劃將CPU許可證協(xié)議與這些組件的許可證協(xié)議打包在一起授權(quán)。這場訴訟源于高通2021年收購了芯片設(shè)計(jì)
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能效提升超20%！5年8款CPU，平頭哥玄鐵RISC-V生態(tài)實(shí)現(xiàn)大跨步

在“2019 阿里云峰會(huì)”上，阿里平頭哥正式發(fā)布了當(dāng)時(shí)業(yè)界最強(qiáng)的高性能RISC-V處理器內(nèi)核——玄鐵C910，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。實(shí)際上，早在2014年之時(shí)，平頭哥副總裁孟建熠就已經(jīng)開始關(guān)注RISC-V，2018年，平頭哥成功研發(fā)一款低功耗的RISC-V內(nèi)核玄鐵E902。此后，平頭哥持續(xù)深耕RISC-V領(lǐng)域，并迅速成為了RISC-V領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商。11月3日，在杭州舉行的“2022云棲大會(huì)”上，平頭哥發(fā)布全新的RISC-V高能效處理器——玄鐵C908。據(jù)介紹，玄鐵C908計(jì)算能效全球領(lǐng)先，較業(yè)界同性能處
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三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實(shí)際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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