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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gallium gan

Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
  • 關鍵字： Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

“四兩撥千斤”，寬禁帶技術如何顛覆性創(chuàng)新

  • 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
  • 關鍵字： GaN  寬禁帶  SiC  

Efficient Energy Technology(EET)的SolMate選用EPC氮化鎵器件

  • Efficient Energy Technology GmbH(EET)位于奧地利，是設計和生產(chǎn)創(chuàng)新、用于陽臺的小型發(fā)電廠的先驅(qū)。EET公司選用了宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的增強型氮化鎵(eGaN?)功率晶體管（EPC2204）, 用于其新型SolMate?綠色太陽能陽臺產(chǎn)品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現(xiàn)了最佳折衷，這對于要求嚴格的硬開關應用至關重要，同時在緊湊的封裝中實現(xiàn)100 V的漏-源擊穿電壓。這種緊湊型設計顯著縮小了PCB的尺寸，保持較小的電流環(huán)路和最大限度地減少EMI。
  • 關鍵字： Efficient Energy Technology  EET  SolMate  EPC  氮化鎵器件  GaN  

面向GaN功率放大器的電源解決方案

  • RF前端的高功率末級功放已被GaN功率放大器取代。柵極負壓偏置使其在設計上有別于其它技術，有時設計具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應用中是獨特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術需要柵極負電壓工作。這曾經(jīng)被視為負面的——此處“負面”和“負極”并非雙關語——但今天，有一些技術使這種柵極負壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來更多其他優(yōu)勢。我們將在下
  • 關鍵字： Qorvo  GaN  功率放大器  

日本開發(fā)新技術，可實現(xiàn)GaN垂直導電

  • 當?shù)貢r間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會社（OKI）與信越化學合作，宣布成功開發(fā)出一種技術，該技術使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術，從信越化學特殊改進的QST（Qromis襯底技術）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術實現(xiàn)了GaN的垂直導電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻。兩家公司將進一步合作開發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應用到實際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關注，尤其在1800
  • 關鍵字： GaN  垂直導電  OKI  

1250V！PI PowiGaN?提升GaN開關耐壓上限

  • 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復雜的SiC，GaN的生成工藝相對成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費級和工業(yè)級開關功率應用。當然，相比SiC在高壓領域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開關的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開關的應用填補了新的耐受電壓領域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過60個的市場應用中
  • 關鍵字： 1250V  PI  PowiGaN  GaN  

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動態(tài)(開關)導通電阻可
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  GaN  

EPC新推100 V GaN FET助力實現(xiàn)更小的電機驅(qū)動器,用于電動自行車、機器人和無人機

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅(qū)動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機驅(qū)動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅(qū)動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
  • 關鍵字： EPC  GaN FET  電機驅(qū)動器  

CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
  • 關鍵字： CGD  群光電能  GaN  生態(tài)系統(tǒng)  

巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅(qū)動、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現(xiàn)更高的功率密度。然
  • 關鍵字： 電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉(zhuǎn)換器設計  

英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
  • 關鍵字： 英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵  

英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)

  • 據(jù)英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現(xiàn)金”收購交易是使用現(xiàn)有的流動
  • 關鍵字： 英飛凌  氮化鎵系統(tǒng)  GaN Systems  

羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%

  • 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
  • 關鍵字： 202310  羅姆  GaN  

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
  • 關鍵字： 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
  • 關鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導體  
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