gan mos driver 文章 進入gan mos driver技術(shù)社區(qū)
新工廠,新起點:安世半導體駛?cè)肟燔嚨溃?/a>
- 2018年3月6日,Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產(chǎn),該工廠將重點解決產(chǎn)能問題,用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務發(fā)展規(guī)劃。 【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠】 據(jù)Nexperia首席運營官Sean Hunkler介紹,新工廠投產(chǎn)之后,Nexperia全年總產(chǎn)量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外,還提供安世半導體(中國)有限公司開發(fā)的最新封裝,包括
- 關(guān)鍵字: 安世 GaN
TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合
- 德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關(guān)鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
- 關(guān)鍵字: TI GaN
2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?
- 《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 1、給所有人的人工智能 AI for everyone 入選理由:將機器學習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播 重大意義:目前,人工智能的應用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。 主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
- 關(guān)鍵字: 機器學習 GAN
如何設計防反接保護電路?
- 如何設計防反接保護電路?-利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
- 關(guān)鍵字: mos
制造能耗變革從新一代半導體開始
- 接近62%的能源被白白浪費 美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
- 關(guān)鍵字: SiC GaN
GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術(shù)帶來重大市場機遇。 未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
- 關(guān)鍵字: GaN 5G
拯救EMI輻射超標,開關(guān)電源能做點啥?
- 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
- 關(guān)鍵字: EMI 開關(guān)電源 MOS
gan mos driver介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan mos driver!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan mos driver的理解,并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對gan mos driver的理解,并與今后在此搜索gan mos driver的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473