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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

  •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關(guān)鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

  •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學習工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
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氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

  •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應用

  •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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如何設計防反接保護電路?

  • 如何設計防反接保護電路?-利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關(guān)電源設備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設計工程師至關(guān)重要。
  • 關(guān)鍵字: MOS  電源  

制造能耗變革從新一代半導體開始

  •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
  • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
  • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
  • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字: MOS  FinFET  

2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

  •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長,是LED以及半導體器件的關(guān)鍵設備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
  • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

拯救EMI輻射超標,開關(guān)電源能做點啥?

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置,開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高,產(chǎn)生的干擾強度較大;干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器,相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲),主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾;而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線,具有更大的隨意性,這增加了PCB分布
  • 關(guān)鍵字: EMI  開關(guān)電源  MOS  

趁著第三代半導體的東風,紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
  • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導體  

GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

  • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  
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