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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

  •   在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。   據(jù)有關(guān)報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。   SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進(jìn)入市場。G
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RIGOL示波器“comparo”彰顯出Smarter System之先

  • 眾多的產(chǎn)品正向更智能方向發(fā)展,我們必須充分利用All Programmable世界所提供的各種資源,以便在競爭中占得先機。這個道理是我在一次不經(jīng)意的經(jīng)歷中所悟出的。在Dave Jones EEVblog的一個最新視頻中,將普源精電公
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三菱化學(xué)計劃擴增LED用GaN基板產(chǎn)能

  •   因照明用LED需求大增,三菱化學(xué)計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍。   目前,三菱化學(xué)利用水島事業(yè)所和筑波事業(yè)所生產(chǎn)的GaN基板,生產(chǎn)的產(chǎn)品直徑為2寸,月產(chǎn)能分別為1,000片、數(shù)百片。   而為了要達(dá)到穩(wěn)定獲利的水平,有必要將產(chǎn)品尺寸擴大至4-6寸,所以,三菱化學(xué)計劃借由調(diào)整水島事業(yè)所現(xiàn)有設(shè)備的制程,開始生產(chǎn)直徑為4寸的GaN基板,月產(chǎn)能為200-300片,并計劃憑借新設(shè)生產(chǎn)設(shè)備或增設(shè)廠房等措施,開始生產(chǎn)6寸GaN基板,將GaN基板產(chǎn)能擴增至現(xiàn)行的2-3倍
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GaN類功率元件,高耐壓成功率半導(dǎo)體主角

富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。
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功放為智能手機提供最佳效率

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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“主流GaN”的發(fā)展和未來

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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基于ESL并采用System C和System Verilog的設(shè)計流程

  •  ESL解決方案的目標(biāo)在于提供讓設(shè)計人員能夠在一種抽象層次上對芯片進(jìn)行描述和分析的工具和方法,在這種抽象層次上,設(shè)計人員可以對芯片特性進(jìn)行功能性的描述,而沒有必要求助于硬件(RTL)實現(xiàn)的具體細(xì)節(jié)。 當(dāng)今
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科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
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技術(shù)講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機源...
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硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響,一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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Hughes宣布發(fā)布HX System 4.0

  • 寬帶衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Hughes Network Systems, LLC (簡稱 Hughes)日前宣布發(fā)布具有更高性能和效率且擁有多項重要新功能的 HX System 4.0,為 HX 系列產(chǎn)品帶來了多項技術(shù)改進(jìn)??傊?,這些技術(shù)改進(jìn)進(jìn)一步鞏固了 HX System 在 IP中繼、3G/4G 蜂窩回傳、虛擬網(wǎng)絡(luò)運營商托管以及包括防御及情報、監(jiān)視和偵察解決方案在內(nèi)的用于航空、海上和陸地的移動衛(wèi)星通信 (COTM) 等專業(yè)市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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基于System Generator的目標(biāo)跟蹤的算法實現(xiàn)

  • 目標(biāo)跟蹤指的是圖像目標(biāo)跟蹤,它對圖像序列中的動目標(biāo)進(jìn)行檢測、提取、識別和跟蹤,獲得目標(biāo)的運動參數(shù)、運動軌跡,從而進(jìn)一步處理和分析,實現(xiàn)運對動目標(biāo)的行動理解,以完成更高一級的任務(wù)?,F(xiàn)在目標(biāo)的跟蹤運用于社會的各個角落,如國防、道路安檢等,所以它的前景無比巨大。
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