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gan 文章 進(jìn)入gan技術(shù)社區(qū)
新工廠，新起點(diǎn)：安世半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃?/a>
- 2018年3月6日，Nexperia(安世半導(dǎo)體)公司廣東分立器件封裝和測(cè)試新工廠正式投產(chǎn)，該工廠將重點(diǎn)解決產(chǎn)能問(wèn)題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。 【安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司廣東后道工廠】 據(jù)Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Sean Hunkler介紹，新工廠投產(chǎn)之后，Nexperia全年總產(chǎn)量將超過(guò)1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司開發(fā)的最新封裝，包括
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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合
- 德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？
- 《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 1、給所有人的人工智能 AI for everyone 入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播 重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。 主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
- 關(guān)鍵字： 機(jī)器學(xué)習(xí) GAN
氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”
- 一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 “不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用
- EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線充電及自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?！ PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電，可傳送高達(dá)300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
- 關(guān)鍵字： 宜普 GaN
制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始
- 接近62%的能源被白白浪費(fèi) 美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。 圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)
- 未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。 未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元
- 什么是MOCVD? MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
- 關(guān)鍵字： MOCVD GaN
趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒
- 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
- 關(guān)鍵字： 照明 紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)
- MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來(lái)卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無(wú)法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬(wàn)人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。 日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬(wàn)輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用
- 相較于過(guò)去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。 電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測(cè)試專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬(wàn)小時(shí)的加速測(cè)試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
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