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gan 文章 進(jìn)入gan技術(shù)社區(qū)
面向GaN功率放大器的電源解決方案
- RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢(shì)。我們將在下
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN 功率放大器
日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月13日，沖電氣工業(yè)株式會(huì)社（OKI）與信越化學(xué)合作，宣布成功開(kāi)發(fā)出一種技術(shù)，該技術(shù)使用OKI的CFB（晶體薄膜鍵合）技術(shù)，從信越化學(xué)特殊改進(jìn)的QST（Qromis襯底技術(shù)）基板上僅剝離氮化鎵（GaN）功能層，并將其粘合到不同材料的基材該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了GaN的垂直導(dǎo)電，有望為可控制大電流的垂直GaN功率器件的制造和商業(yè)化做出貢獻(xiàn)。兩家公司將進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)垂直GaN功率器件，并與制造這些器件的公司合作，讓這些器件能應(yīng)用到實(shí)際生產(chǎn)生活中。GaN功率器件因兼具高頻率與低功耗特性而備受關(guān)注，尤其在1800
- 關(guān)鍵字： GaN 垂直導(dǎo)電 OKI
1250V！PI PowiGaN?提升GaN開(kāi)關(guān)耐壓上限
- 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。相比于生成工藝復(fù)雜的SiC，GaN的生成工藝相對(duì)成熟，可以制作成尺寸小巧的芯片封裝，因此非常適合在各種消費(fèi)級(jí)和工業(yè)級(jí)開(kāi)關(guān)功率應(yīng)用。當(dāng)然，相比SiC在高壓領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，GaN在高壓的表現(xiàn)并不突出。因此，作為目前GaN市場(chǎng)占有率最高的Power Integrations（PI）創(chuàng)新地將GaN開(kāi)關(guān)的耐壓上限提升到1250V，再次為GaN開(kāi)關(guān)的應(yīng)用填補(bǔ)了新的耐受電壓領(lǐng)域。 PI的PowiGaN已經(jīng)在超過(guò)60個(gè)的市場(chǎng)應(yīng)用中
- 關(guān)鍵字： 1250V PI PowiGaN GaN
Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗(yàn)證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導(dǎo)通電阻可
- 關(guān)鍵字： Transphorm 氮化鎵 GaN
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)
- 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設(shè)計(jì)顯著提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、扭矩而同時(shí)使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達(dá)60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，包括電動(dòng)自行車、電動(dòng)滑板車、無(wú)人
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺(tái)灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國(guó)劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議，共同設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商，專注于各種應(yīng)用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺(tái)式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
- 關(guān)鍵字： CGD 群光電能 GaN 生態(tài)系統(tǒng)
巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)
- 緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對(duì)于這些離線反激式電源的設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時(shí)繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題，設(shè)計(jì)者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉(zhuǎn)化為提高電源效率和減少對(duì)散熱器的需求，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。然
- 關(guān)鍵字： 電源效率 氮化鎵 GaN 電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
- 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購(gòu)?GaN Syste
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統(tǒng)公司 GaN Systems 氮化鎵
英飛凌完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)
- 據(jù)英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將斥資8.3億美元收購(gòu)GaN Systems。這筆“全現(xiàn)金”收購(gòu)交易是使用現(xiàn)有的流動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 氮化鎵系統(tǒng) GaN Systems
羅姆GaN器件帶來(lái)顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%
- 引言如今，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為了實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達(dá)8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產(chǎn)；2023 年3月，又確
- 關(guān)鍵字： 202310 羅姆 GaN
SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效
- 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)，致力于設(shè)計(jì)和制造用于新世代電力系統(tǒng)的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開(kāi)發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項(xiàng)專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運(yùn)營(yíng)的上市公司，這意味著在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設(shè)計(jì)、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管芯片。
- 關(guān)鍵字： 202310 SuperGaN 氮化鎵 GaN Transphorm
SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動(dòng)汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本?！? ?可再生能
- 關(guān)鍵字： 202310 SiC GaN 安世半導(dǎo)體
SiC和GaN的技術(shù)應(yīng)用挑戰(zhàn)
- 1 SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅(qū)動(dòng)損耗和更高的開(kāi)關(guān)速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應(yīng)用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉(zhuǎn)換器、大功率太陽(yáng)能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應(yīng)用。SiC 進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間略長(zhǎng)，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導(dǎo)通電阻。
- 關(guān)鍵字： 202310 納芯微 SiC GaN
東芝在SiC和GaN的技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)新
- 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢(shì)雖然硅功率器件目前占據(jù)主導(dǎo)地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應(yīng)用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級(jí)應(yīng)用。最為重要的一點(diǎn)，SiC 的擊穿場(chǎng)是硅的10 倍。由于這種性質(zhì)，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開(kāi)關(guān)器件。此外，SiC 的導(dǎo)熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
- 關(guān)鍵字： 202310 東芝 SiC GaN
ST在SiC和GaN的發(fā)展簡(jiǎn)況
- ST（ 意法半導(dǎo)體） 關(guān)注電動(dòng)汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應(yīng)用領(lǐng)域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實(shí)現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強(qiáng)型HEMT 開(kāi)關(guān)管用于開(kāi)發(fā)超快速充電和高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
- 關(guān)鍵字： 202310 意法半導(dǎo)體 SiC GaN
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