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IR新型40V同步整流MOSFET優(yōu)化電信和數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用

  • 電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF7842 40V N溝道HEXFET功率MOSFET，優(yōu)化了電信系統(tǒng)中的隔離式直流-直流轉(zhuǎn)換器。IRF7842的額定電壓為40V，若用于電信及數(shù)據(jù)系統(tǒng)的副邊同步整流電路，則有助于增強系統(tǒng)的可靠性。這些系統(tǒng)的輸入電壓范圍較寬，一般在36V到75V之間，因而會在副邊產(chǎn)生5V至12V的電壓波動。由于額定30V器件不能提供所需的額定富裕電壓，所以需采用額定40V MOSFET。全新40V器件使IR針對
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IR推出業(yè)內(nèi)首個雙輸出兩相直流--直流功率模塊

  • 功率半導體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出業(yè)內(nèi)首批雙輸出兩相直流-直流功率模塊，針對同步降壓應(yīng)用，采用單一和易于使用的BGA 封裝。新器件能簡化設(shè)計、縮減尺寸和加快計算和電信電源系統(tǒng)的上市時間。如今，先進的電信、網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)器系統(tǒng)在系統(tǒng)板上的電壓通路數(shù)量多達六個。隨著信息處理需求的增加，電壓通路必須增大其電流容量。全新iPOWIR iP1201和iP1202功率模塊，可幫助計算機及電信設(shè)計員通過單一器件提供兩個獨立的電壓通路，從而簡化了電源設(shè)計。與分立器
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IR全新DSCC規(guī)格線性電壓調(diào)節(jié)器

  • 功率半導體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 推出采用高密度、密封式封裝的全新大電流、超低壓降 (ULDO) 線性電壓調(diào)節(jié)器系列，適用于軍品應(yīng)用。全新調(diào)節(jié)器具有0.43V 至 0.6V 典型壓降特性。低壓降意味著低功耗，正好符合軍用及商用飛機、地面交通工具、雷達等功率受限應(yīng)用的要求。ULDO 直流-直流調(diào)節(jié)器件具有低紋波和噪音，以及1% 的調(diào)節(jié)容差，特別適用于要求快速瞬態(tài)反應(yīng)及輸出電壓 +20V 和 +1.8V 之間的低電壓負載點數(shù)字母線應(yīng)用。先進的 PC
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IR為無感應(yīng)器電機控制推出全新集成設(shè)計平臺

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一款全新集成設(shè)計平臺，適用于永磁電機的無感應(yīng)器控制。這是IR的iMOTION專用設(shè)計平臺系列的第二批產(chǎn)品，能為高速軸徑及其他需要精確控制的機械提供電機控制。新集成設(shè)計平臺包括所有硬件和軟件，加上經(jīng)驗證的模擬及功率級設(shè)計?；旌闲盘栃酒M與控制算法合并設(shè)計，有助簡化設(shè)計、大幅降低整體制造成本，并大大縮短產(chǎn)品上市時間。IRMCS203開發(fā)系統(tǒng)融合Accelerator可配置控制引擎技術(shù)，當中采用的專有無感應(yīng)器算法只需
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IR全新PlugNDrive集成功率模塊為家電簡化電機驅(qū)動器設(shè)計

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模塊，有助簡化家用電器及輕工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)中的變速電機控制電路。新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計平臺系列，它把一個三相逆變器功率平臺、柵驅(qū)動器及輔助電路，融合于緊湊、性能強勁的絕緣式封裝內(nèi)。 目前，有越來越多家電制造商在產(chǎn)品內(nèi)裝設(shè)電子控制式變速電機，以實現(xiàn)省電節(jié)能之效，最高可節(jié)省30% 能源之多。新模塊的額定電流為10A，是特別為洗衣機、室內(nèi)空調(diào)及商用
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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IR推出全新直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首個直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組系列，重新定義用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的48V輸入、150W基板安裝功率轉(zhuǎn)換器的分布式電源架構(gòu)。IR的直流總線轉(zhuǎn)換器芯片組架構(gòu)為整體效率、功率密度和簡易性建立了全新基準，能在小于1.7平方英寸電路占位上，于20A/150Wout條件下提供96%以上的效率。與業(yè)界標準的四分一磚設(shè)計相比，該芯片組能節(jié)省53%的體積，并可將隔離式轉(zhuǎn)換器的元件數(shù)目由約50個大幅縮減至20個。全新芯片組包含一個IR20
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富
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IR公布2003財年第四季度業(yè)績

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 公布2003財年第四季度業(yè)績，季內(nèi)營業(yè)收益為2.284億美元，不包括早前公布有關(guān)遣散及重組活動的開支，模擬凈收入為1540萬美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的凈收入為1610萬美元 (或每股 0.25美元)，營業(yè)收益則為2.01億美元。計入共380萬美元的遣散及重組開支后，IR第四季度的凈收入為1320萬美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的營業(yè)收益在預定指標上端，比上季度增加超過6%，比去年同
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IR全新16A額定集成功率模塊簡化電機驅(qū)動器設(shè)計且節(jié)能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 在其PlugNDrive集成功率模塊系列中推出新成員IRAMX16UP60A，全面簡化變速電子電機控制電路。 最新16A額定IRAMX16UP60A模塊能為電子控制變速電機降低多達30%的能耗，并專為750W至1.2kW變速電機驅(qū)動應(yīng)用而設(shè)計，如室內(nèi)空調(diào)系統(tǒng)、商用冷藏柜及大容量洗衣機。 新功率模塊屬于IR iMOTION集成設(shè)計平臺系列一部分，將一個三相逆變器功率平臺、柵驅(qū)動器和輔助電路結(jié)合在小巧的高性能絕緣型封裝
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IR推出絕緣型Co-Pack封裝NPT IGBT 提高變速電機驅(qū)動器性能

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak)，絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝，采用IR先進的薄硅片工藝制造。新工藝可增強電及熱性能，有助降低傳導損耗，卻不增加開關(guān)損耗。全新IGBT是IR專為電機控制而設(shè)計的iMOTION集成設(shè)計平臺系列的一部分。新器件的工作結(jié)溫高達175°C，標準工作范圍比同類產(chǎn)品高出20%。另外，它們
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IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性有效增強零電壓開關(guān)操作

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關(guān) (ZVS) 電路等軟開關(guān)應(yīng)用度身訂造。ZVS技術(shù)能在開關(guān)式電源 (SMPS)電路中實現(xiàn)最大效率，并能提高功率輸出，適用于當今效率和可靠性極為重要的高速、寬帶電信及數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。最新L系列HEXFET MOSFET由于具備快速本體二極管特性，因此無需在ZVS電路中添置額外肖特基及高壓二極管，減少了元件數(shù)目，節(jié)省了電路空間
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IR推出性能經(jīng)改善良的電子繼電器

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新PVT412A微電子繼電器 (MER) 系列。與早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻斷條件下的負載電流性能高出兩倍，器件通態(tài)電阻低出1/4，因此更具效率且性能更加穩(wěn)定。全新MER可取代機電式繼電器，大大增加了操作壽命及可靠性，且體積更小、敏感度更高。它們不僅具有無彈跳 (無噪音) 切換功能，還能實現(xiàn)更低起動電流，以及高水平抗沖擊與振動性能，有助降低功耗。IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國
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IR為交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器推出XPhase可擴展性多相架構(gòu)

  • 功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出高度靈活和可擴展的XPhase架構(gòu)，適用于需要一個或更多相位的多相交錯降壓直流-直流轉(zhuǎn)換器。首個Xphase芯片組配備了IR3081控制集成電路及IR3086相位集成電路，可提供超出CPU電壓調(diào)節(jié)組件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解決方案，適用于服務(wù)器和高端臺式電腦內(nèi)最先進的微處理器。IR XPhase架構(gòu)有別于其它只能驅(qū)動有限相位的多相方案，它提供可擴展的多相設(shè)計，滿足先進CPU瞬息萬
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