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三星電子半導(dǎo)體部門第3季營(yíng)業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個(gè)月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營(yíng)業(yè)利益。據(jù)韓國(guó)證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營(yíng)業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。 　　三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營(yíng)業(yè)利益4.01兆韓元，其中半導(dǎo)體部門營(yíng)業(yè)利益為1.78兆韓元，通訊部門則是1.257兆韓元，占公司整體營(yíng)業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營(yíng)業(yè)利益2.15兆韓元，占整體單季營(yíng)業(yè)利益(3.773兆韓元
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  LCD  

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營(yíng)業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場(chǎng)繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 　　據(jù)業(yè)界預(yù)測(cè)，2009年第2季營(yíng)業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營(yíng)業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營(yíng)運(yùn)呈現(xiàn)虧損。 　　分析指出，海力士營(yíng)運(yùn)改
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  50納米  

南科：資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無虞

  • 　　景氣轉(zhuǎn)好，近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過，合約DRAM大廠南科150億元(新臺(tái)幣，下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過，加上6月時(shí)私募120億元，以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案，南科銀彈滿滿，轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無虞。 　　日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加，原應(yīng)在8月結(jié)案，順延到9月上旬，金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模，被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購到422億元，最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好，銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度，也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案，預(yù)計(jì)將在9月底登場(chǎng)。據(jù)銀行端消息透露，最晚第四季就
  • 關(guān)鍵字： 南科  DRAM  68納米  

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  • 　　DRAM價(jià)格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺(tái)廠面對(duì)這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會(huì)從中作梗，破壞DRAM價(jià)格漲勢(shì)，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機(jī)價(jià)格平民化的趨勢(shì)，未來內(nèi)建高容量存儲(chǔ)器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場(chǎng)前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺(tái)系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 　　2009 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)觸
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  存儲(chǔ)器  

施顏祥：處理TMC 著眼技術(shù)生根

  • 　　臺(tái)灣新任“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”施顏祥11日強(qiáng)調(diào)，成立TMC的時(shí)空環(huán)境在變，當(dāng)時(shí)規(guī)劃時(shí)全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài)，現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺(tái)灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 　　施顏祥說，現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整，他會(huì)在下周聽取工業(yè)局簡(jiǎn)報(bào)，了解TMC政策推動(dòng)進(jìn)度與細(xì)節(jié)，再?zèng)Q定未來怎么做，原則上還是會(huì)以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 　　施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟(jì)部”重?fù)?dān)，未來不僅要面對(duì)TMC政策衍生的爭(zhēng)議，還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟(jì)合作架
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  • 　　盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺(tái)廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級(jí)到40納米，以目前臺(tái)廠腳步，未來恐將會(huì)有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場(chǎng)。 　　DRAM價(jià)格雖已開始反彈，然復(fù)原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預(yù)計(jì)第3季三星和海力士?jī)纱箜n廠都可望進(jìn)入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇，美光和爾必達(dá)2
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  40納米  晶圓代工  

高盛：未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)

  • 　　Window 7將在下個(gè)月上市，觸控面板成為主打商機(jī)。不過，今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報(bào)告卻是指出未來3~6個(gè)月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認(rèn)為，今年TFT LCD的價(jià)格在9月已經(jīng)到頂，因?yàn)?0月回補(bǔ)庫存結(jié)束。而在DRAM方面，據(jù)了解，國(guó)內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁，目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 　　臺(tái)灣NB大廠宏碁，在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB，該六款NB也都搭載2G DDR3，顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴(kuò)大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
  • 關(guān)鍵字： 高盛  DRAM  觸控面板  

40nm工藝帶來全新競(jìng)爭(zhēng)力

  • 　　全球能源問題的集中爆發(fā)，讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點(diǎn)。與眾多先進(jìn)電源管理方案實(shí)現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比，制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力最直接有效的辦法。 　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示，過去數(shù)十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色，未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時(shí)，專業(yè)
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  DRAM  40nm  45nm  200909  

三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

  • 　　韓國(guó)三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。 　　報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 　　彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國(guó)網(wǎng)路媒體“E-Daily”報(bào)導(dǎo)指
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  晶圓  NAND  

上半年臺(tái)灣四大內(nèi)存廠商共虧555億新臺(tái)幣

  • 　　9月2日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，茂德昨公布今年上半年財(cái)報(bào)，稅后凈損109.78億元，僅次于力晶的稅后凈損180.61億元，四家DRAM廠上半年共虧555億元，平均每天虧損3.04億元。 　　茂德上半年?duì)I收僅35.5億元，比去年同期大幅衰退近八成，營(yíng)業(yè)毛損124.2億元，毛利率負(fù)314%，較去年同期負(fù)56.4%大幅增加，營(yíng)業(yè)虧損139.9億元，稅后凈損109.8億元，每股凈損1.51元。 　　茂德第二季營(yíng)收21.37億元，營(yíng)業(yè)毛損54.6億元，毛利率為負(fù)255%，營(yíng)業(yè)虧損61.61億元，稅后凈損23.
  • 關(guān)鍵字： 茂德  DRAM  

德州儀器有意1.725億美元收購奇夢(mèng)達(dá)

  • 　　據(jù)國(guó)外消息報(bào)道，法庭文件顯示，德州儀器計(jì)劃斥資1.725億美元收購奇夢(mèng)達(dá)旗下申請(qǐng)破產(chǎn)的美國(guó)子公司。 　　眾所周知，德州儀器是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,設(shè)計(jì)并生產(chǎn)模擬器件,數(shù)字信號(hào)處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導(dǎo)體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應(yīng)用處理半導(dǎo)體解決方案的專家，而奇夢(mèng)達(dá)是全球第四大DRAM芯片制造商，其產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC;受產(chǎn)品價(jià)格劇跌和全球融資緊縮拖累，奇夢(mèng)達(dá)于今年1月份申請(qǐng)破產(chǎn)。今年2月份，QimondaRichmond與奇夢(mèng)達(dá)旗下另一子公司一同申請(qǐng)了破產(chǎn)保護(hù)。Qimond
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TMC成立 DRAM四大陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)即將成型

  • 　　近期爾必達(dá)(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關(guān)的訊息，似乎也意味TMC正式營(yíng)運(yùn)的日子已越來越近。市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示，TMC成立后，全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入TMC/爾必達(dá)、臺(tái)塑集團(tuán)/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競(jìng)爭(zhēng)的態(tài)勢(shì)。 　　爾必達(dá)社長(zhǎng)(土反)本幸雄日前于股東會(huì)中指出，TMC對(duì)爾必達(dá)的出資比重預(yù)估將為9.5%;爾必達(dá)預(yù)計(jì)于2009年度 (2009年4月～2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺(tái)幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢(mèng)破碎，恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)廠雪上加霜。 　　旺宏是上半年臺(tái)灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 　　旺宏投資1600億新臺(tái)幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺(tái)灣當(dāng)局遞交文件，申請(qǐng)進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動(dòng)工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 　　為配合旺宏建廠計(jì)
  • 關(guān)鍵字： 旺宏  DRAM  60納米  芯片  

臺(tái)灣旺宏計(jì)劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

  • 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣旺宏計(jì)劃投資1600億新臺(tái)幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢(mèng)破碎，恐促使DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)廠雪上加霜。 　　旺宏是上半年臺(tái)灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴(kuò)廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 　　旺宏投資1600億新臺(tái)幣興建兩座12寸芯片廠的計(jì)劃，已向臺(tái)灣當(dāng)局遞交文件，申請(qǐng)進(jìn)駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計(jì)年底前動(dòng)工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 　　為配合旺宏建廠計(jì)
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  內(nèi)存芯片  

PC成長(zhǎng)力道不足 DRAM反彈不表示產(chǎn)業(yè)回春

  • 　　報(bào)告指出，分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用，NB的應(yīng)用需求有29%，加上桌上型的個(gè)人計(jì)算機(jī)，兩者合計(jì)高達(dá)53%，在未來PC成長(zhǎng)率不易大幅度成長(zhǎng)下，近期雖DRAM價(jià)格明顯反彈，仍不表示產(chǎn)業(yè)就此正式回春。 　　2008年DRAM價(jià)格由金融風(fēng)暴造成「庫存換現(xiàn)金、不計(jì)成本」現(xiàn)象，2008年第四季最低1Gb現(xiàn)貨價(jià)0.49美元，合約價(jià)0.81美元，而近期DDR2 1Gb現(xiàn)貨價(jià)已達(dá)1.52美元，合約價(jià)1.34美元，合約價(jià)已經(jīng)上漲了1.6倍之多。 　　分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用，NB的應(yīng)用需求有29%，加上桌上
  • 關(guān)鍵字： PC  DRAM  
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