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手機(jī)充電器接口啟動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，手機(jī)側(cè)將采用Micro-USB

　　近日，國(guó)際電聯(lián)ITU-T第五研究組(SG5)全會(huì)上完成了“通用移動(dòng)終端及其他ICT設(shè)備的電源適配器和充電器方案”框架標(biāo)準(zhǔn)，已經(jīng)獲得SG5全會(huì)通過(guò)，并申請(qǐng)進(jìn)入報(bào)批程序。其中主要對(duì)手機(jī)充電器，手機(jī)側(cè)接口進(jìn)行了統(tǒng)一。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，未來(lái)的手機(jī)充電器手機(jī)側(cè)接口都將使用Micro-USB接口。而“這也正是我國(guó)充電器標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化方案中參考使用的標(biāo)準(zhǔn)之一。”泰爾實(shí)驗(yàn)室相關(guān)負(fù)責(zé)人在接受記者采訪時(shí)表示，“相關(guān)國(guó)標(biāo)(充電器手機(jī)側(cè)接口標(biāo)準(zhǔn))最快將于年內(nèi)完成標(biāo)準(zhǔn)化過(guò)程。&rd
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采用0.18µm CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路

采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以
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Energy Micro推出世界最高能效微控制器

　　節(jié)能型微控制器公司Energy Micro今日宣布其第一個(gè)產(chǎn)品系列開(kāi)始供貨，推出了32位EFM32 Gecko(壁虎) 微控制器系列。以超高效的ARM® Cortex-M3微控制器架構(gòu)為基礎(chǔ)，EFM32G已被證實(shí)可將電池壽命延長(zhǎng)到原來(lái)的4倍，僅消耗現(xiàn)有的8位、16位或32位微控制器所需能量的四分之一。　　經(jīng)驗(yàn)證，由于在執(zhí)行來(lái)自Flash的實(shí)際代碼時(shí)每兆赫所耗電量低于180µA，因此EFM32G與任一微控制器相比，實(shí)現(xiàn)了其活動(dòng)模式電流消耗最低。它的待機(jī)電流消耗也是最低，在運(yùn)行實(shí)時(shí)
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采用0.18micro;m CMOS設(shè)計(jì)用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)

本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計(jì)了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM(jìn)行設(shè)計(jì)，第一級(jí)用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)16:4的復(fù)用，第二級(jí)用模擬電路實(shí)現(xiàn)4:1的復(fù)用，從而實(shí)現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)果表明，當(dāng)電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時(shí)，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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歐盟將統(tǒng)一手機(jī)充電器標(biāo)準(zhǔn)

　　新聞事件：　　歐盟宣布從2010年起統(tǒng)一Micro-USB接口標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)充電器　　事件影響：　　世界10大移動(dòng)電話制造商已自愿簽署一份備忘錄　　歐盟也將專(zhuān)門(mén)制訂一項(xiàng)支持改標(biāo)準(zhǔn)的新法規(guī) 　　據(jù)報(bào)道，歐盟委員會(huì)29日在布魯塞爾宣布，世界10大移動(dòng)電話制造商已自愿簽署一份備忘錄，計(jì)劃從2010年起向歐盟用戶提供統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)充電器。　　歐盟委員會(huì)在一份聲明中說(shuō)，按照與10大移動(dòng)電話制造商達(dá)成的協(xié)議，歐盟也將專(zhuān)門(mén)制訂一項(xiàng)新法規(guī)，規(guī)定新手機(jī)統(tǒng)一使用標(biāo)
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基于ARM的胎兒心電信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

基于ARM的胎兒心電信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),1 引言胎兒心電(FetalElectrocardiogram，F(xiàn)ECG)是反映胎兒心臟電生理活動(dòng)的一項(xiàng)客觀指標(biāo)，反映了胎兒在孕期中的生長(zhǎng)和健康狀況。對(duì)圍產(chǎn)期的胎兒心電提取及分析可以確定胎兒心率、胎兒心臟功能參數(shù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)胎兒宮
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2009年5月1日，TI 宣布收購(gòu) Luminary Micro

　　TI 宣布收購(gòu)市場(chǎng)領(lǐng)先的基于 ARM Cortex-M3 的 32 位 MCU 供應(yīng)商Luminary Micro，從而進(jìn)一步壯大了其微處理器 (MCU) 產(chǎn)品陣營(yíng)。成功收購(gòu) Luminary Micro的Stellaris® 系列Cortex-M3處理器將極大增強(qiáng) TI 提供業(yè)界最完整 MCU產(chǎn)品系列的實(shí)力。此次收購(gòu)意味著客戶從現(xiàn)在開(kāi)始即可體驗(yàn) Stellaris MCU豐富的創(chuàng)新功能，以及TI作為全球領(lǐng)先半導(dǎo)體供應(yīng)商所擁有的卓越用戶體驗(yàn)與雄厚技術(shù)實(shí)力。 &
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基于RFID 的監(jiān)管信息系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

0 引言無(wú)線射頻識(shí)別技術(shù)（Radio Frequency Identificati on，RFID）是一種非接觸式的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，它通過(guò)射頻信號(hào)自動(dòng)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象并獲取數(shù)據(jù)信息，識(shí)別無(wú)須人工干預(yù)，可工作于各種惡劣環(huán)境，并可同時(shí)識(shí)別多個(gè)目標(biāo)
關(guān)鍵字：設(shè)計(jì) 無(wú)線藍(lán)牙 µ Clinux 嵌入式操作系統(tǒng) ARM RFID

手機(jī)充電器標(biāo)準(zhǔn)天下一統(tǒng) 兩大廠商早已試水

在上周于西班牙舉行的2009年世界移動(dòng)通信博覽會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)MWC）上，GSM協(xié)會(huì)與17家移動(dòng)運(yùn)營(yíng)商和制造商共同宣布，將努力為新手機(jī)實(shí)施一項(xiàng)跨行業(yè)的通用充電器標(biāo)準(zhǔn)。　　這項(xiàng)計(jì)劃的目標(biāo)是建立統(tǒng)一的手機(jī)充電器連接格式，計(jì)劃采用的通用充電接口是Micro-USB。按照本協(xié)定的目標(biāo)，自2012年1月1日起，所有上市的新手機(jī)款式中，絕大部分都將支持通用的充電連接器，而大部分上市的充電器也將符合開(kāi)放移動(dòng)終端平臺(tái)(Open Mobile
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基于ML2035的簡(jiǎn)易正弦信號(hào)發(fā)生器(05-100)

　　正弦信號(hào)源是一種廣泛應(yīng)用的信號(hào)源,對(duì)它的要求也隨著技術(shù)的發(fā)展越來(lái)越高。傳統(tǒng)的正弦信號(hào)發(fā)生器往往在低頻輸出時(shí)的頻率的穩(wěn)定度和精度等指標(biāo)都不高。為了獲得高頻率穩(wěn)定度的信號(hào)源,往往采用鎖相環(huán)實(shí)現(xiàn),但這種方法電路復(fù)雜、體積龐大。近年來(lái),DDS技術(shù)由于具有容易產(chǎn)生頻率快速轉(zhuǎn)換、分辨率高、相位可控的信號(hào),這在電子測(cè)量、雷達(dá)系統(tǒng)、調(diào)頻通信、電子對(duì)抗等領(lǐng)域得到了十分廣泛的應(yīng)用。然而,如果選用通常的ADI公司的系列DDS芯片研制低頻正弦信號(hào)發(fā)生器,往往需要外部微處理器,因此電路較復(fù)雜,并且頻率穩(wěn)定度不佳。為此,筆者基于
關(guān)鍵字： Micro Linear 正弦信號(hào) ML2035

夷平了8位、16位、32位MCU之間的障礙 32位MCU將獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷

　　1, What are the characteristics in China MCU market?? 　　在全球的微控制器市場(chǎng)上，一項(xiàng)設(shè)計(jì)從取得成功到進(jìn)入全面生產(chǎn)階段，平均需要18～24個(gè)月。在Luminary Micro，我們對(duì)全球各個(gè)地區(qū)內(nèi)“設(shè)計(jì)成功－生產(chǎn)”這一過(guò)程的時(shí)間框架進(jìn)行了追蹤和測(cè)量，發(fā)現(xiàn)中國(guó)是世界上進(jìn)入生產(chǎn)最快的地區(qū)。我們的客戶從設(shè)計(jì)成功到進(jìn)入生產(chǎn)平均所花費(fèi)的時(shí)間少于9個(gè)月。我公司也是一家反應(yīng)敏捷、積極進(jìn)取、不斷成長(zhǎng)的公司，而我們發(fā)現(xiàn)中國(guó)的M
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引發(fā)MCU市場(chǎng)統(tǒng)一狂潮的Cortex－M3

　ARM 的Cortex－M3處理器內(nèi)核可望在微控制器（MCU）市場(chǎng)上掀起合并的狂潮，這一現(xiàn)象往往發(fā)生在大規(guī)模市場(chǎng)成熟的時(shí)候。ARM架構(gòu)在嵌入式處理器、ASIC和ASSP市場(chǎng)上已經(jīng)占據(jù)了統(tǒng)治地位，因此，它也具備了在相鄰的MCU市場(chǎng)上逐步占據(jù)主導(dǎo)地位的有利條件。事實(shí)上，隨著Luminary Micro的Stellaris系列微控制器的推出，MCU市場(chǎng)上的統(tǒng)一進(jìn)程就已經(jīng)開(kāi)始了。聰明的設(shè)計(jì)者將通過(guò)選用基于Cortex－M3的MCU，如Luminary Micro公司的Stellaris系列，來(lái)充分利用這一不可避
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Luminary Micro推出34款新型Stellaris MCU

基于ARMCortex-M3的Stellaris系列微控制器開(kāi)發(fā)商LuminaryMicro日前推出了34款新型Stellaris微控制器(MCU)，將創(chuàng)新型網(wǎng)絡(luò)和更大的控制能力帶給了運(yùn)動(dòng)控制、防火與安全、遙感、HVAC(供暖、通風(fēng)及空調(diào))與建筑控制、電力及能源監(jiān)測(cè)和轉(zhuǎn)化、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備與交換機(jī)、工廠自動(dòng)化、電子銷(xiāo)售終端機(jī)、檢測(cè)和測(cè)量設(shè)備、醫(yī)療器械以及博彩設(shè)備的實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域。此次推出的產(chǎn)品包括StellarisLM3S1000高引腳數(shù)實(shí)時(shí)微控制器系列中的20款產(chǎn)品、StellarisLM3S8000Ether
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基于NiosII的SOPC中EEPROM Controller Core的設(shè)計(jì)

摘要：介紹了如何在基于NiosII的SOPC中設(shè)計(jì)EEPROM的Controller Core，用Verilog HDL實(shí)現(xiàn)其硬件部分，編寫(xiě)了相關(guān)驅(qū)動(dòng)程序和應(yīng)用層軟件，構(gòu)建了基于NiosII的SOPC。并以AT24C02為例，在Altera的Stratix1S10的FPGA上實(shí)現(xiàn)了通過(guò)EEPROM Controller對(duì)其進(jìn)行讀寫(xiě)，試驗(yàn)結(jié)果正確。關(guān)鍵詞：NiosII; SOPC; EEPROM Controller&nbs
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常憶科技推出新的0.25µm嵌入式OTP

常憶科技推出新的0.25µm嵌入式OTP，可與標(biāo)準(zhǔn)邏輯製程相容該微處理器解決方案之低功率表現(xiàn)與業(yè)界最佳的耐久性，均已通過(guò)聯(lián)電驗(yàn)證專(zhuān)業(yè)電子零組件代理商益登科技(TSE:3048)所代理的擁有非揮發(fā)性記憶體產(chǎn)品及專(zhuān)利領(lǐng)導(dǎo)地位的常憶科技(Chingis Technology Corp.)，於2007年一月正式宣佈0.25µm 一次性寫(xiě)入式記憶體 (OTP) 通過(guò)全球半導(dǎo)體晶圓專(zhuān)工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)電之認(rèn)證。此項(xiàng)認(rèn)證為常憶科技pFusion非揮發(fā)
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