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發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

  • 發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進行入門學(xué)習(xí)時經(jīng)常會選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
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同步整流器與開關(guān)MOS在功率電源的耗散

  • 在大功率電源當中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
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Mini LED需求強勁 三星加碼三安光電Mini LED產(chǎn)能

  • 　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子幾乎訂購了中國LED外延片和芯片制造商三安光電位于廈門的Mini LED產(chǎn)能，以確保其將在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶電視背光芯片供應(yīng)。 　　消息人士稱，三星已經(jīng)為此次芯片供應(yīng)預(yù)付了1683萬美元。 　　中國LED芯片制造商華燦光電和廈門乾照光電也已開始了MicroLED和Mini LED技術(shù)的研發(fā)，而中國的LED封裝服務(wù)提供商佛山國星光電則于2018年3月初設(shè)立了MicroLED和Mini LED研究中心，以便在2020年能夠封裝0.5-1.0mm的Mini
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大尺寸TV等領(lǐng)域 Mini LED或有機會與OLED競爭

  • 　　根據(jù)TrendForce光電研究最新“新型顯示技術(shù)成本”報告，由于Mini LED作為LCD背光的架構(gòu)與現(xiàn)行LCD顯示器的LED背光架構(gòu)相仿，在設(shè)計上并無太大改變，因此也被廠商寄予厚望，希望其可成為Micro LED量產(chǎn)前的過渡產(chǎn)品。但不論是手機或電視等消費性電子產(chǎn)品，Mini LED勢必將直接面對來自O(shè)LED的競爭，短期而言，大尺寸電視及高階IT產(chǎn)品是Mini LED有機會與OLED一較高下的應(yīng)用領(lǐng)域。 　　以電視來看，WitsView指出，由于OLED的印刷上色技術(shù)尚未成
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研華發(fā)布支持寬溫工作的超薄Mini-ITX主板AIMB-217

  • 　　全球智能系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)廠商研華科技今天發(fā)布新型工業(yè)級無風(fēng)扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。該產(chǎn)品搭載最新Intel? Pentium?、Celeron?和Atom? N4200/N3350/x7-E3950處理器(ATOM第六代Apollo Lake)，相較于上一代產(chǎn)品而言CPU性能和顯示性能分別實現(xiàn)了30%和45%的顯著提升。同時，AIMB-217還捆綁研華專屬WISE-PaaS/RMM軟件套件，可實現(xiàn)遠程設(shè)備管理。 AIMB-217的顯示性能已提升
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如何設(shè)計防反接保護電路？

  • 如何設(shè)計防反接保護電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計工程師至關(guān)重要。
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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拯救EMI輻射超標，開關(guān)電源能做點啥？

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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為IC設(shè)計減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
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DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設(shè)計當中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計在開關(guān)電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)

  • 　　在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。 　　下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司

  • 　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 　　標準產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。 　　出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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【E問E答】MOS管為什么會被靜電擊穿？

  • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。　　靜電放電形成
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一種簡單的防短路的保護方法

  • 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件?！　‰m然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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