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海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈
- 韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益,破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預(yù)測,2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士,2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈,落在2,000億韓元左右,接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模,而在2007年第3季以后,三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。 分析指出,海力士營運改
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南科:資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進度無虞
- 景氣轉(zhuǎn)好,近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過,合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣,下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過,加上6月時私募120億元,以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案,南科銀彈滿滿,轉(zhuǎn)進50奈米制程進度已經(jīng)無虞。 日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加,原應(yīng)在8月結(jié)案,順延到9月上旬,金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模,被聯(lián)貸銀行團超額認購到422億元,最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好,銀行團原本緊縮的態(tài)度,也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案,預(yù)計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露,最晚第四季就
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存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
- DRAM價格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺廠面對這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗,破壞DRAM價格漲勢,然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機價格平民化的趨勢,未來內(nèi)建高容量存儲器普及,都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。 2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND 存儲器
施顏祥:處理TMC 著眼技術(shù)生根
- 臺灣新任“經(jīng)濟部長”施顏祥11日強調(diào),成立TMC的時空環(huán)境在變,當(dāng)時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài),現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。 施顏祥說,現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整,他會在下周聽取工業(yè)局簡報,了解TMC政策推動進度與細節(jié),再決定未來怎么做,原則上還是會以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。 施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟部”重擔(dān),未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議,還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟合作架
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全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢
- 盡管近期DRAM價格大幅反彈,但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢,2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈,至于臺廠方面,由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米,以目前臺廠腳步,未來恐將會有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。 DRAM價格雖已開始反彈,然復(fù)原最快廠商仍是三星,第2季已開始賺錢,預(yù)計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利,隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇,美光和爾必達2
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高盛:未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)
- Window 7將在下個月上市,觸控面板成為主打商機。不過,今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認為,今年TFT LCD的價格在9月已經(jīng)到頂,因為10月回補庫存結(jié)束。而在DRAM方面,據(jù)了解,國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁,目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。 臺灣NB大廠宏碁,在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB,該六款NB也都搭載2G DDR3,顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
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40nm工藝帶來全新競爭力
- 全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。 市場研究機構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時,專業(yè)
- 關(guān)鍵字: 臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓
- 韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。 報導(dǎo)指出,三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM,加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn),故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后,三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。 彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導(dǎo)指
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德州儀器有意1.725億美元收購奇夢達
- 據(jù)國外消息報道,法庭文件顯示,德州儀器計劃斥資1.725億美元收購奇夢達旗下申請破產(chǎn)的美國子公司。 眾所周知,德州儀器是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,設(shè)計并生產(chǎn)模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導(dǎo)體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應(yīng)用處理半導(dǎo)體解決方案的專家,而奇夢達是全球第四大DRAM芯片制造商,其產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC;受產(chǎn)品價格劇跌和全球融資緊縮拖累,奇夢達于今年1月份申請破產(chǎn)。今年2月份,QimondaRichmond與奇夢達旗下另一子公司一同申請了破產(chǎn)保護。Qimond
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TMC成立 DRAM四大陣營競爭態(tài)勢即將成型
- 近期爾必達(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關(guān)的訊息,似乎也意味TMC正式營運的日子已越來越近。市調(diào)機構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示,TMC成立后,全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進入TMC/爾必達、臺塑集團/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。 爾必達社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出,TMC對爾必達的出資比重預(yù)估將為9.5%;爾必達預(yù)計于2009年度 (2009年4月~2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
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旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道,臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠,此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎,恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠,積極擴廠后,更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃,已向臺灣當(dāng)局遞交文件,申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工,2011年初投產(chǎn),兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片,并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計
- 關(guān)鍵字: 旺宏 DRAM 60納米 芯片
臺灣旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道,臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠,此舉將導(dǎo)致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎,恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。 旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠,積極擴廠后,更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。 旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃,已向臺灣當(dāng)局遞交文件,申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預(yù)計年底前動工,2011年初投產(chǎn),兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片,并導(dǎo)入60納米以下最新技術(shù)。 為配合旺宏建廠計
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 內(nèi)存芯片
PC成長力道不足 DRAM反彈不表示產(chǎn)業(yè)回春
- 報告指出,分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用,NB的應(yīng)用需求有29%,加上桌上型的個人計算機,兩者合計高達53%,在未來PC成長率不易大幅度成長下,近期雖DRAM價格明顯反彈,仍不表示產(chǎn)業(yè)就此正式回春。 2008年DRAM價格由金融風(fēng)暴造成「庫存換現(xiàn)金、不計成本」現(xiàn)象,2008年第四季最低1Gb現(xiàn)貨價0.49美元,合約價0.81美元,而近期DDR2 1Gb現(xiàn)貨價已達1.52美元,合約價1.34美元,合約價已經(jīng)上漲了1.6倍之多。 分析2009年DRAM產(chǎn)品應(yīng)用,NB的應(yīng)用需求有29%,加上桌上
- 關(guān)鍵字: PC DRAM
評論:DRAM產(chǎn)業(yè)再造 應(yīng)著重外部效益
- 為解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)所面臨的困境,政府提出產(chǎn)業(yè)再造方案,希望能夠藉此進行產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整,擺脫以往脆弱的營運模式,提升產(chǎn)業(yè)未來的國際競爭力。惟近來半導(dǎo)體需求逐漸回溫,DRAM市場價格也漸有起色,遂有政府應(yīng)見好就收、趕緊退場的意見浮出,究竟廠商是否可藉此價格回升的機會渡過難關(guān)?政府是否應(yīng)該急流勇退?值得進一步探討。 基本上DRAM市場價格主要還是由供需的狀況來決定。根據(jù)調(diào)查,目前DRAM整體總產(chǎn)能仍然過剩,市場需求的提升,能否導(dǎo)致價格回穩(wěn),須視主要DRAM大廠產(chǎn)能開出的情況而定。若大廠維持目前產(chǎn)能利
- 關(guān)鍵字: Qimonda DRAM
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