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Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續(xù)航運(yùn)行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機(jī)、智能手表、助聽器和耳機(jī)等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負(fù)載開關(guān)
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單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。引言隨著技術(shù)的進(jìn)步，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
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Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

  • 電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。  WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開關(guān)的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究

  • 米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認(rèn)為是碳化硅MOSFET的弱點(diǎn)。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負(fù)柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計(jì)人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。為此，本文介紹了
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具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC MOSFET M1H

  • 過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。引言過去幾年，實(shí)際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的漂移現(xiàn)象，并提出了工作柵極電壓區(qū)域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內(nèi)的漂移。[1]。經(jīng)過不斷研究和持續(xù)優(yōu)化，現(xiàn)在，全新推出的CoolSiC? MO
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討

  • 隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計(jì)的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計(jì)參考，并期待與您進(jìn)一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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東芝推出五款新型MOSFET柵極驅(qū)動IC，助力移動電子設(shè)備小型化

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品配備了過電壓鎖定功能，能根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC

  • 導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設(shè)計(jì)，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機(jī)線包發(fā)熱和電機(jī)軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

  • _____開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計(jì)時直接測量在運(yùn)行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  功率  MOSFET  耐用性  

常見MOSFET失效模式的分析與解決方法

  • 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達(dá)到這個目標(biāo)，需要提高開關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當(dāng)今的開關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(guān)(ZVS) 或零電流開關(guān)(ZCS) 拓?fù)湓试S采用高頻開關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開關(guān)損耗。ZVS拓?fù)湓试S工作在高頻開 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應(yīng)用的尺寸，還能夠降 低功率開關(guān)的應(yīng)力，因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓?fù)洹＿@種拓?fù)涞玫搅藦V泛的應(yīng)用，包括高端服務(wù)
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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

  • 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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瑞能半導(dǎo)體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現(xiàn)最佳效率

  • 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，瑞能半導(dǎo)體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復(fù)二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應(yīng)用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計(jì)并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
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