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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

  • 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據(jù)Yole數(shù)據(jù)，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據(jù)了90%的市場份額。國產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日，據(jù)業(yè)內人士透露，國產(chǎn)碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車OBC應用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
  • 關鍵字： MOSFET  

安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌

  • 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻的企業(yè)和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
  • 關鍵字： MOSFET  

2021基本創(chuàng)新日盛大開啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

  • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標推動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在開啟發(fā)展加速度，有望成為綠色經(jīng)濟的中流砥柱，引領新一輪產(chǎn)業(yè)革命?！皠?chuàng)新為基，創(chuàng)芯為本”，11月27日，2021基本創(chuàng)新日活動在深圳盛大啟幕。基本半導體總經(jīng)理和巍巍博士在會上發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，至此基本半導體產(chǎn)品布局進一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展，受到了現(xiàn)場來自汽車、工業(yè)、消費等領域以及第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內人士的高度關注。汽車級全碳化硅功
  • 關鍵字： 第三代半導體  碳化硅  MOSFET  

東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實現(xiàn)設計小型
  • 關鍵字： MOSFET  

非常見問題第191期：負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題

  • 問題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢，但實現(xiàn)POL轉換需要特別注意穩(wěn)壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態(tài)響應的最佳方法之一。負載點轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導致需要更快的數(shù)
  • 關鍵字： MOSFET  

多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)

  • 多通道電流傳感器自動測試系統(tǒng)可以根據(jù)測試需求，實現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時間、零點偏置、零點漂移、線性度等參數(shù)的自動測試。其中精密恒流源輸出可至200 A，準確度優(yōu)于0.01%，多臺并聯(lián)可達到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準確度的測試需求，同時可配合準確度高達10-6的標準電流傳感器解決更高準確度的測試需求。
  • 關鍵字： 電流傳感器  自動測試  精密恒流源  比例誤差  202111  MOSFET  

Diodes Incorporated 目標電動汽車產(chǎn)品應用推出高電流 TOLL MOSFETs

  • Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應用的最佳選擇，像是能量熱回
  • 關鍵字： MOSFET  

意法半導體端口保護IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

  • 意法半導體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護 IC為雙角色輸電(DRP)應用量身定制，針對能給相連設備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡化其設計。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設計者以經(jīng)濟劃算的方式進行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
  • 關鍵字： MOSFET  STM32  

SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產(chǎn)業(yè)

  • 功率器件作為半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
  • 關鍵字： MOSFET  

提高遲滯，實現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過壓閉鎖

  • 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現(xiàn)過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統(tǒng)故障。例如，當電源電壓低于規(guī)格要求時，數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
  • 關鍵字： MOSFET  

基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板，讓設計師實現(xiàn)用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉換器

  • EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器，可提供2 kW的功率和實現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板，可在非常小的占板面積上實現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯(lián)兩個轉換器可以實現(xiàn)4 kW的功率，或者并聯(lián)三個轉換器以實現(xiàn)6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
  • 關鍵字： MOSFET  

添加靈活的限流功能

  • 問題：我可以根據(jù)負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩(wěn)壓器來滿足此要求時，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見?？烧{限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調限流功能的精度通常不是很高。以
  • 關鍵字： MOSFET  

使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關效率和可靠性

  • 在越來越多的應用中，對導通和關斷AC輸入電源的器件的性能進行優(yōu)化是一個重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開關和插頭、調光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關免受高瞬態(tài)電流的影響。當AC電源異步導通時，浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
  • 關鍵字： MOSFET  

在單個封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

  • 源設計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱，并帶來后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真，則會引起電流諧波，從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
  • 關鍵字： MOSFET  

利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

  • 目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
  • 關鍵字： MOSFET  
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