先看一下這個電路：USB外接電源與鋰電池自動切換電路設計如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設計？這個電路巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實現了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產生的壓降差不多為數十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
關鍵字：
電源 MOS管 電路設計
曾經的我呢還一個單純的小攻城獅，當自己設計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環(huán)境實驗后，我就可以開開心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶會把你的產品用在什么地方（客戶你們考慮過產品的感受嗎）。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時了（是不是很方便，我也這么想的）。問題就是出現這這個電路上，我們做環(huán)境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶那里工作一小會就掛了，啥也木的了，經過本人的現場排查（踩點
關鍵字：
開關電路 MOS管
一、開關和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關和放大器。1. 開關電路G極作為普通開關控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區(qū)，具體仿真結果可在上節(jié)文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關注公眾號：硬件筆記本）MOS管導通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
關鍵字：
MOS管 電路設計
MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導通損耗Pon導通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導通電阻 RDS(on) 上產生之壓降造成的損耗。導通損耗計算：先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
關鍵字：
MOS管 電路設計
三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
關鍵字：
三極管 MOS管 電路設計
三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
關鍵字：
MOS管 開關電路設計 三極管
Warning: getimagesize(): SSL: connection timeout in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2070
Warning: getimagesize(): Failed to enable crypto in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/control
關鍵字：
MOS管 電路設計
今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統(tǒng)/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統(tǒng)（如ESP8266）通信呢？這個時候就需要用到邏輯電平轉換器，這里還將介紹 MOS管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
關鍵字：
MOS管 邏輯電平轉換器 電路設計
BMS確保電池高效安全運行，MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關，選擇時需注意熱設計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產品20余年，適用于高性能BMS場景。BMS（電池管理系統(tǒng)）負責監(jiān)控、控制和保護電池，以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電，過放電，充放電過流等作用。在充電狀態(tài)時，當電池充電后過壓時，充電控制端會由高電平轉為低電平，從而使MOS管Q1關斷，充電回路被切斷，進入過電壓保護。當電池通過負載放電，電池電壓低于設定值時，放電控制端由高電平轉
關鍵字：
MOS管 BMS
MOS管在LED非隔離電源中調節(jié)亮度和電流，確保LED穩(wěn)定工作并延長壽命。它作為開關元件、電流驅動器和保護器，提高電源穩(wěn)定性和安全性。選型時需注意額定電壓、電流、導通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導體的MOS管產品，具有穩(wěn)定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場景。MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）被廣泛應用于LED中，主要用于調節(jié)LED的亮度和電流，實現對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應用方案中，MOS管（絕緣柵場效應管）扮演著關鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩(wěn)定性和安全性。LED非隔離設計
關鍵字：
MOS管 LED 非隔離器
LED汽車燈采用LED技術，提供外部照明和舒適光源。設計中需解決熱極限、EMC等挑戰(zhàn)。有源紋波補償Buck電路是關鍵，可提升LED驅動電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開關損耗，提高電源效率。選型時考慮功率、電壓、電流承受、開關速度、熱特性和封裝類型。微碧半導體的MOSFET產品具有卓越性能和可靠性，為汽車LED驅動提供解決方案。摘要由作者通過智能技術生成有用MOS管在汽車LED 中的應用方案LED汽車燈已成為車輛照明領域的一大亮點，其采用LED技術，既能提供外部照明，又能為車內帶來舒適的光
關鍵字：
MOS管 汽車LED
例：FDH45N50F如下參數：有人可能會這樣計算：開通電流帶入數據得關斷電流帶入數據得于是乎得出這樣的結論，驅動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個條件細節(jié)，RG=25Ω。所以這個指標沒有什么意義。應該怎么計算才對呢？其實應該是這樣的，根據產品的開關速度來決定開關電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的
關鍵字：
MOS管 電路設計
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。▉ 場效應管分類場效應管分為結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
關鍵字：
MOS管 無源器件 模擬電路
相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個極怎么判定？MOS管符號上的三個腳，辨認要抓住關鍵地方 ：G極，不用說比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的
關鍵字：
MOS管 電路設計 模擬電路
如何從MOS管的驅動波形來判斷驅動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅動波形?；A知識一般認為三極管是電流驅動型，所以驅動三極管，要在基極提供一定的電流。一般認為MOS管是電壓驅動型，所以驅動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅動變得不那么簡單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅動波形描述：MOS一般是慢開快關，上升沿相
關鍵字：
MOS管 電路設計
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473