pfm-pwm 文章進(jìn)入pfm-pwm技術(shù)社區(qū)

氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用

引言在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計(jì)工程師可以考慮的選項(xiàng)之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時(shí)，也帶來(lái)了電路設(shè)計(jì)層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
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超低功耗傳感器方案如何賦能智能樓宇

當(dāng)今，物聯(lián)網(wǎng)（loT）的基礎(chǔ)設(shè)施已經(jīng)非常完善，其適用范圍已經(jīng)不局限于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心，廣泛使用在我們的家居、辦公和工廠。處于物聯(lián)網(wǎng)最外圍的是傳感器，它會(huì)將數(shù)據(jù)采集起來(lái)并中繼回云服務(wù)或者在本地進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。傳感器是樓宇智能不可缺少的一環(huán)，它可以在無(wú)人控制的情況下監(jiān)測(cè)控制環(huán)境，帶來(lái)非凡的便利性和經(jīng)濟(jì)性，這樣當(dāng)最后一個(gè)人離開(kāi)房間時(shí)，智能的樓宇也不會(huì)忘記關(guān)燈。傳感器的原型是一種相對(duì)簡(jiǎn)單的控制系統(tǒng)，比如通過(guò)占用檢測(cè)和溫度測(cè)量來(lái)控制供暖和照明，如今該技術(shù)已發(fā)展成熟。對(duì)于用戶而言，樓宇變得愈加智能，背后其實(shí)是其系統(tǒng)智能
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采用升壓功率因數(shù)校正(PFC)前級(jí)及隔離反激拓?fù)浜蠹?jí)的90W可調(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

(?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員 —— 適合智能照明應(yīng)用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術(shù)，在該公司今天同時(shí)發(fā)布的新設(shè)計(jì)范例報(bào)告 (?DER-920?) 中，展現(xiàn)了
關(guān)鍵字： GaN IC PWM

新基建所需的電力電源方案特點(diǎn)

我國(guó)正在大力興起新基建，帶來(lái)了5G、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、特高壓等對(duì)新一代電源產(chǎn)品的需求。為此，本刊邀請(qǐng)了部分業(yè)內(nèi)領(lǐng)軍企業(yè)，介紹了相關(guān)的市場(chǎng)機(jī)會(huì)與技術(shù)趨勢(shì)。
關(guān)鍵字： PWM WBG CARG EV 202009

模塊化參考設(shè)計(jì)幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊縮短上市時(shí)間、節(jié)省BOM成本及資源

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動(dòng)車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動(dòng)滑板車、電動(dòng)自行車、混合動(dòng)力汽車、UPS和儲(chǔ)能系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。該參考設(shè)計(jì)在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機(jī)、手推車、機(jī)器人清潔器、電動(dòng)工具、移動(dòng)電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強(qiáng)健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動(dòng)器以及用于電機(jī)控制的RX23T 32位
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BLDC MCU

儲(chǔ)能系統(tǒng)助推電動(dòng)汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

電動(dòng)汽車(EV)將獲得越來(lái)越多的市場(chǎng)份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽(yáng)能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動(dòng)力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動(dòng)汽車充滿電，他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
關(guān)鍵字： MOSFET PWM BMS

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

使用PWM技術(shù)構(gòu)建高性能流量變送器

傳感器在測(cè)量工廠環(huán)境的過(guò)程中，會(huì)通過(guò)可編程邏輯控制器（PLC）控制整個(gè)系統(tǒng)的狀況。典型的測(cè)量包括溫度、壓力、流量和液位。在使用流量變送器設(shè)計(jì)時(shí)可以采取不同技術(shù)，但在此我們來(lái)先了解一下PWM技術(shù)。以下討論的PWM技術(shù)是否可以用于實(shí)現(xiàn)諸如穩(wěn)定時(shí)間迅速且能耗低的功能？環(huán)路供電、4至20 mA輸出現(xiàn)場(chǎng)變送器實(shí)際上是過(guò)程自動(dòng)化的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。出于各類原因，現(xiàn)場(chǎng)變送器使用PWM轉(zhuǎn)4至20mA電路，包括：●? ?簡(jiǎn)易性●? ?穩(wěn)健性●? ?成本優(yōu)化隨著新的應(yīng)用要求
關(guān)鍵字： OLC PWM

兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E5系列MCU，以Cortex-33內(nèi)核開(kāi)啟高性能計(jì)算新里程

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 近日正式發(fā)布基于全新Arm??Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺(tái)積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建，具備業(yè)界領(lǐng)先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟(jì)的開(kāi)發(fā)成本，進(jìn)一步推動(dòng)嵌入式開(kāi)發(fā)向高精度工業(yè)控制領(lǐng)域擴(kuò)展，解決數(shù)字電源、電機(jī)變頻、測(cè)量?jī)x器、混合信號(hào)處理、高端消費(fèi)類應(yīng)用等多種功能集成和工作負(fù)載需求。GD32E5產(chǎn)品組合提供了3個(gè)通用系列和1個(gè)專用系列，4種封裝類型23個(gè)型號(hào)選擇，目前已經(jīng)
關(guān)鍵字： AUP FPU PWM ADC DSP TMU

低漂移、高精度、直插式隔離磁性電機(jī)電流測(cè)量

隨著提升系統(tǒng)效率的需求不斷增長(zhǎng),我們面臨著改善電機(jī)工作效率和控制功能的直接壓力。幾乎所有類型的電機(jī)均面臨著這種需求壓力,包括以下領(lǐng)域中使用的電機(jī):?●? ?白色家電●? ?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器●? ?自動(dòng)化●? ?汽車應(yīng)用在工作電壓較高且具有較高功率的系統(tǒng)中尤其如此。對(duì)于確保電機(jī)以峰值效率和性能運(yùn)行而言,反饋到控制算法中的電機(jī)運(yùn)行特性至關(guān)重要。相電流是系統(tǒng)控制器使用的這些重要診斷反饋要素(用于實(shí)現(xiàn)最佳的電機(jī)性能)之一。
關(guān)鍵字： PWM IC

STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量，其強(qiáng)度足以使信號(hào)失真。因此，設(shè)計(jì)高性能數(shù)據(jù)采集應(yīng)用或任何具有特別敏感信號(hào)路徑的系統(tǒng)時(shí)，必須克服噪聲問(wèn)題。在電源方面，由于其基本的工作原理，高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會(huì)在轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波，也會(huì)產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級(jí)中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過(guò)濾無(wú)源元件，諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器，或在電源路徑中包含線性電源，如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應(yīng)用中都能很好地發(fā)揮作用，
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瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動(dòng)器的新一代引腳兼容升級(jí)產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡(jiǎn)化電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽(yáng)能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅(jiān)固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)器供電。HIP221x驅(qū)動(dòng)器專為嚴(yán)苛工作條件下的
關(guān)鍵字： MOSFET UPS PWM

意法半導(dǎo)體推出STM32數(shù)字電源生態(tài)系統(tǒng)，加快先進(jìn)高效電源解決方案開(kāi)發(fā)過(guò)程

●? ?D-Power生態(tài)系統(tǒng)匯總了使用STM32微控制器開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的數(shù)字電源所需的資源●? ?STM32 D-Power網(wǎng)站整合嵌入式軟件、開(kāi)發(fā)套件、演示板、工具，文檔和培訓(xùn)●? ?ST授權(quán)合作伙伴和數(shù)字電源專家Biricha Digital舉辦的開(kāi)發(fā)實(shí)踐研討會(huì)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)，近日推出了基于網(wǎng)站的數(shù)字電源開(kāi)發(fā)生態(tài)系統(tǒng)，幫助設(shè)計(jì)人員用STM32微控制器（MCU
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超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿載工作時(shí)，PWM開(kāi)關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開(kāi)關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
關(guān)鍵字： EMI PWM MOS

高功率密度、快速響應(yīng)費(fèi)控開(kāi)關(guān)電源控制芯片 — SCM1725A

“十三五”期間，我國(guó)將加快推進(jìn)智能電網(wǎng)的建設(shè)，國(guó)家電網(wǎng)在此期間將會(huì)實(shí)現(xiàn)智能電表全覆蓋（90%）。為響應(yīng)國(guó)家政策，滿足更多客戶的需求，金升陽(yáng)推出功率密度高、響應(yīng)快速且性價(jià)比高的費(fèi)控開(kāi)關(guān)電源控制芯片——SCM1725A。一、芯片介紹SCM1725A芯片是一款高性能電流模式PWM的控制芯片，該芯片內(nèi)部集成漏極最低耐壓達(dá)650V的2A功率管，高壓?jiǎn)?dòng)引腳通過(guò)直接連接電源母線電壓，實(shí)現(xiàn)VDD旁路電容的快速充電，同時(shí)，在該款芯片啟動(dòng)短路保護(hù)后，VDD電容電壓下降到VDD欠壓點(diǎn)，高壓快速啟動(dòng)電路重新啟動(dòng)為VDD旁路電容
關(guān)鍵字： PWM 芯片 VDD