首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> power-soi

Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國(guó)創(chuàng)新藍(lán)圖

  • 　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)及
  • 關(guān)鍵字： Soitec  FD-SOI  

中晟宏芯股權(quán)頻頻變更 國(guó)產(chǎn)POWER何時(shí)才能抗衡x86/ARM？

  • 　　近日，成立剛滿兩年，被寄予厚望的國(guó)產(chǎn)CPU新秀——蘇州中晟宏芯因?yàn)?ldquo;欠薪”卷入輿論漩渦。兩年前，在工信部電子司和蘇州政府的扶持下，中晟宏芯獲得IBM的核心技術(shù)——POWER CPU授權(quán)，并且得到了IBM、中科院計(jì)算所提供的技術(shù)支持。按照計(jì)劃，中晟宏芯可以在2019年完全實(shí)現(xiàn)POWER芯片的消化吸收再創(chuàng)新，并制成完全國(guó)產(chǎn)化的POWER系列CPU。 　　然而，這家肩負(fù)使命的企業(yè)，卻在新春復(fù)工之時(shí)被員工集體討薪，數(shù)十名員工甚至在公司門(mén)
  • 關(guān)鍵字： POWER  ARM  

中晟宏芯股權(quán)動(dòng)蕩 誰(shuí)能主導(dǎo)國(guó)產(chǎn)POWER？

  • 本來(lái)已經(jīng)有了一些苗頭的POWER，最終竟然倒在了欠薪上，當(dāng)然這只是個(gè)導(dǎo)火索整個(gè)集團(tuán)權(quán)利動(dòng)蕩，哪有心思管員工的死活。
  • 關(guān)鍵字： IBM  POWER  

Power Integrations推出全新的LYTSwitch-3 LED驅(qū)動(dòng)器IC，廣泛支持各種可控硅調(diào)光器

  • 　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出LYTSwitch-3產(chǎn)品系列 — 該公司LYTSwitch系列LED驅(qū)動(dòng)器IC的最新成員。LYTSwitch-3非常適合于最大輸出功率達(dá)20 W的燈泡、燈管和筒燈應(yīng)用，無(wú)論使用前沿還是后沿可控硅調(diào)光器均可提供出色的調(diào)光性能，并且支持隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?！　?nbsp;   　　Smart News Releases(智能新
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  LYTSwitch-3  

意法半導(dǎo)體(ST)展示最新的智能駕駛解決方案

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日展示了最新的智能駕駛解決方案。隨著半導(dǎo)體在先進(jìn)汽車(chē)技術(shù)中的作用日益重要，意法半導(dǎo)體不斷地開(kāi)發(fā)出最先進(jìn)的智能駕駛技術(shù)，包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、設(shè)備互聯(lián)通信接口和先進(jìn)的安全/環(huán)保性能。 　　在先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)方面，意法半導(dǎo)體展示了一款與以色列公司Autotalks合作開(kāi)發(fā)的車(chē)聯(lián)網(wǎng) (V2X) 通信芯片組。該芯片組整合基帶處理器、主微控制器(MCU)、安全微控制器和V2X通信技術(shù)，利用GP
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  Power  

e絡(luò)盟進(jìn)一步擴(kuò)大Pro-Power電纜產(chǎn)品范圍為工業(yè)及戶外應(yīng)用提供整卷及定長(zhǎng)裁剪方案

  • 　　e絡(luò)盟日前宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其電纜電線與電纜配件的產(chǎn)品范圍，以Pro-Power為代表，用于設(shè)計(jì)、教育、制造、維修及維護(hù)。超過(guò)5300種的最新并且完整的產(chǎn)品系列包括：設(shè)備線纜、數(shù)據(jù)傳輸電纜、工業(yè)及自動(dòng)化電纜、同軸電纜和電纜配件，用戶可訪問(wèn)http://cn.element14.com/pro-power 查看并選擇整卷或定長(zhǎng)裁剪的相關(guān)產(chǎn)品。　　Pro-Power 三級(jí)(Tri Rated)電纜用途廣泛、易彎曲，其設(shè)計(jì)適用于電氣柜、開(kāi)關(guān)控制、繼電器、儀表板以及小型電氣設(shè)備的接線
  • 關(guān)鍵字： e絡(luò)盟  Pro-Power  

三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋(píng)果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買(mǎi)下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會(huì)影響與蘋(píng)果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋(píng)果買(mǎi)下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規(guī)模相對(duì)小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋(píng)果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 　　蘋(píng)果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
  • 關(guān)鍵字： 三星  FD-SOI  

手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  FD-SOI  

IBM Power服務(wù)器起死回生 英特爾可能腹背受敵

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，去年拋棄x86服務(wù)器業(yè)務(wù)后，IBM已經(jīng)重新調(diào)整了其硬件策略。IBM倒貼15億美元也沒(méi)有把Power處理器業(yè)務(wù)嫁出去，該公司已經(jīng)認(rèn)識(shí)到打鐵還需自身硬。雖然它的服務(wù)器系統(tǒng)在某些行業(yè)依然保持著很高的利潤(rùn)，但是IBM昂貴的Power服務(wù)器正在快速失去市場(chǎng)份額。圍繞英特爾處理器構(gòu)建的系統(tǒng)，在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和高性能計(jì)算市場(chǎng)已經(jīng)將IBM幾乎完全拋在后面。 　　   　　兩年前，IBM為了扭轉(zhuǎn)Power服務(wù)器的頹勢(shì)。建立了OpenPower開(kāi)源項(xiàng)目，現(xiàn)在擁有約150家會(huì)員企業(yè)。O
  • 關(guān)鍵字： IBM  Power  

Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機(jī)電源帶來(lái)革命性變化

  • 　　關(guān)注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級(jí)反饋檢測(cè)控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時(shí)提供全面的輸入電壓保護(hù)和即時(shí)動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術(shù)，可設(shè)計(jì)出無(wú)需光耦的高效率、高精度和
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術(shù)的充電器接口IC

  • 　　致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D，這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開(kāi)發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線式AC-DC充電器IC。 　　與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開(kāi)關(guān)IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
  • 關(guān)鍵字： Power Integrations  CHY103D  

IBM突破7納米制程瓶頸　或左右Power處理器發(fā)展

  • 　　IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測(cè)試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對(duì)于IBM而言，7納米制程技術(shù)的后續(xù)發(fā)展將會(huì)影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍(lán)圖。 　　據(jù)The Platform網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，7納米制程芯片背后結(jié)合了許多尚未經(jīng)過(guò)量產(chǎn)測(cè)試的新技術(shù)，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對(duì)何時(shí)能實(shí)際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時(shí)程表。 　　IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
  • 關(guān)鍵字： IBM  Power  

Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國(guó)CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國(guó)格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  物聯(lián)網(wǎng)  

中國(guó)石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過(guò)精確控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實(shí)現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。 　
  • 關(guān)鍵字： 石墨烯  SOI  

哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
  • 關(guān)鍵字： FD- SOI  FinFET  
共375條 13/25 |‹ « 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 » ›|

power-soi介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條power-soi!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)power-soi的理解，并與今后在此搜索power-soi的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473