she-pwm 文章 進入she-pwm技術(shù)社區(qū)
氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應用
- 引言在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優(yōu)勢,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯(lián)配置晶體管已成為設計工程師可以考慮的選項之一。應用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時,也帶來了電路設計層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
- 關(guān)鍵字: PWM
超低功耗傳感器方案如何賦能智能樓宇
- 當今,物聯(lián)網(wǎng)(loT)的基礎設施已經(jīng)非常完善,其適用范圍已經(jīng)不局限于服務器和數(shù)據(jù)中心,廣泛使用在我們的家居、辦公和工廠。處于物聯(lián)網(wǎng)最外圍的是傳感器,它會將數(shù)據(jù)采集起來并中繼回云服務或者在本地進行數(shù)據(jù)處理。傳感器是樓宇智能不可缺少的一環(huán),它可以在無人控制的情況下監(jiān)測控制環(huán)境,帶來非凡的便利性和經(jīng)濟性,這樣當最后一個人離開房間時,智能的樓宇也不會忘記關(guān)燈。傳感器的原型是一種相對簡單的控制系統(tǒng),比如通過占用檢測和溫度測量來控制供暖和照明,如今該技術(shù)已發(fā)展成熟。對于用戶而言,樓宇變得愈加智能,背后其實是其系統(tǒng)智能
- 關(guān)鍵字: AI PoE PWM
模塊化參考設計幫助用戶為各種應用選擇不同的功能塊 縮短上市時間、節(jié)省BOM成本及資源
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團 近日宣布推出一款48V電動車應用成功產(chǎn)品組合解決方案,可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設計在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊,可用于多種24V-48V應用,如割草機、手推車、機器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個瑞薩IC產(chǎn)品,包括三個關(guān)鍵器件:ISL94216 16芯電池前端(BFE)、強健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機控制的RX23T 32位
- 關(guān)鍵字: MOSFET PWM BLDC MCU
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準
- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi))下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
- 關(guān)鍵字: EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
使用PWM技術(shù)構(gòu)建高性能流量變送器
- 傳感器在測量工廠環(huán)境的過程中,會通過可編程邏輯控制器(PLC)控制整個系統(tǒng)的狀況。典型的測量包括溫度、壓力、流量和液位。在使用流量變送器設計時可以采取不同技術(shù),但在此我們來先了解一下PWM技術(shù)。以下討論的PWM技術(shù)是否可以用于實現(xiàn)諸如穩(wěn)定時間迅速且能耗低的功能?環(huán)路供電、4至20 mA輸出現(xiàn)場變送器實際上是過程自動化的行業(yè)標準。出于各類原因,現(xiàn)場變送器使用PWM轉(zhuǎn)4至20mA電路,包括:●? ?簡易性●? ?穩(wěn)健性●? ?成本優(yōu)化隨著新的應用要求
- 關(guān)鍵字: OLC PWM
兆易創(chuàng)新發(fā)布GD32E5系列MCU,以Cortex-33內(nèi)核開啟高性能計算新里程
- 業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice 近日正式發(fā)布基于全新Arm??Cortex?-M33內(nèi)核的GD32E5系列高性能微控制器。這系列MCU采用臺積電低功耗40納米(40nm)嵌入式閃存工藝構(gòu)建,具備業(yè)界領先的處理能力、功耗效率、連接特性和更經(jīng)濟的開發(fā)成本,進一步推動嵌入式開發(fā)向高精度工業(yè)控制領域擴展,解決數(shù)字電源、電機變頻、測量儀器、混合信號處理、高端消費類應用等多種功能集成和工作負載需求。GD32E5產(chǎn)品組合提供了3個通用系列和1個專用系列,4種封裝類型23個型號選擇,目前已經(jīng)
- 關(guān)鍵字: AUP FPU PWM ADC DSP TMU
STOP功能在低噪聲數(shù)據(jù)采集應用中的優(yōu)勢
- 電磁噪聲是指任何一種多余的電磁能量,其強度足以使信號失真。因此,設計高性能數(shù)據(jù)采集應用或任何具有特別敏感信號路徑的系統(tǒng)時,必須克服噪聲問題。在電源方面,由于其基本的工作原理,高效的DC/DC轉(zhuǎn)換器可能成為重要的噪聲源。它們既會在轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率處產(chǎn)生低頻紋波,也會產(chǎn)生因轉(zhuǎn)換器功率級中電壓和電流的快速切換而引起的高頻噪聲。與開關(guān)式穩(wěn)壓器結(jié)合使用的降噪技術(shù)示例包括額外的過濾無源元件,諸如緩沖電路、鐵氧體磁珠和饋通電容器,或在電源路徑中包含線性電源,如低壓差穩(wěn)壓器。雖然這些方案在大多數(shù)應用中都能很好地發(fā)揮作用,
- 關(guān)鍵字: RF PWM
瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器
- 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品;新款HIP2210提供三電平PWM輸入,以簡化電源和電機驅(qū)動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用,可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
- 關(guān)鍵字: MOSFET UPS PWM
意法半導體推出STM32數(shù)字電源生態(tài)系統(tǒng),加快先進高效電源解決方案開發(fā)過程
- ●? ?D-Power生態(tài)系統(tǒng)匯總了使用STM32微控制器開發(fā)創(chuàng)新的數(shù)字電源所需的資源●? ?STM32 D-Power網(wǎng)站整合嵌入式軟件、開發(fā)套件、演示板、工具,文檔和培訓●? ?ST授權(quán)合作伙伴和數(shù)字電源專家Biricha Digital舉辦的開發(fā)實踐研討會橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST),近日推出了基于網(wǎng)站的數(shù)字電源開發(fā)生態(tài)系統(tǒng),幫助設計人員用STM32微控制器(MCU
- 關(guān)鍵字: MCU PWM
超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA
- 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后,為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求,金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器,內(nèi)置高壓功率MOS,最大輸出功率達20W,待機功耗<75mW,具有極低的啟動電流和工作電流,可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時,PWM開關(guān)頻率固定;降低負載后,進入綠色模式,開關(guān)頻率降低;在空載和輕載時,
- 關(guān)鍵字: EMI PWM MOS
高功率密度、快速響應費控開關(guān)電源控制芯片 — SCM1725A
- “十三五”期間,我國將加快推進智能電網(wǎng)的建設,國家電網(wǎng)在此期間將會實現(xiàn)智能電表全覆蓋(90%)。為響應國家政策,滿足更多客戶的需求,金升陽推出功率密度高、響應快速且性價比高的費控開關(guān)電源控制芯片——SCM1725A。一、芯片介紹SCM1725A芯片是一款高性能電流模式PWM的控制芯片,該芯片內(nèi)部集成漏極最低耐壓達650V的2A功率管,高壓啟動引腳通過直接連接電源母線電壓,實現(xiàn)VDD旁路電容的快速充電,同時,在該款芯片啟動短路保護后,VDD電容電壓下降到VDD欠壓點,高壓快速啟動電路重新啟動為VDD旁路電容
- 關(guān)鍵字: PWM 芯片 VDD
she-pwm介紹
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