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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sk 海力士

大陸發(fā)展DRAM 海力士恐首當(dāng)其沖

  • 　　工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行，未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。 　　聯(lián)電接受中國(guó)大陸福建省晉華集成電路委托，開(kāi)發(fā)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)相關(guān)制程技術(shù)，引起各界關(guān)注。 　　工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)電子與系統(tǒng)研究組副組長(zhǎng)楊瑞臨認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM似乎已勢(shì)在必行。 　　楊瑞臨指出，中國(guó)大陸目前至少有 5家廠商規(guī)劃投入DRAM發(fā)展，除這次委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)技術(shù)的晉華外，還有武漢新芯，中芯也傳將重操舊業(yè)，
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三星海力士入圍半導(dǎo)體制造商前三甲

  • 　　北京時(shí)間13日 韓聯(lián)社報(bào)道，據(jù)美國(guó)知名半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights13日消息，三星[微博]電子和SK海力士入圍整合元件制造商三甲，而全球十大芯片設(shè)計(jì)公司(Fabless)中沒(méi)有一家韓國(guó)企業(yè)?！　≡?015年整合元件制造商銷售排名中，三星電子(416億美元)和SK海力士(169億美元)分列第二和第三，而英特爾(34.27, -0.50, -1.44%)以503億美元穩(wěn)居榜首。在芯片設(shè)計(jì)企業(yè)方面，高通(47.46, -1.11, -2.28%)-CSR排名第一，安華高-博通(57.34, -0
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紫光入股韓國(guó)海力士半導(dǎo)體遭拒

  • 　　北京時(shí)間11月27日下午消息，韓國(guó)芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團(tuán)的合作要約，但并未提供詳細(xì)信息。 最近有媒體報(bào)道稱，紫光集團(tuán)計(jì)劃收購(gòu)海力士最多20%的股權(quán)。但該發(fā)言人拒絕對(duì)此置評(píng)。 紫光集團(tuán)發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關(guān)事項(xiàng)。 　　   　　SK海力士股價(jià)周三和周四累計(jì)大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。 　　紫光集團(tuán)今年早些時(shí)候斥資230億美元洽購(gòu)美光集團(tuán)，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項(xiàng)交易。
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DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破2美元 歷史新低

  • 　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價(jià)。 　　DRAM市場(chǎng)庫(kù)存問(wèn)題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價(jià)如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價(jià)。 　　第4季來(lái)DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。 　　南亞科預(yù)期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。 　　只是集邦科技對(duì)DRAM后市看法相對(duì)保守，表示目前市場(chǎng)已
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三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國(guó)存儲(chǔ)器雙雄掀軍備競(jìng)賽

  • 　　昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，隔天三星即宣布新廠下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場(chǎng)正式進(jìn)入新一輪的軍備競(jìng)賽。 　　三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過(guò)去幾個(gè)月已進(jìn)行過(guò)試產(chǎn)，年底將全面啟用。 　　另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計(jì)畫未來(lái)兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國(guó)史上對(duì)單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來(lái)十年內(nèi)將投
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海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

  • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過(guò)于求。 　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過(guò)剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。 　　受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
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三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士與美國(guó)同業(yè)SanDisk不打不相識(shí)，海力士周三宣布，與美國(guó)同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。 　　SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨

  • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開(kāi)始對(duì)客戶出貨。 　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密

  • 　　過(guò)去幾個(gè)月來(lái)，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來(lái)，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　   　　圖1：HBM模組橫截面示意圖 　　(來(lái)
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海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密

  • 　　過(guò)去幾個(gè)月來(lái)，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。 　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來(lái)，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。 　　圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

  • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開(kāi)新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。 　　韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
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三星移動(dòng)DRAM市占破5成，臺(tái)廠邊緣化、海力士也挨打

  • 三星移動(dòng)終端受挫，但是呢人家在DRAM領(lǐng)域悶聲發(fā)大財(cái)。
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突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

  • 　　全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory)廠商?hào)|芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過(guò)東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實(shí)用化。 　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
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DRAM樂(lè)觀 NAND有隱憂

  • 　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。 　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓 明年產(chǎn)能續(xù)滿載

  • 　　今年以來(lái)8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場(chǎng)看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights出具報(bào)告指出，韓國(guó)、臺(tái)灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國(guó)掌控全球8寸產(chǎn)能達(dá)35%，臺(tái)灣則占21%。 　　IC Insights指出，韓國(guó)的8寸產(chǎn)能主要來(lái)自三星與海力士?jī)纱髲S商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲(chǔ)器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國(guó)則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國(guó)大陸，三星
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