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車規(guī)級UFS 4.0將變得愈發(fā)重要
- 車載中控屏幕和智能駕駛的不斷升級,已經(jīng)成為影響我們智能出行的重要因素。流暢的車載智能系統(tǒng)交互與功能擴展已經(jīng)成為基本盤。就目前而言,車輛平均存儲數(shù)據(jù)大約在35GB左右,但隨著智能體驗、高階輔助駕駛實裝,數(shù)百GB到上TB的存儲勢在必行??梢钥吹?,一個巨大的車規(guī)級存儲市場需求正在蓄勢待發(fā),大容量、高性能、高可靠的車規(guī)級存儲已然成為標準配置,并且會隨著需求增長不斷升級。但相對于消費級存儲,車規(guī)級存儲更為苛刻,它對工作溫度范圍、工作穩(wěn)定性、不良率、使用壽命、車規(guī)級安全規(guī)范都有著明確的要求,以確保車輛高速行駛過程中的
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手機性能升級,UFS 4.0的角色很關(guān)鍵
- 智能手機已經(jīng)成為我們不可或缺的AI設(shè)備,隨身運行的大模型,人工智能圖像與視頻識別,讓手機的易用程度又向上提升了一個臺階。特別是隨著驍龍8至尊版正式發(fā)布,新一輪的裝備升級勢在必行。更強的CPU、GPU和NPU給端側(cè)的AI性能帶來了更多可能,但也給存儲帶來全新的挑戰(zhàn),搭載AI的系統(tǒng)和本地大模型如何被高效的運用和讀取,在網(wǎng)絡(luò)信號不佳的前提下,存儲能否擔(dān)當(dāng)起及時的AI響應(yīng),本地存儲空間是否足夠離線模型的存儲?這時候,UFS 4.0存儲方案自然而然擺上了臺面。UFS 4.0存儲其實早已在高性能手機中被廣泛使用,不像
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鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片:連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%
- IT之家 4 月 23 日消息,鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片,提供 256GB、512GB、1TB 容量可選,專為包括高端智能手機在內(nèi)的下一代移動應(yīng)用打造。256GB:THGJFMT1E45BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB:THGJFMT2E46BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB:THGJFMT3E86BATZ,封
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美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品
- 2月28日,存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品,采用232層3D NAND技術(shù),可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后,美光進一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上,美光UFS4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨俣确謩e高達4300MBps和4000MBps,較前代產(chǎn)品相比性能提升一倍,據(jù)悉,生成式AI應(yīng)用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
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美光高性能內(nèi)存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗
- 2024 年 3 月 1 日,中國上海 —— Micron Technology,Inc. (美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側(cè)人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型(LLM)——“魔法大模型”(MagicLM),開創(chuàng)了端側(cè)生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心,在美光內(nèi)存和存儲的加持下,實現(xiàn)了升級版預(yù)測性和
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美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS,助力下一代智能手機設(shè)計搭載更大容量電池
- 2024 年 2 月28日,中國上海 – Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布開始送樣增強版通用閃存(UFS)4.0 移動解決方案,該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型UFS 封裝(9 x 13mm)。基于先進的232層3D NAND技術(shù),美光UFS 4.0解決方案可實現(xiàn)高達 1 TB容量,其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機實現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗。 美光UFS 4.0的順序讀取速度和順序?qū)懭胨?/li>
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鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存
- 存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布,該公司已開始提供業(yè)界首款(2)面向車載應(yīng)用的通用閃存(3)(UFS)4.0版嵌入式閃存設(shè)備的樣品(1)。新產(chǎn)品性能高,采用小型封裝,提供快速的嵌入式存儲傳輸速度,適用于多種新一代車載應(yīng)用,諸如車載遠程信息處理系統(tǒng)、信息娛樂系統(tǒng)以及ADAS系統(tǒng)(4)。鎧俠車載UFS產(chǎn)品的性能顯著提升(5),順序讀取速度提升約100%,順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘s40%。通過性能提升,相關(guān)應(yīng)用能夠更好地利用5G連接的優(yōu)勢,帶來更快的系統(tǒng)啟動速度和更優(yōu)質(zhì)的用戶體驗。作為首家推出UFS技術(shù)
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三星將推出新版UFS 4.0存儲 將為智能手機運行時的AI進行優(yōu)化
- 配備 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片組的智能手機現(xiàn)在可以運行設(shè)備上的 LLM(大型語言模型),使其具有與更大的機器相同的功能。 不幸的是,在手機上運行人工智能相關(guān)程序是一項資源密集型任務(wù),不僅需要計算能力,還需要充足的內(nèi)存和存儲空間,早些時候的一份報告指出,未來智能手機上的 20GB RAM 可能會成為支持此功能的標準 功能。 至于存儲,三星有一個解決方案,據(jù)傳是針對 AI 優(yōu)化的新版本 UFS 4.0 標準。高級研究員還表示,運行 AI 操作將需要智能手機大
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鎧俠推出第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備
- 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)(UFS)技術(shù)的發(fā)展,全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布,具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲傳輸速度,適用于各種下一代移動應(yīng)用。鎧俠 UFS 產(chǎn)品性能的改進使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢,從而加快下載速度、減少延遲時間并改善用戶體驗。鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品將BiCS FLASH? 3D 閃存和控制器集成在?JEDEC 標準封裝中,并結(jié)合了?MIPI M-PHY 5.0 和&n
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美光車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗
- 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應(yīng)用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合,理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù),為用戶提供出色的娛樂和用
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西部數(shù)據(jù)為5G時代的移動應(yīng)用強勢賦能
- 西部數(shù)據(jù)近日新推出了一款嵌入式通用閃存存儲(UFS, Universal Flash Storage)設(shè)備——西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521,借此可以大大提升5G智能手機的用戶體驗。作為最早支持實現(xiàn)UFS3.1 規(guī)范中Write Booster特性的供應(yīng)商,西部數(shù)據(jù)在業(yè)界第一批提供了針對5G應(yīng)用優(yōu)化的UFS3.1閃存方案。 <西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備>西部數(shù)據(jù) iNAND MC EU521嵌入式閃存設(shè)備幫助移動開發(fā)人員充分利用UFS 3.
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集邦咨詢:受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié),第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂
- Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季?! ≌雇诙?,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經(jīng)第一季的需求低谷之后,智能手機、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應(yīng)商
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關(guān)于NAND閃存大科普
- 在半導(dǎo)體業(yè),有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此,弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念?! ≡谑褂闷诘男阅芎愣ā! 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多,特別是隨機數(shù)據(jù),而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內(nèi)部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器,可能會表現(xiàn)差勁,不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加,SATA逐漸消失不見
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