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利用濕式蝕刻工藝提高LED光萃取效率之產(chǎn)能與良率的方法

  • 近幾年來III族氮化物(III-Nitride)高亮度發(fā)光二極體(High Brightness Light EmissiON Diode; HB-LED)深獲廣大重視,目前廣泛應(yīng)用于交通號志、LCD背光源及各種照明使用上。基本上,GaN LED是以磊晶(Epitaxial)方
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萃取介紹

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