中國碳基半導(dǎo)體研究團(tuán)隊(duì)再登頂刊!為3nm制程提供另一種選擇 原創(chuàng) 溫淑 芯東西 今天
“碳納米管(CNT)具有優(yōu)異的電學(xué)性能、準(zhǔn)一維晶格結(jié)構(gòu)、化學(xué)穩(wěn)定性好、機(jī)械強(qiáng)度高等特點(diǎn),是構(gòu)建新型CMOS晶體管和集成電路的理想半導(dǎo)體溝道材料,有望推動未來電子學(xué)的發(fā)展。并且,由于碳納米管具有強(qiáng)碳-碳共價(jià)鍵、納米尺度橫截面積、低原子數(shù)等特點(diǎn),可以用來發(fā)展新一代超強(qiáng)抗輻照集成電路技術(shù)。但如何將碳納米管的超強(qiáng)抗輻照潛力真正發(fā)揮出來,卻是全世界科學(xué)家面臨的幾大難題之一?!甭?lián)合研究組成員、北京大學(xué)碳基電子學(xué)中心副主任張志勇教授說。
其實(shí),這已經(jīng)是這支團(tuán)隊(duì)今年第二度登上頂級學(xué)術(shù)期刊。早在5月份,這支團(tuán)隊(duì)就憑借一種創(chuàng)新的碳納米管晶體管制備方法登頂《科學(xué)》。那么,這種頻頻受到頂級期刊青睞的“碳納米管晶體管”到底是什么?又有什么研究意義?
要搞清這個問題,還要從半導(dǎo)體行業(yè)的黃金定律“摩爾定律”說起。
摩爾定律預(yù)言,集成電路上可容納的晶體管數(shù)目約每隔兩年會增加一倍。只要芯片上晶體管的數(shù)目按照預(yù)言增加,芯片行業(yè)就能穩(wěn)吃紅利。 可惜的是,摩爾定律指明了半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)該追逐的方向,但沒有指出一條道路。 從1995年開始,對晶體管尺寸即將達(dá)到極限的預(yù)言不斷被拋出。為了阻止“摩爾定律將終結(jié)”這把懸頂之劍落下,一部分學(xué)界、業(yè)界研究者幾番力挽狂瀾,通過改進(jìn)晶體管架構(gòu)、改良制造設(shè)備來為摩爾定律“續(xù)命”。 我國的碳納米材料研發(fā)起步較早,近期北大團(tuán)隊(duì)的研究成果更是在全世界范圍內(nèi)“先聲奪人”。在“自研”的重要性被外力無限放大的今天,碳納米管技術(shù)方面的優(yōu)勢不容忽視。 碳納米管半導(dǎo)體到底是什么?用碳納米管做替代可行嗎?這是不是一招妙棋?這就是智東西今天要回答的問題。
半導(dǎo)體早期發(fā)展階段,晶體管由鍺制作。發(fā)現(xiàn)鍺材料制成的芯片難以承受高溫工作條件后,研究人員翻開元素周期表,選出與鍺屬于同族、儲量更足、耐熱性更好的硅成為替代。 相比硅材料的“按圖索驥”,碳基半導(dǎo)體材料被發(fā)現(xiàn)要偶然得多。碳納米管由碳分子管狀排列而成,可看作是由單層石墨卷成了一個“圓筒”,需要由石墨棒等碳材料經(jīng)特殊方法制備而成。
1991年,日本物理學(xué)家飯島澄男就職于日本筑波市的NEC(日本電氣)基礎(chǔ)研究所,專長于納米科學(xué)、電子顯微鏡學(xué)等領(lǐng)域。
當(dāng)時(shí),飯島用高分辨透射電子顯微鏡,觀測用電弧法產(chǎn)生的碳纖維產(chǎn)物,意外發(fā)現(xiàn)了碳納米管。飯島澄男曾在美國、日本指導(dǎo)大量中國學(xué)生,2011年,飯島澄男當(dāng)選為中國科學(xué)院外籍院士。
通過對碳納米管材料的研究,人們發(fā)現(xiàn)它具有相比硅基材料更為優(yōu)異的半導(dǎo)體特性,特別是在高遷移率、納米尺寸、柔性、通透性、生物可兼容性方面。這些優(yōu)異特性意味著碳基集成電路將具備高速率、高能效的優(yōu)勢。
基于上述性能優(yōu)勢,相比硅基晶體管,碳納米管晶體管具有5~10倍的速度和能耗優(yōu)勢,適合用于高端電子學(xué)應(yīng)用、高頻器件應(yīng)用、光通訊電路應(yīng)用、柔性薄膜電子學(xué)應(yīng)用。
飯島澄男的發(fā)現(xiàn)開啟了對碳納米管這種材料的研究,也為碳納米管的半導(dǎo)體應(yīng)用買下伏筆。在實(shí)際應(yīng)用方面,IBM是“第一個吃螃蟹的勇士”。 1998年,IBM研究人員制作出首個可工作的碳納米管晶體管。從那以后很長時(shí)間,IBM一直對碳納米管晶體管表現(xiàn)出濃厚興趣。 2012年,IBM研究人員制造出一個溝道長度為9nm的碳納米管晶體管。這是世界上首個可以在10nm節(jié)點(diǎn)以下工作的晶體管。同年,IBM基于標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制程,研究出將超1萬個碳納米管晶體管集成到一顆芯片中的技術(shù)。
2014年,IBM更是拋出豪言壯語,稱要在2020年之前利用碳納米管制備出比其時(shí)芯片快5倍的半導(dǎo)體芯片。2017年,IBM研究將碳納米管晶體管尺寸推進(jìn)40nm。IBM還曾組建一支專攻碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)的團(tuán)隊(duì),就在IBM的T·J·華盛頓研究中心,由Wilfried Haensch領(lǐng)導(dǎo)。
除IBM外,斯坦福、麻省理工、英特爾等機(jī)構(gòu)也紛紛上馬碳納米管技術(shù)研究。 2013年,斯坦福大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)用178個碳納米管晶體管制造出一個碳基芯片。當(dāng)時(shí),斯坦福研究人員評論稱:也許有一天硅谷會變成碳谷。
2015年,英特爾科技分析師Rob Willoner透露,英特爾正考慮在未來芯片技術(shù)中使用碳納米管晶體管。 2019年,麻省理工學(xué)院研究人員與芯片制造商Analog Devices合作,制造出全球首個全功能、可編程的16位RISC-V架構(gòu)碳基處理器。該處理器能夠完整地執(zhí)行整套指令集。它還執(zhí)行了經(jīng)典的“Hello,World!”程序的修改版本,打出了“Hello, World!I am RV16XNano,made from CNTs(你好,世界!我是RV16XNano,由碳納米管制成)”。
2019年7月,DARPA召開“電子復(fù)興計(jì)劃”。斯坦福-麻省理工的碳納米管項(xiàng)目獲得資助。 半導(dǎo)體廠商巨頭、學(xué)術(shù)研究領(lǐng)先者紛紛下注碳基半導(dǎo)體,再次反證了碳納米管材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨大潛能。 但是,這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今,碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來,最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm(2014年 IBM)。 具體來說,為了滿足大規(guī)模高性能集成電路的要求,需要碳納米管晶體管同時(shí)滿足兩個要求: 1、排列和密度方面,需要一種高取向陣列方法,要求在1微米中放下100至200根碳納米管,以保證晶體管數(shù)目; 2、純度方面,需要半導(dǎo)體純度大于99.9999%、或者金屬型碳管含量小于0.0001%,以保證半導(dǎo)體性。 目前,在碳納米管半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展較好的外國企業(yè)是美國存儲芯片制造商N(yùn)antero。根據(jù)Nantero官方信息,該公司計(jì)劃于今年晚些時(shí)候推出基于碳納米管晶體管的NRAM產(chǎn)品。
國外碳納米管半導(dǎo)體材料研發(fā)停滯不前六七年。有媒體報(bào)道稱,IBM的碳納米管研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)黯然解散,相關(guān)人員大多進(jìn)入高校進(jìn)行學(xué)術(shù)研究。 反觀我國,我國的碳納米材料研究起步較早。1997年,北京大學(xué)成立全國第一個納米科技研究機(jī)構(gòu):北京大學(xué)納米科學(xué)與技術(shù)研究中心。 2002年,清華大學(xué)吳德海教授團(tuán)隊(duì)和美國倫斯勒理工學(xué)院P.M.Ajayan教授合作,首次制備出利用浮動化學(xué)氣相沉積方法制備直徑約為300至500微米的碳納米管束。 同年,清華大學(xué)范守善教授團(tuán)隊(duì)報(bào)道了從碳納米管陣列拉絲制備碳納米管纖維的方法。除了這些成就,據(jù)2014年數(shù)據(jù),我國有超過1000家高校和科研所從事碳納米材料研究活動,在碳納米材料的研究方面不斷創(chuàng)新。 碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)方面,相比國外一卡六七年的狀況,我們頗有些“這邊風(fēng)景獨(dú)好”的意思。 中國碳基納電子器件代表研究機(jī)構(gòu)有中科院、北京大學(xué)、清華大學(xué)等。今年5月份,北京大學(xué)發(fā)起的北京元芯碳基集成電路研究院,在權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表一種全新的碳納米管制備方法,首次同時(shí)實(shí)現(xiàn)了碳納米管晶體管的高密度、高純度要求。 使用該方法制備的碳納米管純度可達(dá)到99.9999%,陣列密度達(dá)到120/微米。通過這一技術(shù),研究人員有望將集成電路技術(shù)推進(jìn)到3nm節(jié)點(diǎn)以下!
這個消息一經(jīng)公布,我國從事碳納米材料研發(fā)、生產(chǎn)的幾家企業(yè)股****紛紛開漲。代表的有楚江新材、銀龍股份旗下碳基研究院、中科電氣、丹邦科技等。 在這些公司中,丹邦科技可以算是我國碳基半導(dǎo)體領(lǐng)域的一支強(qiáng)勁力量。丹邦科技成立于2001年,專門從事?lián)闲噪娐放c材料的研發(fā)和生產(chǎn),是深圳證券交易所中小板上市企業(yè)。 2019年,丹邦科技自主研發(fā)的TPI量子碳基薄膜成功試生產(chǎn)。作為世界上唯一具備TPI量子碳基薄膜量產(chǎn)能力的企業(yè),據(jù)稱其技術(shù)已被蘋果、華為看中。有消息稱華為已經(jīng)進(jìn)入中試階段。 TPI量子碳基薄膜具有多層石墨烯結(jié)構(gòu),主要用于5G手機(jī)、芯片、筆電、柔性屏散熱等使用場景。 6月30日,丹邦科技披露了其2019年年度報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示,2019年丹邦科技營業(yè)收入為約3.47億元,其中PI膜業(yè)務(wù)約占167萬,占比0.48%。
按照國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖委員會(ITRS)預(yù)測,硅基半導(dǎo)體的性能將在2020年左右達(dá)到物理學(xué)極限。 2020年,最先進(jìn)的芯片制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)5nm。5nm之后,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)何去何從?哪怕不是2020年,硅基晶體管的尺寸極限終將到來,到那時(shí)芯片產(chǎn)業(yè)又該怎么辦? 面對硅基材料的尺寸極限,換用碳基材料不失為一個方法。我國北大研究團(tuán)隊(duì)在制備碳納米管晶體管方面取得的成就正是把碳基半導(dǎo)體向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用推進(jìn)了一步,也有助于我國為“摩爾定律將終結(jié)”的預(yù)言未雨綢繆。 在北大團(tuán)隊(duì)發(fā)表《Science》論文后的6月1日,麻省理工學(xué)院的碳納米管研究也取得進(jìn)展。根據(jù)發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上的論文,麻省理工研究人員證明了碳納米管可以在工廠量產(chǎn)。 從1991年被發(fā)現(xiàn)至今,碳納米管技術(shù)一直在穩(wěn)步發(fā)展。或許在未來,碳基材料將成為半導(dǎo)體領(lǐng)域“挑大梁”般的存在,讓我們拭目以待。
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