未來(lái)財(cái)富密碼！第三代半導(dǎo)體深度研究報(bào)告

什么是半導(dǎo)體？

顧名思義，半導(dǎo)體是一種導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，其中硅的使用最為普遍。

傳統(tǒng)的電路集成在半導(dǎo)體材料上，并進(jìn)行封裝，就做成了集成電路。而我們所說(shuō)的芯片和集成電路意思相近，都是封裝好的小方片黑盒，唯一的不同是芯片是產(chǎn)品，如圖

什么是第三代半導(dǎo)體？

相對(duì)于第一代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體（碳化硅等）禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。硅基因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，自然界儲(chǔ)備量大，制備相對(duì)容易，被廣泛應(yīng)用半導(dǎo)體的各個(gè)領(lǐng)域，其中以處理信息的集成電路最為主要。

在高壓、高功率、高頻的分立器件領(lǐng)域，硅因其窄帶隙，較低熱導(dǎo)率和較低擊穿電壓限制了其在該領(lǐng)域的應(yīng)用，因而發(fā)展出寬禁帶、耐高壓、高熱導(dǎo)率、高頻的第二/三代半導(dǎo)體。

近幾年，國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)政策中多次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體器件，隨著國(guó)內(nèi)多家企業(yè)開(kāi)始重視該領(lǐng)域，積極布局相關(guān)項(xiàng)目，我國(guó)的第三代半導(dǎo)體材料及器件有望實(shí)現(xiàn)較快發(fā)展。

在摩爾定律已接近物理極限的情況下，以新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件為特點(diǎn)的超越摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了新的發(fā)展方向，有觀點(diǎn)認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體就是未來(lái)財(cái)富密碼所在。