新潔能擬募資14.5億元，提前布局SiC/GaN功率器件領(lǐng)域

據(jù)披露，新潔能此次募集資金在扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額全部用于投資第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率驅(qū)動(dòng)IC及智能功率模塊（IPM）的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級(jí)）的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
當(dāng)前，半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導(dǎo)體受到行業(yè)關(guān)注，被廣泛應(yīng)用于新能源車、軌道交通、5G****、航空航天等領(lǐng)域。
《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價(jià)值白皮書》指出，2019年我國第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為94.15億元，預(yù)計(jì)2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到623.42億元。
而另一方面，目前美歐、日韓及臺(tái)灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)亦依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持，也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
新潔能表示，通過本募投項(xiàng)目的實(shí)施，有助于公司順應(yīng)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，提前布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，從而進(jìn)一步強(qiáng)化公司在半導(dǎo)體功率器件高端應(yīng)用市場(chǎng)的核心競(jìng)爭(zhēng)力，縮小與國際半導(dǎo)體功率器件一流企業(yè)的技術(shù)差距，從而提高國際競(jìng)爭(zhēng)力。
來源：全球半導(dǎo)體觀察