存儲巨頭們對技術(shù)未來的看法

本月初，年度存儲盛會FMS在美國隆重舉辦。會上，來自全球的存儲巨頭分享了他們的技術(shù)未來的看法和觀點。
Techinsights首先指出，在 FMS2022 上，所有與會者慶祝了一個重要的里程碑，即 NAND 閃存發(fā)明35周年。今年會議的關(guān)鍵詞似乎是 ：

• CXL-Memory (CXL-DRAM, CXL-NAND), 
• Optane XPoint Memory 倒閉,
• 新的和下一代 2XX 3D NAND 產(chǎn)品, 
• Chiplets, 
• 基于ZNS的存儲系統(tǒng)。

在會議期間和面對面會談期間，進(jìn)行了許多關(guān)于關(guān)鍵詞的演示和討論。新的存儲產(chǎn)品送樣，例如 BittWare PCIe 5.0/CXL FPGA 加速器、IBM Elastic Storage System 3500、Infinidat InfiniBox SSA II、鎧俠 CM7 系列 E3.S 企業(yè) NVMe SSD、Phison X1 基于控制器的 SSD 平臺、Pliops XDP、三星內(nèi)存- 推出semantic CXL SSD、ScaleFlux CSD 3000 SSD、Solidigm P41 Plus SSD with 144L-Q、Supermicro Petascale All-Flash Server with DDR5 and PCIe5.0、Swissbit PCIe-SSD N-30m2，以及YMTC 的X3-9070 with Xtacking 3.0出現(xiàn)在他們展臺上。
在 3D/4D NAND 和 SSD 技術(shù)方面，行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者在主題演講中宣布了他們的新產(chǎn)品和芯片樣品，當(dāng)中包括了三星、SK 海力士/Solidigm、鎧俠、西部數(shù)據(jù)和長江存儲。從主題演講中要知道的一些事情1.三星重點介紹了推動大數(shù)據(jù)市場的 4 個技術(shù)進(jìn)步領(lǐng)域；數(shù)據(jù)移動、數(shù)據(jù)存儲、數(shù)據(jù)處理和數(shù)據(jù)管理。三星宣布推出“內(nèi)存語義 SSD”，它結(jié)合了存儲和 DRAM 內(nèi)存、AI 和 ML 優(yōu)化存儲的優(yōu)勢。該公司于 5 月開發(fā)的業(yè)界首款 UFS 4.0 移動存儲推出。計劃于本月開始量產(chǎn)。三星強(qiáng)調(diào)了 SmartSSD 和 CXL DRAM，它們旨在避免當(dāng)前內(nèi)存和存儲架構(gòu)的瓶頸。
2.SK 海力士最近于 7 月向客戶交付了第一款 V8 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，預(yù)計將于 2023 年開始量產(chǎn)。SK 海力士正在開發(fā) 1Tb 的238 層產(chǎn)品。該公司還推出了首個基于 DDR5 DRAM 的 CXL 樣品。Solidigm 推出了配備 144L-Q 的 P41 plus SSD。他們還在主題演講中展示了世界上第一個工作的 Penta-Level Cell (PLC) SSD 芯片樣品，其 192L-Q 首次能夠在每個存儲單元存儲 5 位數(shù)據(jù)，相同占用空間內(nèi)的數(shù)據(jù)增加 25%與四級單元 (QLC) SSD 相比。
3.鎧俠推出基于MLC（2bit/cell）BiCS FLASH的第二代XL-FLASH單片機(jī)解決方案。第一代是基于 SLC 的。Gen2 XL-FLASH 的內(nèi)存容量為 256Gb/die。產(chǎn)品樣品發(fā)貨計劃于 11 月開始，預(yù)計 2023 年開始量產(chǎn)。
4.長江存儲推出X3-9070 TLC 3D NAND Flash樣品產(chǎn)品，搭載Xtacking 3.0 Architecture, 4th gen。3D NAND（1Tb TLC 芯片， 232L 6 平面設(shè)計）。
關(guān)于英特爾最近宣布退出的 Optane XPoint Memory，F(xiàn)MS 2022 大會上召開了特別會議。Chuck Sobey（FMS 會議主席）和一些分析師（Tom Coughlin、Jim Handy 和 Dave Eggleston）與一些英特爾人員一起回顧了它的歷史、業(yè)務(wù)和問題。
簡而言之，Optane（XPoint Memory）性價比不高，不會成為未來產(chǎn)品的一部分。盡管 Optane XPoint Memory 正在逐漸減少，但它奠定了持久內(nèi)存的價值，并被用于設(shè)計和制造創(chuàng)新的存儲系統(tǒng)。此外，它確實有助于推動 CXL 接口存儲器技術(shù)的發(fā)展。會議上的一些經(jīng)驗教訓(xùn)和討論

• XPoint 是全新的 PCM
• 自 2016 年以來，英特爾傲騰 DIMM 和持續(xù)內(nèi)存損失總計超過 70 億美元
• 光刻和產(chǎn)品成本限制了 XPoint 兩層或四層堆疊，這導(dǎo)致難以實現(xiàn)更高密度（不再是 Gen3）
• 連貫持久記憶的價值有限
• 例如，與微軟的有限合作伙伴關(guān)系失敗了
• CXL接口SSD未來可能會取代Optane持久內(nèi)存或SCM（Storage Class Memory）市場

從 FMS2022 開始，關(guān)于 Memory 的 10 大預(yù)測可以總結(jié)為

• NAND 的未來是 NAND（不會被任何 EM/XPoint 取代）
• DRAM 的未來是 DRAM（不會被任何 EM/XPoint 取代）
• 記憶墻是真實的，而且越來越糟
• 三星和 SK 海力士考慮成本和市場需求的不僅僅是揭示新技術(shù)節(jié)點，這與美光不同。
• 計算存儲/內(nèi)存正在變得流行
• CXL將成為存儲和數(shù)據(jù)中心的主流
• MRAM 在嵌入式設(shè)備中越來越普遍
• FLASH+HDD等混合存儲系統(tǒng)仍未死
• 元數(shù)據(jù)管理越來越重要
• Optane XPoint 內(nèi)存已不復(fù)存在，CXL-DRAM/NAND 內(nèi)存將取而代之，用于 SCM 應(yīng)用。

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