來源：semiengineering
芯片制造商正在為架構(gòu)、材料和基本結(jié)構(gòu)（如晶體管和互連器件）的根本性變革做好準備。最終結(jié)果將是有更多的流程步驟、每個步驟的復(fù)雜性增加，以及全面成本上升。在前沿，F(xiàn)inFET會在3nm節(jié)點之后的某個地方前進困難。仍在這些節(jié)點工作的三家代工廠 ——臺積電，三星和英特爾，以及行業(yè)研究機構(gòu) imec正在尋求某種形式的柵極全能晶體管作為下一個晶體管結(jié)構(gòu) ，以便對柵極泄漏進行更嚴格的控制。在此之后，這種方法可能至少適用于更多的節(jié)點，并可能隨著由imec開發(fā)的中間步驟forksheet FET的推出而進一步發(fā)揮作用。（見圖1）然而每家公司都在使用不同的命名，時間表和技術(shù)組合，因此很難確定哪個公司在什么時候處于技術(shù)領(lǐng)先地位。
圖1：N型和P型 forksheet FET對（左）和nanosheet FET（右）。來源：imec
“回顧過去，我們從雙極器件開始，然后我們轉(zhuǎn)向平面CMOS和3D FinFET，”臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang說。“現(xiàn)在我們正在轉(zhuǎn)向nanosheet柵極全能晶體管。但晶體管結(jié)構(gòu)將會演變。不是每一代或每一個節(jié)點都需要引入新的架構(gòu)，因為新的晶體管或架構(gòu)需要很長很長的時間。我們已經(jīng)投資nanosheet技術(shù)超過10年，以便有足夠的信心在2nm節(jié)點上引入它?！?/span>代工廠將盡可能長時間地擴展現(xiàn)有技術(shù) ，因為每次更換升級都是昂貴的。除了代工廠開發(fā)的新制造工藝外，還需要微調(diào)涉及制造設(shè)備的數(shù)百個工藝步驟。這里的關(guān)鍵指標是制造每個晶圓所花費的時間，這會影響成本，以及獲得足夠良率的時間。每個步驟都需要更改所有內(nèi)容，從EDA工具（需要在每個節(jié)點和每個鑄造廠的半節(jié)點進行認證）到各種設(shè)備何時插入制造環(huán)流。復(fù)雜芯片可以有多個插入點。這使得實際的時間表難以確定，代工廠可能不會推到下一個技術(shù)節(jié)點，直到他們使用現(xiàn)有技術(shù)進行改進。臺積電是目前流程的領(lǐng)導(dǎo)者，也是唯一處于領(lǐng)先地位的純代工廠，計劃遷移到2nm的GAA FET。臺積電研發(fā)高級副總裁Yuh-jier Mii在最近的一次演講中表示，3nm的finFET在使用相同的功率時將速度提高18%，或在相同的性能下降低34%的功率。使用nanosheet，速度將提高約10%至15%，功耗降低25%至30%，密度增加1.1倍。他還指出，現(xiàn)有的設(shè)計規(guī)則將在N2兼容，這將降低IP的重用率。英特爾將遵循類似的路徑，使用其版本的GAA FET，稱為帶狀FET。英特爾同樣表示，它的finFET技術(shù)還有足夠的改進，可以將finFET擴展到另一個節(jié)點。“我們在當前的生產(chǎn)節(jié)點上提供先進的 finFET ，”英特爾副總裁兼產(chǎn)品和設(shè)計生態(tài)系統(tǒng)支持總經(jīng)理Rahul Goyal說。“我們還在研究下一代節(jié)點，它將在明年左右推出。然后，我們的sweet spot——這是最先進的節(jié)點，我們相信我們可以在這里實現(xiàn)差異化，目前正在與幾個客戶一起開發(fā)。這讓我們更好的規(guī)定好了2024年至2025年的發(fā)展歷程，并更好地了解了客戶的需求以及如何實現(xiàn)這一目標。挑戰(zhàn)在于如何確保我們在早期階段與客戶合作，以盡可能加快我們的學習速度，然后使我們的生態(tài)系統(tǒng)和合作伙伴能夠為我們的客戶服務(wù)?！?/span>與此同時，三星將在3nm引入GAA技術(shù)，稱為多橋通道FET。該公司聲稱，與5nm FinFET相比，該技術(shù)可以將功耗降低45%，將性能提高23%，并將面積減少16%。下一代產(chǎn)品將降低高達50%的功耗，并將性能提高30%，占地面積減少35%。三星吹捧的關(guān)鍵改進之一是可調(diào)節(jié)的通道寬度，它可以降低驅(qū)動信號所需的功率。下一步是什么？在GAA FET之后，下一個技術(shù)版本可能包括堆疊的GAA FET，也稱為complementary FET（CFET），可擴展高達50%。這種變化至少將nanosheet擴展了幾個節(jié)點。可以堆疊多少層可能決定了這項技術(shù)的可擴展性。“我們正在研究橫向nanosheet以及未來幾代技術(shù)中橫向nanosheet某種程度的堆疊，” Lam Research計算產(chǎn)品副總裁David Fried說?！懊總€人都喜歡調(diào)查先進設(shè)備的完整列表，并查看垂直和橫向設(shè)備和堆棧，但是進行任何這些更改所需的投資都非常巨大，以至于制造商必須確信，在他們進行過渡之前，他們將從重大過渡中獲得至少幾個節(jié)點。你盡量不要一次一個節(jié)點地做出這些決定?！?/span>預(yù)計CFET將開始出現(xiàn)在1.4nm左右。CFET已經(jīng)在繪圖板上存在了十多年，被認為是nanosheet和forksheet FET的進化步驟 。對于CFET，nFET和pFET導(dǎo)線采用單線或雙線配置，在提供面積和密度優(yōu)勢的同時，仍可限制柵極處的電流泄漏。這種泄漏就是即使設(shè)備關(guān)閉，電池也會耗盡或電力繼續(xù)流動的原因。
圖 2：CFET 架構(gòu)。來源：科文托，
Lam Research旗下研究公司
重新思考一些基礎(chǔ)知識與過去不同，當一個過程可以在數(shù)十億個相同設(shè)計的單元上完成時，最終用戶需要針對特定應(yīng)用的更定制的解決方案。在某些情況下，這些是為內(nèi)部消費而設(shè)計的，例如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心。這限制了特定設(shè)計的行業(yè)體量 ，并進一步減少了量。更糟糕的是，其中一些設(shè)備正被用于安全和任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用。因此，除了數(shù)量有限之外，還需要在更長的使用壽命內(nèi)提高可靠性。為此，正在制定一些有趣的戰(zhàn)略來處理這些問題和相關(guān)問題。例如，與其期望設(shè)計中的每個晶體管或互連都能以100%的良率完美地工作， 不如期望能夠在芯片生命周期的任何時候識別出哪些是壞的。這里的重點是彈性。過去，這是通過冗余實現(xiàn)的，一般的態(tài)度是晶體管是免費的。但是，在異構(gòu)設(shè)計中，這種方法太昂貴了，其中一些計算元素和內(nèi)存是由不同的供應(yīng)商創(chuàng)建的。“有兩個問題，”PDF Solutions首席技術(shù)官 Andrzej Strojwas說。“首先，你如何很早就確定電路不起作用？其次，如何構(gòu)建可重配置的互連？可以使用有源電路來重新配置該互連。這樣做的標準方法是在制造過程結(jié)束后進行測試，然后燒毀保險絲。但是，如果通過低級金屬水平的電子束掃描將信息內(nèi)聯(lián)在內(nèi)，則可以更有效地做到這一點。粒度是不同的?！?/span>當索尼在2000年推出基于IBM的Cell處理器的Playstation 2時，它被設(shè)計成六個內(nèi)核，盡管只需要五個。這種方法在當時被認為是革命性的。但是，可重構(gòu)性增加了對從設(shè)計到制造的應(yīng)用的能力，包括實時分析，根據(jù)需要重新路由信號的能力，以及更精確地劃分設(shè)計的能力。光刻也即將經(jīng)歷一個重大而昂貴的轉(zhuǎn)變。EUV在經(jīng)過大約十年的延遲后，部署用于5nm的大批量生產(chǎn)，已經(jīng)落后了。在3nm和2nm處，除非ASML（尖端光刻設(shè)備的唯一來源）能夠以合理的價格推出高數(shù)值孔徑EUV（HIGH NA EUV），否則將再次需要多圖案化。HIGH NA EUV的光圈為0.55，而EUV為0.33，它使用變形透鏡，能夠在晶片邊緣正確打印特征。但并非所有金屬層都需要HIGH NA EUV，這意味著它可能會作為一種點工具而不是一刀切地集成到制造流程中。另一個正在獲得挑戰(zhàn)的策略是設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化，它將前端設(shè)計與制造聯(lián)系起來，比過去更緊密地聯(lián)系在一起。DTCO已經(jīng)存在多年，但它只在最先進的節(jié)點上使用。“在平面CMOS時代，設(shè)計師和技術(shù)可以預(yù)測節(jié)點將如何擴展，”Synopsys硅工程集團的產(chǎn)品營銷總監(jiān)Ricardo Borges說 ?！半S著finFET的引入，這種預(yù)測變得不那么可信，F(xiàn)inFET在混合中引入了一些新事物，使得預(yù)測節(jié)點的特性變得更加困難。今天，有更多種類和更多的架構(gòu)需要探索。例如，在短期內(nèi)，我們看到gate全能技術(shù)的早期發(fā)布。除此之外，還有幾種類型的器件，更多的晶體管架構(gòu)，更多的材料和系統(tǒng)需要評估。在某些時候，可以用其他材料代替硅。我們已經(jīng)看到了新的金屬，如釕和鉬用于未來的互連，以及用于未來互連的鉍和銻，因為它們的電阻率較低。然后有一些結(jié)構(gòu)，imec稱之為縮放助推器，這可能是一種新的過程技術(shù)，以減少圖案化方法的可變性?！?/span>然而，另一種方法是根本不擴展到最先進的節(jié)點。聯(lián)華電子（UMC）和GlobalFoundries等代工廠正在進行大量投資，這些工廠正在使用替代方法來提高PPA。GlobalFoundries技術(shù)、工程和質(zhì)量高級副總裁Gregg Bartlett表示，目前使用的芯片中有80%是在成熟節(jié)點上制造的，他預(yù)計隨著先進封裝、混合鍵合、小芯片和更多領(lǐng)域特定設(shè)計的增長，這一數(shù)字還會增加。不過，這并沒有使成熟節(jié)點的設(shè)計變得不那么復(fù)雜?！拔覀儚牟牧祥_始，然后設(shè)計芯片，而不是從 終端市場開始，弄清楚他們想用設(shè)計做什么，以及什么材料映射到其中，”Bartlett說?！癝OITEC有27種不同類型的SOI（絕緣體上的硅）材料，具有不同的盒子厚度，不同的硅厚度和不同的晶體取向。了解為什么一種基板比另一種基材更好是一個非常重要的考慮因素。這并不是因為材料特性。這是因為當它完全集成到系統(tǒng)級別的性能中時，效果就是不同的。”不同的選擇令人驚訝的是，在所有工藝節(jié)點上都發(fā)生了多少研發(fā)，而不僅僅是在前沿，而且隨著美國芯片與科學法案和歐洲芯片法案的通過，這項研究可能會爆炸式增長，這些法案將總共投入超過1000億美元用于各種相關(guān)領(lǐng)域的研究。這包括用于多芯片和多模塊/封裝通信的硅光子學，已在數(shù)據(jù)中心內(nèi)部廣泛用于將服務(wù)器連接到存儲器。它將越來越多地用于越來越短的距離。光速非?？欤枰钌俚哪芰縼韺嶋H傳輸信號，并且它產(chǎn)生的熱量非常少。但它也需要監(jiān)測熱波動，這可能會將信號推到濾波器范圍之外，并檢查波導(dǎo)中的任何粗糙度，這會影響信號。與電子不同，光子不喜歡角落，這是將電音頻構(gòu)建成芯片的挑戰(zhàn)之一。“對我們來說，我們希望能夠模擬以某種形狀或方式裝瓶在一起的兩個設(shè)備，并能夠模擬和模擬這兩者的組合，”Bartlett說?！癊DA的工作人員在后臺做得很好。我們剛剛與一家EDA供應(yīng)商在我們的45CLO平臺上發(fā)布了一個公告（C，L和O是不同的波長波段，每個波長段都有不同的損耗）。這些都是處于行業(yè)前沿的領(lǐng)域，我們正在努力為客戶提供正確的設(shè)計工具?！?/span>行業(yè)都在蓬勃發(fā)展?！皬妱诺木A需求使我們的晶圓廠保持滿負荷運轉(zhuǎn)，并且價格高于我們整體收入的平均混合定價，”聯(lián)華電子總裁Jason Wang在最近的業(yè)績發(fā)布會上表示?！癝oC技術(shù)，如非易失性存儲器、電源管理、RF-SOI和OLED顯示驅(qū)動器，是5G、AIoT和汽車領(lǐng)域的必要應(yīng)用。我們專注于特種技術(shù)的戰(zhàn)略取得了成功，它現(xiàn)在貢獻了我們硅片收入的一半以上?！?/span>Jason Wang指出，汽車的持續(xù)電氣化也是未來增長的催化劑。其他選擇也許最大的轉(zhuǎn)變來自封裝選項和小芯片。有許多方法可以將不同的部分放在一起，包括在最先進的節(jié)點上開發(fā)的數(shù)字邏輯與其他邏輯、模擬和在成熟節(jié)點上開發(fā)出的各種類型的存儲器的混合。事實上，隨著設(shè)計變得越來越異構(gòu)，并針對特定應(yīng)用和用例進行定制，人們越來越需要為它們增加更大的靈活性。“我們采訪的一位客戶有一個非常復(fù)雜的中斷控制器，”Flex Logix銷售、營銷和解決方案架構(gòu)副總裁Andy Jaros說?！八麄冃枰A(yù)測客戶想要啟動芯片的所有不同排列，包括連接哪些外圍設(shè)備或使其可用于外部世界，他們正試圖在軟件控制下做到這一點。他們發(fā)現(xiàn)，無論他們?nèi)绾闻渲盟?，或者中斷控制器有多?fù)雜，中斷控制器都不受支持。這就是嵌入式FPGA發(fā)揮作用的地方。你可以擁有一個更簡單的中斷控制器，并且該中斷控制器是針對每個客戶精心設(shè)計的。因此，現(xiàn)在不必預(yù)測每個潛在的引導(dǎo)情況或引導(dǎo)序列或組合變化。基本上，當客戶需要它時，就會生成一些新的RTL，并將其放入該客戶的排序要求中?！?/span>混合和匹配各種組件和過程也會產(chǎn)生一些意想不到的結(jié)果?？紤]混合鍵合，它提供了一種比將它們焊接在一起更直接的方式來連接不同的組件。“由于焊料的低溫工藝，它限制了許多下游應(yīng)用，”Brewer Science晶圓級加工業(yè)務(wù)部執(zhí)行董事Kim Yes說。“我們還看到客戶在進行焊球集成的地方，有很多的變形或斷裂，他們現(xiàn)在正在考慮混合粘合。這將比真正的異構(gòu)集成更快。”銅到銅混合鍵合是最遠的，但目前正在進行使用電介質(zhì)進行鍵合的工作?！拔覀冋谂c聚合物電介質(zhì)并行工作，以做同樣的事情，” Brewer Science的科學家Dongshun Bai說?！八蕴幱谠缙诎l(fā)展階段”。混合鍵合的另一個優(yōu)點是它減少了粘接中的應(yīng)力點，這可能導(dǎo)致焊球出現(xiàn)裂紋，特別是在拐角處?！拔覀兟犝f過橫向?qū)R等重大挑戰(zhàn)，” Bai說?！叭绻麑市∮?微米，他們可能會有一些問題。如果微凸塊連接變小，穩(wěn)定性將是一個問題”。未來與過去不同，當整個芯片行業(yè)步調(diào)一致地走向下一個工藝節(jié)點時，有許多可能的途徑在考慮之中。現(xiàn)有節(jié)點的工作是使用曲線掩模形狀在光掩模上更準確地打印特征。“今天，即使你畫了一個圓圈，它最終也會在面具上扭曲，”D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura說。“為了每次都始終如一地做到這一點，它必須大得多，而這不會有用。所以你必須走到生存能力的邊緣，但是如果根據(jù)常規(guī)，想要可靠它必須更大。但你的工作是讓它盡可能小?！?/span>這就是曲線面罩的適用范圍。使用多光束電子束，可以更準確地打印掩模形狀，以基本上關(guān)閉為解釋這些不準確而創(chuàng)建的空白。如果操作正確，這些技術(shù)可以幫助擴展節(jié)點。如果這還不夠，那么目前正在進行開發(fā)工作，涉及碳納米管FET的2D材料，這些材料在所有領(lǐng)先的代工廠都受到關(guān)注。這些結(jié)構(gòu)是否真的會為主流應(yīng)用、特種芯片實現(xiàn)，還是根本就要不會實現(xiàn)，還有待觀察。雖然使用特殊材料對不同晶體管結(jié)構(gòu)的研究仍在繼續(xù)，但領(lǐng)先的 代工廠正在尋求架構(gòu)和先進封裝作為可能的前進道路，無論是否有OSAT的幫助。看起來，競爭正在升溫而不是消退，并且正在以盡可能低的成本和最大的可靠性快速“大規(guī)模定制”半導(dǎo)體?，F(xiàn)在的問題是，哪條路是最好的前進道路，這還有待證明。
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