羅姆社長(zhǎng)：中國(guó)功率半導(dǎo)體追趕速度驚人

 用于控制電力的「功率半導(dǎo)體」左右著純電動(dòng)汽車(chē)（EV）的節(jié)能性能。在半導(dǎo)體行業(yè)，日本企業(yè)的存在感正在減弱，但在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，日本企業(yè)則擁有30％的全球份額。日本經(jīng)濟(jì)新聞就應(yīng)對(duì)激烈競(jìng)爭(zhēng)的對(duì)策采訪了世界半導(dǎo)體大企業(yè)羅姆 (ROHM) 的社長(zhǎng)松本功。

    記者：日本企業(yè)正在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域拼盡全力。

    松本功：用于運(yùn)算等的半導(dǎo)體的微細(xì)加工技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一定程度的商品化。但另一方面，功率半導(dǎo)體的材料開(kāi)發(fā)則需要大量化學(xué)等方面的知識(shí)經(jīng)驗(yàn)。在減少電阻的新材料開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)方面，日本企業(yè)處于領(lǐng)先地位。從作為原材料的晶圓到用于最終產(chǎn)品的電源外圍設(shè)備，我們公司都有涉及。我們正通過(guò)一貫制生產(chǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)質(zhì)量管理和穩(wěn)定供應(yīng)。

    記者：增產(chǎn)和研發(fā)方面的競(jìng)爭(zhēng)狀況如何？

    松本功：自2021年起，脫碳風(fēng)潮興起，汽車(chē)純電動(dòng)化的趨勢(shì)提前了兩年。與使用硅材料的產(chǎn)品相比，使用電力損耗大幅減少的新一代材料「碳化硅（SiC）」的功率半導(dǎo)體的需求增加。以美歐廠商為中心，展開(kāi)了投資競(jìng)爭(zhēng)。

    中國(guó)正在舉全國(guó)之力推進(jìn)這方面的開(kāi)發(fā)，其追趕速度驚人。（中國(guó)）在各地建立了使用生產(chǎn)效率高的大口徑晶圓的工廠。我們公司從20多年前就開(kāi)始與京都大學(xué)等合作研究碳化硅材料，積累了相關(guān)技術(shù)，但如果不能繼續(xù)走在前面的話，形勢(shì)就會(huì)被逆轉(zhuǎn)。

    記者：通過(guò)什么來(lái)分出勝負(fù)？

    松本功：在迅速擴(kuò)大的市場(chǎng)上，作為知名度源泉的市占率非常重要。汽車(chē)制造商在新車(chē)上市幾年之前就開(kāi)始篩選半導(dǎo)體。需要瞄準(zhǔn)未來(lái)5年提前建立供應(yīng)體制。我們公司最早將于2022年內(nèi)在福岡縣啟用新廠房大樓進(jìn)行生產(chǎn)，目標(biāo)是到2025財(cái)年（截至2026年3月）在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得3成世界份額。

    記者：如何克服中美半導(dǎo)體主導(dǎo)權(quán)之爭(zhēng)帶來(lái)的困難?

    松本功：加工晶圓的半導(dǎo)體前制程離不開(kāi)美國(guó)生產(chǎn)的加工設(shè)備。如果今后中美對(duì)立進(jìn)一步加劇，連日本企業(yè)使用美國(guó)的設(shè)備生產(chǎn)出來(lái)的半導(dǎo)體都無(wú)法向中國(guó)出口的話，將會(huì)出現(xiàn)負(fù)面影響。我們公司正在開(kāi)拓工業(yè)機(jī)械用半導(dǎo)體需求旺盛的歐洲市場(chǎng)等。

    記者：日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否卷土重來(lái)？

    松本功：中國(guó)大陸和臺(tái)灣通過(guò)政策培養(yǎng)了半導(dǎo)體工程師，相關(guān)人數(shù)迅速增加。日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在1990年代以后急劇衰退，對(duì)學(xué)生來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體行業(yè)的就業(yè)吸引力下降?，F(xiàn)在以相關(guān)工廠越來(lái)越多的九州為中心，人才爭(zhēng)奪十分激烈。日本需要從人才培養(yǎng)做起，重新審視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

    日本功率半導(dǎo)體，瘋狂擴(kuò)產(chǎn)

    日本瑞薩今日宣布，將對(duì)其位于甲府的甲府工廠進(jìn)行價(jià)值 900 億日元的投資。他們指出，雖然工廠于 2014 年 10 月關(guān)閉，但瑞薩電子計(jì)劃在 2024 年重新開(kāi)放該工廠，作為能夠制造IGBT和功率MOSFET的300 毫米功率半導(dǎo)體晶圓廠。

    瑞薩表示，隨著碳中和勢(shì)頭的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)全球?qū)?yīng)和管理電力的高效功率半導(dǎo)體的需求將在全球范圍內(nèi)急劇增加。瑞薩特別預(yù)計(jì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的需求將快速增長(zhǎng)，因此計(jì)劃提高其 IGBT 等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，為脫碳做出貢獻(xiàn)。一旦甲府工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，瑞薩功率半導(dǎo)體的總產(chǎn)能將翻一番。

    瑞薩電子的全資子公司瑞薩半導(dǎo)體制造有限公司的甲府工廠此前經(jīng)營(yíng) 150mm 和 200mm 晶圓制造線。為了提高產(chǎn)能，瑞薩決定利用工廠的剩余建筑，將其恢復(fù)為專用于功率半導(dǎo)體的 300 毫米晶圓廠。

    瑞薩電子總裁兼首席執(zhí)行官 Hidetoshi Shibata 表示：“可持續(xù)發(fā)展是我們的核心，以‘讓我們的生活更輕松’為宗旨，我們希望建立一個(gè)可持續(xù)的未來(lái)，我們的半導(dǎo)體技術(shù)和解決方案有助于讓我們的生活更輕松?！?“這項(xiàng)投資使我們能夠擁有最大的專用于功率半導(dǎo)體的晶圓制造線，這是實(shí)現(xiàn)脫碳的關(guān)鍵。我們將繼續(xù)進(jìn)行必要的投資，以提高我們的內(nèi)部生產(chǎn)能力，同時(shí)進(jìn)一步加強(qiáng)與外包合作伙伴的聯(lián)系。為應(yīng)對(duì)中長(zhǎng)期需求增長(zhǎng)，瑞薩電子仍致力于確保供應(yīng)安全，為我們的客戶提供最佳支持?！?/p>

    東芝擴(kuò)產(chǎn)SiC和GaN，大幅提升功率半導(dǎo)體

    今年年初，東芝子公司表示，將在 4 月開(kāi)始的新財(cái)年增加資本支出，以在需求旺盛的情況下擴(kuò)大其主要生產(chǎn)基地的功率半導(dǎo)體器件的產(chǎn)能。

    東芝電子器件與存儲(chǔ)設(shè)備已為 2022 財(cái)年指定投資 1000 億日元（8.39 億美元），比 2021 財(cái)年 690 億日元的估計(jì)高出約 45%。

    這筆資金將資助在石川縣的生產(chǎn)子公司加賀東芝電子的場(chǎng)地建設(shè)一個(gè)新的制造設(shè)施，該設(shè)施計(jì)劃于 2023 年春季開(kāi)始。它還將包括在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)內(nèi)安裝一條新的生產(chǎn)線。此次升級(jí)預(yù)計(jì)將使東芝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高約 150%。

    功率器件用于電子設(shè)備中的電力供應(yīng)和控制，有助于減少能量損失。隨著向碳中和社會(huì)的努力加速和車(chē)輛電動(dòng)化，需求正在增加。

    產(chǎn)能擴(kuò)張將不僅涵蓋由硅片制成的功率器件，還包括以碳化硅和氮化鎵為晶圓的下一代芯片。

    東芝還將擴(kuò)大對(duì)另一個(gè)主要產(chǎn)品類(lèi)別硬盤(pán)的投資。它已開(kāi)發(fā)出將存儲(chǔ)容量提高到超過(guò) 30 TB 的技術(shù)，或比當(dāng)前可用水平高出 70% 以上，并致力于早期商業(yè)化。

    東芝電子器件和存儲(chǔ)公司正在設(shè)想數(shù)據(jù)中心和電源設(shè)備的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的增長(zhǎng)，并正在緊急加大在這兩個(gè)領(lǐng)域的投資。為了加強(qiáng)其重點(diǎn)，該部門(mén)在 2020 財(cái)年重組了其業(yè)務(wù)，結(jié)束了系統(tǒng)芯片業(yè)務(wù)的新發(fā)展。

    東芝已在截至 2025 財(cái)年的五年內(nèi)為設(shè)備業(yè)務(wù)指定投資 2900 億日元，而上一個(gè)五年期間為 1500 億日元。該集團(tuán)在當(dāng)前五年任期的前兩年使用了約 60% 的預(yù)算，如有必要，將考慮投入更多資金。

    該集團(tuán)已公布計(jì)劃拆分為三個(gè)針對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施、設(shè)備和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的公司。但大股東對(duì)此表示反對(duì)，分拆能否實(shí)現(xiàn)尚不確定。

    三菱電機(jī)：1300億投向功率半導(dǎo)體，謀劃8英寸SiC

    三菱電機(jī)于 2021 年 11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務(wù)的業(yè)務(wù)說(shuō)明會(huì)，并宣布將在未來(lái)五年內(nèi)向功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資 1300 億日元，直至 2025 年。該公司計(jì)劃在福山工廠（廣島縣福山市）新建一條 12 英寸（300 毫米）晶圓生產(chǎn)線，并計(jì)劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

    據(jù)該公司稱，由于汽車(chē)自動(dòng)化、消費(fèi)設(shè)備逆變器的進(jìn)步和工業(yè)/可再生能源的節(jié)能需求，功率器件市場(chǎng)在2020年到2025年之間將以12%的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）增長(zhǎng)。而電氣化鐵路的發(fā)展，以及自動(dòng)化的進(jìn)步。預(yù)計(jì)會(huì)以速度擴(kuò)大。

    功率器件市場(chǎng)前景

    三菱電機(jī)將公司功率器件業(yè)務(wù)的目標(biāo)設(shè)定為——到2025年銷(xiāo)售額2400億日元以上、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率10%以上。為實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，三菱電機(jī)將重點(diǎn)關(guān)注增長(zhǎng)預(yù)期較高的汽車(chē)領(lǐng)域和公司市場(chǎng)占有率較高的消費(fèi)領(lǐng)域，兩個(gè)領(lǐng)域按領(lǐng)域銷(xiāo)售的比例將從2020年的 50%提升到到2025年的65% 。

    公司的增長(zhǎng)目標(biāo)和業(yè)務(wù)政策

    三菱電機(jī)還表示還表示，與 2020 年相比，公司計(jì)劃到 2025 年將晶圓制造（前道處理）的產(chǎn)能翻一番。封裝和檢測(cè)環(huán)節(jié)（后道工序）也將“及時(shí)、適當(dāng)?shù)赝度搿币詽M足未來(lái)的需求。按照三菱電機(jī)的計(jì)劃，公司在未來(lái)五年（至2025年）的投資規(guī)模約為1300億日元。

    這項(xiàng)投資的一個(gè)典型例子是在福山工廠建設(shè) 8 英寸（200 毫米）和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開(kāi)始試運(yùn)行，并計(jì)劃于2022年春季開(kāi)始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標(biāo)是2024年。

    固定投資計(jì)劃概要

    新的12英寸生產(chǎn)線具有通過(guò)增加硅片直徑和通過(guò)自動(dòng)化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢(shì)，以及通過(guò)在內(nèi)部增加載流子存儲(chǔ)層實(shí)現(xiàn)低損耗的獨(dú)特“CSTBT cell結(jié)構(gòu)”晶圓。通過(guò)這種改進(jìn)，三菱電機(jī)希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率，三菱電機(jī)也將把它應(yīng)用到 RC-IGBT 上，以實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化，而汽車(chē)領(lǐng)域和消費(fèi)領(lǐng)域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。

    三菱電機(jī)同時(shí)表示，公司也在加強(qiáng)對(duì) SiC 的努力，它具有從大型電動(dòng)汽車(chē)擴(kuò)展到中型電動(dòng)汽車(chē)的潛力。除了將獨(dú)特的制造工藝應(yīng)用于溝槽 MOSFET 以進(jìn)一步提高性能和生產(chǎn)力之外，該公司還考慮制造 8 英寸Si晶圓。

    該公司表示，“我們將根據(jù)客戶的需求適當(dāng)?shù)厥褂霉韬?SiC 來(lái)加強(qiáng)我們的業(yè)務(wù)。通過(guò)提供集成了硅芯片 / SiC 芯片的模塊陣容，我們將滿足從小到大客戶的多樣化需求?！苯忉屨f(shuō)。

    富士電機(jī)表示，將增產(chǎn)功率半導(dǎo)體

    2022年1月27日，富士電機(jī)表示，將增產(chǎn)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地富士電機(jī)津輕半導(dǎo)體（青森縣五所川原市/以下簡(jiǎn)稱津輕工廠）的SiC（碳化硅）產(chǎn)能。量產(chǎn)計(jì)劃在截至 2025 年 3 月的財(cái)政年度開(kāi)始。

    未來(lái)五年，富士電機(jī)將擴(kuò)大 8 英寸硅片前端生產(chǎn)線為中心，進(jìn)行與功率半導(dǎo)體相關(guān)的資本投資，總額 將高達(dá)1200 億日元。但是，為了應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源對(duì)功率半導(dǎo)體的需求增加，富士電機(jī)決定追加投資，包括在津輕工廠建設(shè) SiC 功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

    “功率半導(dǎo)體的資本投資預(yù)計(jì)將增加到1900億日元，”該公司表示。

    羅姆，繼續(xù)加碼SiC

    搶攻電動(dòng)車(chē)(EV)商機(jī)、日廠忙增產(chǎn)EV用次世代半導(dǎo)體「碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體」。

    據(jù)日經(jīng)新聞早前報(bào)導(dǎo)，因看好來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)的需求將擴(kuò)大，也讓羅姆(Rohm)等日本廠商開(kāi)始相繼增產(chǎn)節(jié)能性能提升的EV用次世代半導(dǎo)體。各家日廠增產(chǎn)的對(duì)象為用來(lái)供應(yīng)\控制電力的「功率半導(dǎo)體」產(chǎn)品，不過(guò)使用的材料不是現(xiàn)行主流的硅(Si)、而是采用了碳化硅(SiC)。SiC功率半導(dǎo)體使用于EV逆變器上的話，耗電力可縮減5-8%、可提升續(xù)航距離，目前特斯拉(Tesla)和中國(guó)車(chē)廠已開(kāi)始在部分車(chē)款上使用SiC功率半導(dǎo)體。

    報(bào)導(dǎo)指出，因看好來(lái)自EV的需求有望呈現(xiàn)急速擴(kuò)大，羅姆將投資500億日?qǐng)A、目標(biāo)在2025年之前將SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高至現(xiàn)行的5倍以上。羅姆位于福岡縣筑后市的工廠內(nèi)已蓋好SiC新廠房、目標(biāo)2022年啟用，中國(guó)吉利汽車(chē)的EV已決定采用羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，而羅姆目標(biāo)在早期內(nèi)將全球市占率自現(xiàn)行的近2成提高至3成。

    羅姆在該領(lǐng)域一直處于領(lǐng)先地位，2010 年量產(chǎn)了世界上第一個(gè) SiC 晶體管。2009 年收購(gòu)的德國(guó)子公司 SiCrystal 生產(chǎn) SiC 晶圓，使羅姆具備了從頭到尾的生產(chǎn)能力。它最近在日本福岡縣的一家工廠開(kāi)設(shè)了一個(gè)額外的生產(chǎn)設(shè)施，這是將產(chǎn)能增加五倍以上的計(jì)劃的一部分。

    攜手電裝，聯(lián)電將在日本建12吋IGBT線

    早前，日本電裝（DENSO）發(fā)表消息稱，公司將和全球半導(dǎo)體代工廠聯(lián)合微電子公司達(dá)成協(xié)議，同意在聯(lián)電日本晶圓廠子公司USJC 300 毫米晶圓廠，合作生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，以滿足汽車(chē)市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求。

    USJC 的晶圓廠將安裝絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 生產(chǎn)線，這將是日本第一家在 300 毫米晶圓上生產(chǎn) IGBT 的工廠。DENSO 將貢獻(xiàn)其面向系統(tǒng)的 IGBT 器件和工藝技術(shù)，而 USJC 將提供其 300mm 晶圓制造能力，以將 300mm IGBT 工藝量產(chǎn)，該計(jì)劃于 2023 年上半年開(kāi)始。此次合作得到了改造和脫碳計(jì)劃的支持日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省不可缺少的半導(dǎo)體。

    隨著全球減少碳排放的努力，電動(dòng)汽車(chē)的開(kāi)發(fā)和采用加速，汽車(chē)電氣化所需的半導(dǎo)體需求也在迅速增加。IGBT 是功率卡中的核心器件，用作逆變器中的高效功率開(kāi)關(guān)，用于轉(zhuǎn)換直流和交流電流，以驅(qū)動(dòng)和控制電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)。

    “DENSO 很高興成為日本首批開(kāi)始在 300 毫米晶圓上量產(chǎn) IGBT 的公司的成員，”電裝總裁 Koji Arima 說(shuō)?！半S著移動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，包括自動(dòng)駕駛和電氣化，半導(dǎo)體在汽車(chē)行業(yè)變得越來(lái)越重要。通過(guò)此次合作，我們將為功率半導(dǎo)體的穩(wěn)定供應(yīng)和汽車(chē)的電氣化做出貢獻(xiàn)。”

    “作為日本的主要代工企業(yè)，USJC 致力于支持政府促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)和向更環(huán)保的電動(dòng)汽車(chē)過(guò)渡的戰(zhàn)略，”USJC 總裁 Michiari Kawano 說(shuō)?！拔覀兿嘈?，我們獲得汽車(chē)客戶認(rèn)證的代工服務(wù)與電裝的專業(yè)知識(shí)相結(jié)合，將生產(chǎn)出高質(zhì)量的產(chǎn)品，為未來(lái)的汽車(chē)趨勢(shì)提供動(dòng)力?！?/p>

    “我們很高興與電裝這樣的領(lǐng)先公司進(jìn)行這種雙贏的合作。這是聯(lián)電的一個(gè)重要項(xiàng)目，將擴(kuò)大我們?cè)谄?chē)領(lǐng)域的相關(guān)性和影響力，”聯(lián)電聯(lián)席總裁 Jason Wang 說(shuō)。“憑借我們強(qiáng)大的先進(jìn)專業(yè)技術(shù)組合和位于不同地點(diǎn)的 IATF 16949 認(rèn)證晶圓廠，聯(lián)華電子能夠很好地滿足汽車(chē)應(yīng)用的需求，包括先進(jìn)的駕駛輔助系統(tǒng)、信息娛樂(lè)、連接和動(dòng)力系統(tǒng)。我們期待在未來(lái)與汽車(chē)領(lǐng)域的頂級(jí)參與者利用更多的合作機(jī)會(huì)?！?/p>

    此外，在去年十二月，電裝還宣布，作為其實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)努力的一部分，其配備了高質(zhì)量的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體的最新型號(hào)升壓功率模塊已開(kāi)始量產(chǎn)，并被用于于2020 年 12 月 9 日上市的豐田新 Mirai 車(chē)型上。

    在介紹中，DENSO表示，公司開(kāi)發(fā)了 REVOSIC 技術(shù)，旨在將 SiC 功率半導(dǎo)體（二極管和晶體管）應(yīng)用于車(chē)載應(yīng)用。他們指出，碳化硅是一種與傳統(tǒng)硅（Si）相比在高溫、高頻和高壓環(huán)境中具有優(yōu)越性能的半導(dǎo)體材料。因此，在關(guān)鍵器件中使用 SiC 以顯著降低系統(tǒng)的功率損耗、尺寸和重量并加速電氣化引起了廣泛關(guān)注。

    2014 年，DENSO 推出了一款用于非汽車(chē)應(yīng)用的 SiC 晶體管，并將其商業(yè)化用于音頻產(chǎn)品。DENSO 繼續(xù)對(duì)車(chē)載應(yīng)用進(jìn)行研究，2018 年，豐田在其 Sora 燃料電池巴士中使用了車(chē)載 SiC 二極管。

    現(xiàn)在，DENSO 開(kāi)發(fā)了一種新的車(chē)載 SiC 晶體管，這標(biāo)志著 DENSO 首次將 SiC 用于車(chē)載二極管和晶體管。新開(kāi)發(fā)的SiC 晶體管在車(chē)載環(huán)境中提供高可靠性和高性能，這對(duì)半導(dǎo)體提出了挑戰(zhàn)，這要?dú)w功于 DENSO 獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)，應(yīng)用了溝槽柵極 MOSFET。搭載SiC功率半導(dǎo)體（二極管、晶體管）的新型升壓功率模塊與搭載Si功率半導(dǎo)體的以往產(chǎn)品相比，體積縮小約30%，功率損耗降低約70%，有助于實(shí)現(xiàn)小型化。升壓電源模塊，提高車(chē)輛燃油效率。

    DENSO 表示，公司將繼續(xù)致力于 REVOSIC 技術(shù)的研發(fā)，將技術(shù)應(yīng)用擴(kuò)展到電動(dòng)汽車(chē)，包括混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)，從而助力建設(shè)低碳社會(huì)。

    近日，DENSO 在一篇新聞稿中指出，功率半導(dǎo)體就像人體的肌肉。它根據(jù)來(lái)自 ECU（大腦）的命令移動(dòng)諸如逆變器和電機(jī)（四肢）之類(lèi)的組件。車(chē)載產(chǎn)品中使用的典型功率半導(dǎo)體由硅 (Si) 制成。相比之下，碳化硅在高溫、高頻和高壓環(huán)境中具有卓越的性能，有助于顯著降低逆變器的功率損耗、尺寸和重量。因此，SiC 器件因其加速車(chē)輛電氣化而受到關(guān)注。

    電裝指出，與采用硅功率半導(dǎo)體的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，采用公司碳化硅功率半導(dǎo)體的升壓功率模塊體積縮小了約 30%，功率損耗降低了 70%。這就可以讓產(chǎn)品變得更小，車(chē)輛燃油效率得到提高。

    電裝工程師也表示，與硅相比，碳化硅的電阻低，因此電流更容易流動(dòng)。由于這種特性，一個(gè)原型 SiC 器件被突然的大電流浪涌損壞。為此電裝的多部門(mén)合作討論如何在充分利用 SiC 的低損耗性能的同時(shí)防止損壞市場(chǎng)上的設(shè)備，并以一個(gè)我們部門(mén)無(wú)法單獨(dú)提出的想法解決了這個(gè)問(wèn)題：使用特殊的驅(qū)動(dòng)器 IC 高速切斷電流。