士蘭微募資65億，發(fā)展SiC功率器件等項(xiàng)目

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近日，杭州士蘭微發(fā)布2022年度非公開發(fā)行A股股****預(yù)案。士蘭微在yu本次非公開發(fā)行A股股****募集資金總額不超過650,000.00萬元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬投資于如下項(xiàng)目：

按照士蘭微所說，半導(dǎo)體集成電路是全球重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一，是當(dāng)今世界競(jìng)爭(zhēng)最激烈、發(fā)展最迅速的領(lǐng)域，對(duì)世界經(jīng)濟(jì)的發(fā)展有著強(qiáng)有力的驅(qū)動(dòng)作用，是 21 世紀(jì)信息社會(huì)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)。

中國半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)過三十多年的發(fā)展，經(jīng)歷了自主研發(fā)創(chuàng)業(yè)、引進(jìn)提高和重點(diǎn)建設(shè)三個(gè)重要發(fā)展階段。目前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然已有一定的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)能力、生產(chǎn)技術(shù)水平、產(chǎn)品銷售額和市場(chǎng)占比等方面，與經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)國家相比仍有相當(dāng)?shù)木嚯x，其中核心的關(guān)鍵產(chǎn)品仍以進(jìn)口為主。面對(duì)國內(nèi)外半導(dǎo)體廣闊的市場(chǎng)需求和發(fā)展機(jī)遇，大力發(fā)展中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟(jì)信息化和實(shí)現(xiàn)中國國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展第三步戰(zhàn)略目標(biāo)的迫切需要，也是增強(qiáng)中國在下一個(gè)世紀(jì)綜合經(jīng)濟(jì)實(shí)力和競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的必然要求。

我國“十四五”規(guī)劃將半導(dǎo)體和集成電路列為“事關(guān)國家安全和發(fā)展全局的基礎(chǔ)核心領(lǐng)域”，集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)以及集成電路先進(jìn)工藝、IGBT 和 MEMS 等特色工藝突破都被予以重點(diǎn)關(guān)注。政策的強(qiáng)力支持將持續(xù)推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)，推動(dòng)一批有實(shí)力的國產(chǎn)廠商打破國際巨頭的技術(shù)壟斷，逐步推動(dòng)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代的進(jìn)程。

士蘭微進(jìn)一步指出，功率芯片可以用來控制電路通斷，從而實(shí)現(xiàn)電力變換。據(jù) Omida 預(yù)計(jì)，2021年全球和中國功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間分別為 462 億美元和 182 億美元，至 2025 年有望分別達(dá)到 548 億美元和 195 億美元，2021 年至 2025 年的復(fù)合增速分別為5.92%和 4.55%。

而作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC 具有寬禁帶寬度，高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。在新能源汽車領(lǐng)域，SiC 功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動(dòng)和控制電機(jī)的逆變器、車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、車載充電器（OBC）等。車載充電器和充電樁使用 SiC 器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢(shì)，可實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。

據(jù) Yole 預(yù)測(cè)，2025 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 25.62 億美元，2019-2025 年均復(fù)合增長(zhǎng)率超過 30%；其中新能源汽車市場(chǎng)（主逆變器+車載充電器+車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器）規(guī)模占比最大，增速最快，2025 年新能源汽車市場(chǎng) SiC 功率半導(dǎo)體規(guī)模達(dá)到 15.53 億美元，2019-2025年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 38%。隨著新能源汽車及其充電系統(tǒng)的快速發(fā)展，SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間廣闊。

在士蘭微方面，經(jīng)過二十多年的發(fā)展，堅(jiān)持走“設(shè)計(jì)制造一體化”道路的公司已經(jīng)打通了“芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)了“從 5 吋到 12 吋”的跨越，在功率半導(dǎo)體（功率 IC、功率器件和功率模塊）、MEMS 傳感器、光電產(chǎn)品和高端 LED 芯片等領(lǐng)域構(gòu)筑了核心競(jìng)爭(zhēng)力，已成為目前國內(nèi)最主要的半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)之一。

士蘭微表示，本次非公開發(fā)行募集資金擬主要用于投資建設(shè)“年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”、“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”和“汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）”。其中，“年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目”建成后將形成一條年產(chǎn) 36 萬片 12英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；“SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn) 14.4 萬片SiC-MOSFET/SBD 功率半導(dǎo)體器件芯片的生產(chǎn)能力；“汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）”達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) 720 萬塊汽車級(jí)功率模塊的新增產(chǎn)能。

按照士蘭微所說，上述三個(gè)項(xiàng)目建設(shè)系公司在高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一，是公司積極推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)轉(zhuǎn)型的重要舉措。公司將充分利用自身在車規(guī)和工業(yè)級(jí)功率半導(dǎo)體器件與模塊領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和 IDM 模式下的長(zhǎng)期積累，把握當(dāng)前汽車和新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇，進(jìn)一步加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐，抓住國內(nèi)高門檻行業(yè)和客戶積極導(dǎo)入國產(chǎn)芯片的時(shí)間窗口，擴(kuò)大公司功率芯片產(chǎn)能規(guī)模、銷售占比和成本優(yōu)勢(shì)，不斷提升市場(chǎng)份額和盈利能力。該項(xiàng)目的順利實(shí)施有助于提高公司對(duì)下游市場(chǎng)的供貨保障能力和客戶供應(yīng)鏈安全性，持續(xù)鞏固公司國內(nèi)半導(dǎo)體IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)地位，實(shí)現(xiàn)打造具有國際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商的戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)。

本次募集資金投資項(xiàng)目的具體情況

（一）年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目

1、項(xiàng)目概況

年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目系公司加快產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、持續(xù)鞏固國內(nèi)半導(dǎo)體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)地位、把握功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展機(jī)遇、打造具有國際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)而計(jì)劃實(shí)施的投資項(xiàng)目。

項(xiàng)目實(shí)施主體為公司控股子公司士蘭集昕，募集資金將通過公司向士蘭集昕增資的方式投入；項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為浙江省杭州錢塘新區(qū)（下沙）M6-19-3（東區(qū)10 號(hào)路與 19 號(hào)路交叉口）地塊。該項(xiàng)目將建設(shè)形成一條年產(chǎn) 36 萬片 12 英寸功率芯片生產(chǎn)線，用于生產(chǎn) FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET 功率芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，新增 FS-IGBT 功率芯片 12 萬片/年、T-DPMOSFET 功率芯片12 萬片/年和 SGT-MOSFET 功率芯片 12 萬片/年的生產(chǎn)能力。

（二）SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目

1、項(xiàng)目概況

SiC 功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目系公司加快產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、持續(xù)鞏固國內(nèi)半導(dǎo)體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)地位、把握功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展機(jī)遇、打造具有國際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)而計(jì)劃實(shí)施的投資項(xiàng)目。

項(xiàng)目實(shí)施主體為公司的參股子公司士蘭明鎵，募集資金將通過公司向士蘭明鎵增資的方式投入，本次增資后公司將取得士蘭明鎵的控制權(quán)；項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路 99 號(hào)。該項(xiàng)目在士蘭明鎵現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過購置生產(chǎn)設(shè)備提升 SiC 功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn) SiCMOSFET、SiC SBD 芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增 SiC MOSFET 芯片 12 萬片/年、SiC SBD 芯片 2.4 萬片/年的生產(chǎn)能力。

（三）汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）

1、項(xiàng)目概況

汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）系公司加快產(chǎn)能建設(shè)和產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)、持續(xù)鞏固國內(nèi)半導(dǎo)體 IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)地位、把握功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展機(jī)遇、打造具有國際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商這一戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)而計(jì)劃實(shí)施的投資項(xiàng)目。

項(xiàng)目實(shí)施主體為公司控股子公司成都士蘭，募集資金將通過公司向成都士蘭增資的方式投入；項(xiàng)目建設(shè)地點(diǎn)為四川省成都市成都-阿壩工業(yè)集中發(fā)展區(qū)。該項(xiàng)目將在現(xiàn)有功率模塊封裝生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上，通過購置模塊封裝生產(chǎn)設(shè)備提升汽車級(jí)功率模塊的產(chǎn)能；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，新增年產(chǎn) 720 萬塊汽車級(jí)功率模塊。