聯(lián)電將投資5000億在日本擴產(chǎn)？公司回應！

來源：moneyDJ

據(jù)日媒報導，因車用需求穩(wěn)健，臺灣聯(lián)電(2303)考慮投資5,000億日圓、在日本興建半導體新廠。日刊工業(yè)新聞16日報導，因車用等需求穩(wěn)健，晶圓代工大廠聯(lián)電考慮在日本三重縣桑名市的現(xiàn)有工廠(三重工廠、見圖)廠區(qū)內(nèi)興建半導體新廠，投資額預估達5,000億日圓。

聯(lián)電日本子公司USJC和車用電子供應商日本電裝(DENSO)去年4月26日共同宣布，雙方已同意在USJC的12吋晶圓廠合作生產(chǎn)車用功率半導體，預計在2023年上半年以絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)制程在12吋晶圓產(chǎn)線進行量產(chǎn)，以滿足車用市場日益增長的需求。USJC將在晶圓廠裝設(shè)一條IGBT產(chǎn)線，成為日本第一個以12吋晶圓生產(chǎn)IGBT的晶圓廠。

臺積電總裁魏哲家1月12日在法說會上表示，考慮在日本建造第二座晶圓廠，只要客戶需求和政府的支持水準合乎情理。

臺積電目前興建中的熊本工廠預計2024年12月啟用生產(chǎn)，總投資額86億美元、其中日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省最高將補助4,760億日圓，目前規(guī)劃將生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm制程晶片，月產(chǎn)能為5.5萬片。

聯(lián)電對此表示并無此事。

聯(lián)電USJC攜手DENSO，打造日本首條12吋IGBT晶圓廠

日本電裝株式會社（DENSO）和聯(lián)華電子日本子公司USJC在去年年初共同宣布新的合作計劃，將在USJC的12吋晶圓廠合作生產(chǎn)車用功率半導體，以滿足車用市場日益增長的需求。

未來USJC將在晶圓廠裝設(shè)一條絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT, insulated gate bipolar transistor）產(chǎn)線，成為日本第一個以12吋晶圓生產(chǎn)IGBT的晶圓廠。

聯(lián)電表示，目前全球減少碳排放的努力，電動車的開發(fā)和市場需求快速成長，車用電子化所需的半導體數(shù)量也在迅速增加，而IGBT是電源卡的核心裝置，是變流器中的高效電源開關(guān)，以轉(zhuǎn)換直流和交流電，從而驅(qū)動及控制電動車馬達。

DENSO將提供其系統(tǒng)導向的IGBT元件與制程技術(shù)，而USJC則提供12吋晶圓廠制造能力，預計在2023年上半年達成IGBT制程在12吋晶圓的量產(chǎn)，而該項合作已獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的必要性半導體減碳及改造計畫的支持。

DENSO總裁暨執(zhí)行長有馬浩二（Koji Arima）指出，隨著行動技術(shù)的發(fā)展，包括自動駕駛和電氣化，半導體在汽車業(yè)變得越來越重要，DENSO成為日本首批開始以12吋晶圓量產(chǎn)IGBT的公司，透過這項合作為功率半導體的穩(wěn)定供應和車用電子化做出貢獻。

USJC總經(jīng)理河野通有（Michiari Kawano）表示，USJC承諾支持政府促進國內(nèi)半導體生產(chǎn)和朝向更環(huán)保的電動車轉(zhuǎn)型的策略，提供車用客戶認證的晶圓制造服務，搭配DENSO的專業(yè)知識，將生產(chǎn)高品質(zhì)的產(chǎn)品，為未來的車用發(fā)展提供動能。

聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，這是聯(lián)電的重大專案，將擴大聯(lián)電在車用電子領(lǐng)域的重要性和影響力，聯(lián)電以先進特殊制程組合以及設(shè)立在不同地區(qū)的IATF 16949認證的晶圓廠，用以滿足車用領(lǐng)域的需求，包括先進駕駛輔助系統(tǒng)、資訊娛樂、連結(jié)和動力系統(tǒng)等。