臺積電深度披露2nm,，介紹3nm的演進

在今天舉行的 2023 年北美技術(shù)研討會上，臺積電披露了有關(guān)其即將在 2025 年至 2026 年及以后推出的 N2 2nm 級生產(chǎn)節(jié)點計劃的更多詳細信息。臺積電的 N2 制造技術(shù)系列將隨著更多變化而擴展，包括具有背面供電的 N2P 和用于高性能計算的 N2X。在這些即將到來的 N2 代工藝節(jié)點之間，臺積電正在制定路線圖，以繼續(xù)其提高晶體管性能效率、優(yōu)化功耗和提高晶體管密度的不懈步伐。

N2 密度更高

臺積電去年推出的初始N2 制造工藝將成為代工廠龍頭第一個使用環(huán)柵 (GAAFET) 晶體管的節(jié)點，臺積電將其稱為 Nanosheet 晶體管。GAAFET 相對于當前 FinFET 晶體管的優(yōu)勢包括更低的漏電流（因為柵極存在于溝道的所有四個側(cè)面），以及調(diào)整溝道寬度以實現(xiàn)更高性能或更低功耗的能力。

臺積電在去年推出這項技術(shù)時表示，在相同的功率和復雜度下，可以將晶體管性能提升 10% 到 15%，或者在相同的時鐘和晶體管數(shù)量下，將功耗降低 25% 到 30%。該公司還表示，N2 將提供比N3E高 15% 以上的“混合”芯片密度，這比去年宣布的 10% 密度增加有所增加。

今天，該公司表示 N2 技術(shù)開發(fā)步入正軌，該節(jié)點將在 2025 年（可能是 2025 年很晚）進入大批量生產(chǎn)。該公司還表示，在進入 HVM 前兩年，其 Nanosheet GAA 晶體管性能已達到其目標規(guī)格的 80% 以上，并且 256Mb SRAM 測試 IC 的平均良率超過 50%。

“臺積電納米片技術(shù)展示了出色的電源效率和更低的 Vmin，最適合節(jié)能計算范式，”臺積電的一份聲明中寫道。

N2P在2026年獲得背面供電

臺積電的 N2 系列將在 2026 年的某個時候發(fā)展，屆時該公司計劃推出其 N2P 制造技術(shù)。N2P 將為 N2 的 Nanosheet GAA 晶體管添加背面電源軌。

背面供電旨在通過將電源軌移至背面來解耦 I/O 和電源布線，從而解決后端線路 (BEOL) 中過孔電阻升高等挑戰(zhàn)。反過來，這將提高晶體管性能并降低其功耗。此外，背面供電消除了數(shù)據(jù)和電源連接之間的一些潛在干擾。

背面供電是一項創(chuàng)新，其重要性怎么強調(diào)都不為過。多年來，芯片制造商一直在與芯片供電電路中的阻力作斗爭，而背面供電網(wǎng)絡 (PDN) 是解決這些問題的另一種方法。此外，去耦 PDN 和數(shù)據(jù)連接也有助于減少面積，因此與 N2 相比，N2P 有望進一步提高晶體管密度。

目前，臺積電并未透露任何有關(guān) N2P 相對于 N2 的性能、功耗和面積 (PPA) 優(yōu)勢的具體數(shù)字。但根據(jù)我們從業(yè)內(nèi)人士那里聽到的消息，單是背面電源軌就可以帶來個位數(shù)的功率改進和兩位數(shù)的晶體管密度改進。

臺積電表示，N2P 有望在 2026 年投產(chǎn)，因此我們可以推測，首款基于 N2P 的芯片將于 2027 年上市。這個時間表將使臺積電在背面功率方面落后競爭對手英特爾大約兩年，假設(shè)他們能夠在 2024 年按時交付自己的 20A 工藝。

N2X：更高的性能

除了可能成為臺積電 2nm 代工藝的主力軍的 N2P 之外，臺積電還在準備 N2X。這將是一種為高性能計算 (HPC) 應用量身定制的制造工藝，例如需要更高電壓和時鐘的高端 CPU。代工廠并未概述該節(jié)點與 N2、N2P 和 N3X 相比的具體優(yōu)勢，但與所有性能增強節(jié)點一樣，實際優(yōu)勢預計將在很大程度上取決于實施了多少設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) .

在介紹2nm的同時，臺積電在技術(shù)研討會上海深入介紹了公司3nm的演進路線。

詳細介紹3nm的演進

3nm是臺積電最后一代基于 FinFET 的工藝節(jié)點，N3 系列預計將在未來許多年內(nèi)以某種形狀或形式存在，作為不需要更先進的基于 GAAFET 工藝的客戶可用的最密集節(jié)點。

臺積電在 N3 前端的重大路線圖更新是 N3P 及其高性能變體 N3X。正如臺積電今天透露的那樣，N3P 將是 N3E 的光學縮小版，與 N3E 相比，提供增強的性能、更低的功耗和更高的晶體管密度，同時保持與 N3E 設(shè)計規(guī)則的兼容性。同時，N3X 將極致性能與 3 納米級密度相結(jié)合，為高性能 CPU 和其他處理器提供更高的時鐘速度。

作為快速復習，臺積電的 N3（3 納米級）工藝技術(shù)系列由多種變體組成，包括基準 N3（又名 N3B）、降低成本的寬松 N3E、具有增強性能和芯片密度的 N3P 以及具有更高電壓容限的 N3X . 去年該公司還談到了具有最大化晶體管密度的 N3S，但今年該公司對這個節(jié)點守口如瓶，幻燈片中的任何地方都沒有提到它。

臺積電的普通 N3 節(jié)點具有多達 25 個 EUV 層，臺積電在其中一些層上使用 EUV 雙圖案，以實現(xiàn)比 N5 更高的邏輯和 SRAM 晶體管密度。EUV 步驟通常很昂貴，而 EUV 雙圖案化進一步推高了這些成本，這就是為什么這種制造工藝預計只會被少數(shù)不關(guān)心所需高額支出的客戶使用。

大多數(shù)對 3nm 級工藝感興趣的臺積電客戶預計將使用寬松的 N3E 節(jié)點，根據(jù)臺積電的說法，該節(jié)點正在按計劃實現(xiàn)其性能目標。N3E 使用多達 19 個 EUV 層，完全不依賴 EUV 雙圖案化，降低了其復雜性和成本。權(quán)衡是 N3E 提供比 N3 更低的邏輯密度，并且它具有與 TSMC 的 N5 節(jié)點相同的 SRAM 單元尺寸，這使得它對那些追求密度/面積增益的客戶的吸引力有所降低?？傮w而言，N3E 有望提供更寬的工藝窗口和更高的良率，這是芯片制造中的兩個關(guān)鍵指標。

臺積電業(yè)務發(fā)展副總裁 Kevin Zhang 表示：“N3E 在良率、工藝復雜性方面將優(yōu)于 N3，這直接轉(zhuǎn)化為 [更寬的] 工藝窗口?！?/p>

在 N3E 之后，臺積電將繼續(xù)使用 N3P 優(yōu)化 N3 系列的晶體管密度，N3P 將通過提供改進的晶體管特性建立在 N3E 的基礎(chǔ)上。改進的工藝節(jié)點將使芯片設(shè)計人員能夠在相同的泄漏下將性能提高 5%，或者在相同的時鐘下將功耗降低 5% ~ 10%。新節(jié)點還將為“混合”芯片設(shè)計增加 4% 的晶體管密度，臺積電將其定義為由 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬電路組成的芯片。

作為他們對 N3P 討論的一部分，臺積電強調(diào)密度的提高是通過調(diào)整其掃描儀的光學性能來實現(xiàn)的。因此，臺積電很可能會在這里縮小所有類型的芯片結(jié)構(gòu)，這將使 N3P 成為 SRAM 密集型設(shè)計的一個有吸引力的節(jié)點。

“N3P 是一種性能提升，它的性能提高了 5%，至少比 N3E 高出 5%，”張解釋說。它還具有 2% 的光學收縮，使晶體管密度達到 1.04 倍?！?/p>

由于N3P是N3E的光縮，它會保留N3E的設(shè)計規(guī)則，使芯片設(shè)計者能夠在新節(jié)點上快速復用N3E IP。因此，N3P 預計也將成為 TSMC 最受歡迎的 N3 節(jié)點之一，因此預計 Cadence 和 Synopsys 等 IP 設(shè)計公司將為該工藝技術(shù)提供各種 IP，從而在工藝中獲得與現(xiàn)有 N3E 的前向兼容性優(yōu)勢。臺積電表示，N3P 將于 2024 年下半年量產(chǎn)。

最后，對于 CPU 和 GPU 等高性能計算應用程序的開發(fā)人員，臺積電在過去幾代中一直提供其 X 系列高壓、以性能為中心的節(jié)點。正如在去年的活動中所披露的那樣，N3 系列將擁有自己的 X 變體，并帶有恰當命名的 N3X 節(jié)點。

與 N3E 相比，N3X 預計提供至少比 N3P 高 5% 的時鐘速度。這是通過使節(jié)點更能承受更高電壓來實現(xiàn)的，允許芯片設(shè)計人員提高時鐘速度以換取更高的整體泄漏。

臺積電聲稱 N3X 將支持（至少）1.2v 的電壓，這對于 3nm 級制造工藝來說是一個相當極端的電壓。反過來，泄漏成本也很高，臺積電預計在更平衡的 N3P 節(jié)點上功率泄漏將增加 250%。這強調(diào)了為什么 N3X 實際上只適用于 HPC 級處理器，并且芯片設(shè)計人員需要格外小心，以控制他們最強大（和耗電）的芯片。

至于晶體管密度，N3X 將提供與 N3P 相同的密度。臺積電還沒有評論它是否也會保持與 N3P 和 N3E 的設(shè)計規(guī)則兼容，所以看看最終會發(fā)生什么將會很有趣。

臺積電當前路線圖中的最后一個 N3 系列節(jié)點，該公司表示 N3X 將于 2025 年投入生產(chǎn)。

更多技術(shù)發(fā)布

在會上，臺積電還披露了TSMC 3DFabric先進封裝和硅堆疊——TSMC 3DFabric 系統(tǒng)集成技術(shù)的主要新發(fā)展，當中包括：

先進封裝——為了支持 HPC 應用在單個封裝中容納更多處理器和內(nèi)存的需求，臺積電正在開發(fā)基板上晶圓上芯片 (CoWoS) 解決方案，該解決方案具有高達 6 倍光罩尺寸（~5,000mm2）的 RDL 中介層，能夠可容納 12 個 HBM 內(nèi)存堆棧。

3D 芯片堆疊——臺積電宣布推出 SoIC-P，這是其集成芯片系統(tǒng) (SoIC) 解決方案的微凸塊版本，為 3D 芯片堆疊提供了一種經(jīng)濟高效的方式。SoIC-P 補充了 TSMC 現(xiàn)有的用于高性能計算 (HPC) 應用的無擾動解決方案，這些解決方案現(xiàn)在稱為 SoIC-X。

設(shè)計支持——臺積電推出了 3Dblox 1.5，這是其開放標準設(shè)計語言的最新版本，旨在降低 3D IC 設(shè)計的門檻。3Dblox 1.5 添加了自動凸點合成，幫助設(shè)計人員處理具有數(shù)千個凸點的大型芯片的復雜性，并有可能將設(shè)計時間縮短數(shù)月。

臺積電還表示，今年將發(fā)布新軟件，以幫助開發(fā)先進汽車計算機芯片的客戶更快地利用其最新技術(shù)。

臺積電是全球最大的半導體合約制造商。恩智浦半導體和意法半導體等許多汽車行業(yè)最大的芯片供應商都選擇臺積電制造芯片。但與消費電子產(chǎn)品中的芯片相比，汽車芯片必須滿足更高的堅固性和壽命標準。臺積電擁有用于汽車行業(yè)的特殊制造工藝，通常比消費類芯片的類似工藝晚幾年。

過去，汽車芯片公司需要額外的時間來為那些專門的生產(chǎn)線創(chuàng)建芯片設(shè)計。結(jié)果是汽車芯片可能比最新智能手機中的芯片落后數(shù)年。在技術(shù)大會上，臺積電推出了新軟件，使汽車芯片設(shè)計人員能夠提前兩年左右開始設(shè)計工作。這將使這些公司能夠使用臺積電 N3 芯片制造技術(shù)的汽車版本——這是消費設(shè)備的當前技術(shù)水平——一旦臺積電在 2025 年推出汽車級版本。

“從歷史上看，汽車一直遠遠落后于消費者，”臺積電業(yè)務發(fā)展副總裁 Kevin Zhang 在新聞發(fā)布會上表示?！澳鞘沁^去。這使我們的汽車客戶能夠更早地開始他們的設(shè)計——事實上，比之前早了兩年?！?/p>

張說，在大流行和隨之而來的汽車半導體短缺之前，汽車制造商通常將重要的芯片技術(shù)決策留給供應商。但現(xiàn)在，這些供應商和汽車制造商經(jīng)常與臺積電直接討論?！八麄兂浞忠庾R到他們需要直接接觸硅技術(shù)選擇，”張說。“在過去的幾年里，我親自會見了許多主要的汽車業(yè)首席執(zhí)行官。...我們在前期與他們密切合作。”

來源：世界半導體技術(shù)論壇