壯志凌云！三星半導(dǎo)體宣布：4年超越英偉達(dá)、5年擊敗臺(tái)積電！
發(fā)布人：旺材芯片
時(shí)間：2023-05-07
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根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體4日在KAIST（韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院）舉行了一場(chǎng)演講上，三星設(shè)備解決方案部門(mén)總裁慶桂顯（Kye hyun Kyung）提出了5年內(nèi)三星晶圓代工在先進(jìn)制程方面，將超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)臺(tái)積電的未來(lái)愿景。
根據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，Kye Hyun Kyung承認(rèn)當(dāng)前三星的晶圓代工技術(shù)落后于臺(tái)積電。他表示，三星的4納米技術(shù)較臺(tái)積電落后大約兩年，而其3納米技術(shù)則較臺(tái)積電落后大約一年。不過(guò)，等到2納米技術(shù)之際就會(huì)發(fā)生變化。他還進(jìn)一步的大膽預(yù)測(cè)，三星可以在5年內(nèi)超越臺(tái)積電。
報(bào)道指出，三星預(yù)計(jì)在未來(lái)5年內(nèi)超越臺(tái)積電的想法，是基于三星打算從3納米制程技術(shù)開(kāi)始使用Gate All Around制程技術(shù)開(kāi)始。GAA 工藝技術(shù)是下一代的先進(jìn)晶圓代工技術(shù)，可提供為更高的運(yùn)算性能、更低的功耗、以及最佳的芯片設(shè)計(jì)。
三星指出，相較于臺(tái)積電仍采用的FinFET技術(shù)，三星GAA制程技術(shù)能生產(chǎn)出比臺(tái)積電面積減少45%、運(yùn)算效能增加45%，能耗提升達(dá)50%的芯片。Kye Hyun Kyung指出，當(dāng)前客戶(hù)對(duì)三星電子的3納米GAA制程技術(shù)的反映很好。
Kye Hyun Kyung 進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，三星也在努力開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體的先進(jìn)封裝技術(shù)，以保持領(lǐng)先于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。他解釋?zhuān)S著半導(dǎo)體制成微縮變得越來(lái)越困難，性能最終將通過(guò)先進(jìn)封裝來(lái)提升。因此，三星在2022年成立了一個(gè)先進(jìn)封裝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，公司預(yù)計(jì)在3到4年內(nèi)會(huì)有顯著技術(shù)發(fā)展。而且，在不久的將來(lái)，存儲(chǔ)器在人工智能（AI）服務(wù)器中的重要性將超過(guò)英偉達(dá)GPU的重要性。因此，預(yù)計(jì)到2028年，我們將使發(fā)布以存儲(chǔ)器為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)。
事實(shí)上，先前有報(bào)道指稱(chēng)，三星表示近期旗下的4納米制程良率已獲得了改善、接近5納米制程的水平，而下一代的4納米制程將提供更高的良率。也因?yàn)?納米制程良率獲得改善情況下，在當(dāng)前臺(tái)積電4納米產(chǎn)能吃緊時(shí)，傳出處理器大廠AMD將部分4納米制程處理器訂單交由三星生產(chǎn)的消息。另外，Google 也將委托三星生產(chǎn)其Pixel 8 智能手機(jī)使用的Tensor 3 處理器，預(yù)計(jì)采用三星的第三代4納米節(jié)點(diǎn)制程。
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