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【氫氣安全】氫氣傳感器在半導(dǎo)體行業(yè)氫氣泄漏檢測中的應(yīng)用

發(fā)布人:電子汪 時間:2023-06-29 來源:工程師 發(fā)布文章

半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時代制造的基礎(chǔ),堪比工業(yè)時代的機(jī)床,是整個社會發(fā)展的基石和原動力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時期,我國也提出了《中國制造2025》,以通過智能制造實現(xiàn)由制造大國向制造強(qiáng)國的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實現(xiàn),以各種信息器件的使用為基礎(chǔ),半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。

在半導(dǎo)體行業(yè)中,每個工藝流程中引入的雜質(zhì)污染,都有可能造成半導(dǎo)體器件缺陷。

半導(dǎo)體器件的整個制造過程中會用到多種化學(xué)品,例如過氧化氫(H2O2)、鹽酸(HCl)、硫酸(H2SO4)等,進(jìn)行清洗和蝕刻。

過氧化氫作為強(qiáng)氧化劑,可用于清洗硅片、去除光刻
硝酸和氫氟酸混合物混合物用于蝕刻單晶硅和多晶硅
硫酸與過氧化氫的混合物可用于晶圓加工過程的清洗
鹽酸用于去除硅片表面的有機(jī)和金屬殘留等雜質(zhì)

隨著半導(dǎo)體器件性能的持續(xù)提高,對雜質(zhì)的控制要求也更加嚴(yán)格,所用化學(xué)品中的痕量的雜質(zhì)會影響最終產(chǎn)品的性能和產(chǎn)量。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會 (SEMI) 發(fā)布了有關(guān)高純試劑性能指標(biāo)的標(biāo)準(zhǔn), 規(guī)定絕大多數(shù)雜質(zhì)元素的含量不超過 10 ppt。

所以,制造半導(dǎo)體器件時,需要對清洗和蝕刻硅片過程中使用的化學(xué)品中的痕量污染物進(jìn)行常規(guī)監(jiān)測,必須盡可能地將痕量污染控制在最低濃度,ICP-MS 就是普遍采用的一種監(jiān)測工具。

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而測試過程中的等離子體、溶劑和基質(zhì)的多原子離子的干擾會導(dǎo)致背景信號升高、質(zhì)譜重疊,一些質(zhì)量較輕的元素處于痕量水平時難以被測量到,使分析測定困難。

利用低溫等離子體和碰撞/反應(yīng)池等方法可以解決這一背景干擾的問題。

針對ICP-MS開發(fā)的碰撞/反應(yīng)池,能夠通過化學(xué)反應(yīng)去除特定干擾,使一些分析難題得以解決。

在反應(yīng)池中,氫氣 (H2 ) 和氧氣 (O2 )常被用作反應(yīng)氣。分析物或干擾物在反應(yīng)池中與某一反應(yīng)氣發(fā)生反應(yīng),生成一個新質(zhì)量數(shù)的產(chǎn)物離子,通過這種質(zhì)量轉(zhuǎn)移或者原位質(zhì)量的方法,避開原質(zhì)量數(shù)的干擾。

例如

在H2原位質(zhì)量模式下測定硅:

在 m/z 28 處對主要的 Si 同位素產(chǎn)生干擾的14N2 + 和 12C16O+ 容易與 H2進(jìn)行反應(yīng),但 Si+ 卻不與 H2進(jìn)行反應(yīng)。于是,N2+ 和 CO+ 干擾通過反應(yīng)被去除,而 28Si+ 能不受干擾地以原位質(zhì)量進(jìn)行測定:

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在H2質(zhì)量轉(zhuǎn)移模式下測定氯 Cl:

16O18O1H+在 m/z 35 處對主要 Cl 同位素產(chǎn)生多原子干擾。這種 O2H+ 重疊的干擾可以通過測量 Cl 加氫反應(yīng)的產(chǎn)物離子 ClH2來有效去除。如下圖所示,Cl 與 H2反應(yīng)氣進(jìn)行連續(xù)反應(yīng)后生成產(chǎn)物離子:

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氫氣發(fā)生器——反應(yīng)池的氣體供應(yīng)

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氫氣發(fā)生器

氫氣發(fā)生器為反應(yīng)池提供滿足要求的氫氣,氫氣發(fā)生器體積小巧緊湊,可節(jié)省寶貴的實驗室空間,為實驗室提供可靠氫氣來源的同時減少碳排放。氫氣發(fā)生器采用PSA等技術(shù)有效去除水分,保證了氫氣的純度與品質(zhì)。相比于鋼瓶,氣體發(fā)生器是更安全、可靠而且方便的供氣方案。

使用氫氣發(fā)生器的安全性與方便性

與傳統(tǒng)的鋼瓶相比,使用氫氣發(fā)生器供應(yīng)氫氣有其不容忽視的優(yōu)勢。

氫氣發(fā)生器現(xiàn)場生產(chǎn)氫氣,根據(jù)客戶需求,即開即用,大大減少了等待鋼瓶安裝或定期更換鋼瓶造成的人力、時間成本。

鋼瓶中儲存大量的高壓氣體,如果迅速釋放到實驗室環(huán)境中,會造成安全隱患。尤其是使用氫氣鋼瓶時,還存在額外的爆炸風(fēng)險。一旦空氣中的氫氣的含量達(dá)到4.1%(按體積濃度計),會達(dá)到氫氣的爆炸下限,而引發(fā)危險。

氫氣發(fā)生器可提供一種安全的替代方案,無需大量儲存高壓氣體就可產(chǎn)生足夠的氫氣來供應(yīng)多種應(yīng)用。

除此之外,在氫氣安全上,發(fā)生器內(nèi)部有檢漏、壓力異常報警等功能,可以安裝氫氣探測器。因此,如果發(fā)生氫氣泄漏,整個系統(tǒng)會自動停止,以確保安全。工采網(wǎng)FAE建議氫氣探測器采用進(jìn)口氫氣傳感器,推薦選用英國alphasense 電化學(xué)氫氣傳感器(H2傳感器) - H2-BF和日本figaro 氫氣傳感器 - TGS2615-E00:

英國alphasense 電化學(xué)氫氣傳感器(H2傳感器)

一、英國alphasense 電化學(xué)氫氣傳感器H2-BF產(chǎn)品描述:
電化學(xué)氫氣傳感器H2-BF主要用于檢測大氣中氫氣的濃度,典型應(yīng)用于氫氣氣體變送器和各種氫氣檢測場合。

二、英國alphasense 電化學(xué)氫氣傳感器H2-BF主要參數(shù)
過載:20000ppm
響應(yīng)時間:< 100s
分辨率:2ppm
零點:±10ppm
尺寸:Φ32.3×16.5
氫氣檢測范圍:0-10000ppm
靈敏度:12 ~ 25nA/ppm

日本figaro 氫氣傳感器

日本figaro 氫氣傳感器 TGS2615-E00描述:

敏感素子由集成的加熱器以及在氧化鋁基板上的金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成,外殼采用標(biāo)準(zhǔn)TO-5金屬封裝。當(dāng)空氣中被檢測氣體存在時,該氣體的濃度越高傳感器的電導(dǎo)率也會越高。使用簡單的電路,就可以將電導(dǎo)率的變化轉(zhuǎn)換成與該氣體濃度相對應(yīng)的信號輸出。

TGS2615-E00 為了消除酒精等干擾氣體的影響而設(shè)置了過濾層,顯示出對氫氣很高選擇性的靈敏度特性。

日本figaro 氫氣傳感器 TGS2615-E00特點:

帶有增強(qiáng)選擇性的過濾層
低功耗
使用壽命長、成本低
應(yīng)用電路簡單

日本figaro 氫氣傳感器 TGS2615-E00規(guī)格:

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