半導(dǎo)體量測領(lǐng)域設(shè)備——無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)

在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點(diǎn)，往往需要對wafer進(jìn)行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關(guān)鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測，以及缺陷檢測等；用于檢測每一步工藝后wafer加工參數(shù)是否達(dá)到設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，以及缺陷閾值下限，從而進(jìn)行工藝控制與良率管理。半導(dǎo)體前道量檢測設(shè)備，要求精度高、效率高、重復(fù)性好，量檢測設(shè)備一般會(huì)涉及光電探測、精密機(jī)械、電子與計(jì)算機(jī)技術(shù)，因此在半導(dǎo)體設(shè)備中，技術(shù)難度高。

在wafer基材加工階段，從第一代硅，第二代砷化鎵到第三代也是現(xiàn)階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得，每片襯底在各工藝后及出廠前，都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)量測，需要相應(yīng)的幾何形貌量測設(shè)備。

下圖為國內(nèi)某頭部碳化硅企業(yè)產(chǎn)品規(guī)范，無論是production wafer，research wafer，還是dummy wafer，出廠前均要對幾何形貌參數(shù)進(jìn)行量測，以保證同批、不同批次產(chǎn)品的一致性、穩(wěn)定性，也能防止后序工藝由于wafer warpage過大，產(chǎn)生碎片、裂片的情況。

WD4000系列無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)，適用于線切、研磨、拋光工藝后，進(jìn)行wafer厚度（THK）、整體厚度變化（TTV）、翹曲度（Warp）、彎曲度（Bow）等相關(guān)幾何形貌數(shù)據(jù)測量，能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數(shù)，有效監(jiān)測wafer形貌分布變化，從而及時(shí)管控與調(diào)整生產(chǎn)設(shè)備的工藝參數(shù)，確保wafer生產(chǎn)穩(wěn)定且高效。