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京東方、北京大學(xué)新專利公布,涉及AR顯示、Micro LED芯片

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2024-04-03 來源:工程師 發(fā)布文章

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近日,京東方、北京大學(xué)相繼公布顯示相關(guān)專利,涉及AR眼鏡產(chǎn)品,Micro LED芯片制備。


京東方:“一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置”專利,可提高光效


國家專利局消息顯示,北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司“一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置”專利公布,申請(qǐng)公布日為2024年3月26日,申請(qǐng)公布號(hào)為CN117761825A。專利可提高AR顯示設(shè)備的光效。


圖片

圖片來源:國家專利局


專利信息顯示,本公開提供一種光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置,所述光波導(dǎo)器件包括:光波導(dǎo)板,及設(shè)于所述光波導(dǎo)板上的耦入光柵、反射元件和耦出光柵;其中,所述耦入光柵被配置為將入射光耦入至所述光波導(dǎo)板中,并在所述光波導(dǎo)板中形成衍射光線;所述反射元件被配置為接收來自所述光波導(dǎo)板中的所述衍射光線,并將所述衍射光線反射至所述耦出光柵;所述耦出光柵被配置為接收來自所述反射元件反射的衍射光線,并將所述衍射光線射出。本公開實(shí)施例提供的光波導(dǎo)器件及AR顯示裝置,其是提供了一種AR增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)顯示系統(tǒng)的新架構(gòu),能夠提高光效。

據(jù)悉,京東方在AR/VR設(shè)備領(lǐng)域上,可提供Micro OLED顯示模組和Fast LCD模組,尺寸包含0.39英寸至5.5英寸,具有高分辨率,快速響應(yīng),高刷新率等特點(diǎn),可應(yīng)用于多種微顯示場(chǎng)景。另外,京東方的MLDE技術(shù)也可為VR/AR等領(lǐng)域顯示產(chǎn)品提供高品質(zhì)及高可靠性的 LED 背光產(chǎn)品。

此前,京東方發(fā)布了多款微顯示新品,包括全球首發(fā)的1.3英寸雙目4K Micro OLED顯示屏,像素密度達(dá)4000+PPI,亮度達(dá)5000nits。京東方還推出了超薄大視角的Si-OLED雙目光學(xué)系統(tǒng),具有高亮度與顯示密度的同時(shí),產(chǎn)品更加輕薄。


北京大學(xué):申請(qǐng)Micro LED芯片專利,可降低制備復(fù)雜度


據(jù)國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,北京大學(xué)申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于無掩模二次外延的Micro-LED芯片陣列的制備方法“,公開號(hào)CN117766642A,申請(qǐng)日期為2023年12月。該專利可降低Micro LED制備工藝的復(fù)雜度。


圖片

圖片來源:國家專利局


專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種基于無掩模二次外延的Micro LED芯片陣列的制備方法。本發(fā)明通過對(duì)GaN模板進(jìn)行干法刻蝕,形成應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板,再在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板基礎(chǔ)上選區(qū)二次外延多量子阱等結(jié)構(gòu),有效避免對(duì)多量子阱區(qū)域進(jìn)行干法刻蝕,從而避免了多量子阱的側(cè)壁刻蝕損傷;應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板使得n型摻雜的GaN受到的應(yīng)力得到有效弛豫;在應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板上生長的預(yù)應(yīng)力層,所受到的壓應(yīng)力得到部分弛豫,面內(nèi)晶格常數(shù)得到擴(kuò)張,從而減小銦并入所需要的能量,增加多量子阱中銦的并入;在制備應(yīng)力弛豫圖形化GaN模板中的刻蝕,使得只有GaN微米柱陣列的頂面為c面,作為生長面;選區(qū)二次外延生長,不需要額外的掩模,降低了Micro LED制備工藝的復(fù)雜度。


來源:MicroLEDDisplay


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