南瑞半導(dǎo)體公司多款車規(guī)級(jí)SIC MOS產(chǎn)品首次亮相！

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4月23日，“新能源 芯時(shí)代” CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉行，南瑞半導(dǎo)體公司攜多款功率半導(dǎo)體產(chǎn)品精彩亮相。在同期舉辦的CIAS2024金翎獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)晚宴上，南瑞半導(dǎo)體以首位排名榮獲能源電子應(yīng)用領(lǐng)域最具創(chuàng)新力產(chǎn)品獎(jiǎng)。

公司介紹

Company Profile

南京南瑞半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，總部位于江蘇省南京市，致力于功率半導(dǎo)體技術(shù)研究、產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)制造、市場(chǎng)推廣、技術(shù)服務(wù)等產(chǎn)業(yè)化發(fā)展，實(shí)現(xiàn)能源領(lǐng)域核心功率半導(dǎo)體器件自主可控，保障國家能源安全。公司匯聚了國內(nèi)外一流的功率半導(dǎo)體研發(fā)及管理團(tuán)隊(duì)，可提供從芯片 設(shè)計(jì)、流片工藝開發(fā)、封裝測(cè)試、器件應(yīng)用到電力電子技術(shù)服務(wù)的全鏈條解決方案。產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于高壓柔性輸電、電能質(zhì)量治理、特種電源、工 業(yè)傳動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、新型儲(chǔ)能、制氫電源、充電設(shè)施和新能源汽車等領(lǐng)域。同時(shí)公司也是國家電網(wǎng)有限公司戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)培育重點(diǎn)單位、 首批入選國資委“科改示范”企業(yè)之一和國網(wǎng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)統(tǒng)一平臺(tái)。

焦點(diǎn)新聞

News

本次展會(huì)，南瑞半導(dǎo)體展出產(chǎn)品涵蓋光伏、儲(chǔ)能、充電樁、新能源汽車等多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景，包括A3系列1200V/450A I型三電平IGBT模塊、1200V/13mΩ SiC MOS芯片、1200V/2mΩ車規(guī)級(jí)SiC MOS模塊。

A3系列IGBT模塊作為CIAS金翎獎(jiǎng)“最具創(chuàng)新力產(chǎn)品獎(jiǎng)”在展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)獲得了觀眾的高度關(guān)注。A3系列1200V/450A I型三電平IGBT模塊適用于215kw及以上機(jī)型儲(chǔ)能變流器、光伏逆變器等應(yīng)用，在提升產(chǎn)品性能的前提下極大提升儲(chǔ)能場(chǎng)景的經(jīng)濟(jì)效益，更好滿足儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn)的新市場(chǎng)需求。產(chǎn)品滿足1500V系統(tǒng)需求，滿足組串式PCS應(yīng)用工況條件下額定效率≥98%,最大效率≥99%要求，同時(shí)滿足結(jié)溫要求；系統(tǒng)無需器件并聯(lián)，相當(dāng)于3只Flow2或者2只Easy3B。模塊尺寸僅比Flow2增加60%，僅比Easy3B增加20%，四孔安裝，A3安裝可靠性比競品更牢靠，底面與散熱器接觸更緊密，長期使用更可靠；芯片滿足≥16kHz高頻開關(guān)特性，F(xiàn)RD滿額配置；模塊總損耗低，滿足2倍電流關(guān)斷能力；封裝上采用高導(dǎo)熱材料，降低熱阻，采用高性能覆銅陶瓷基板，高溫可靠性更好、抗熱震性優(yōu)異。提升整體散熱能力；功率密度相較同行提升80%以上，擁有更節(jié)約的綜合使用成本。

（南瑞半導(dǎo)體A3系列模塊）

（A3系列模塊拓?fù)洌?/p>

本次展會(huì)中，南瑞半導(dǎo)體還針對(duì)純電或混動(dòng)汽車、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景首次展出了M1、D3封裝的1200V 2mΩ車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊，D2封裝的750V/820A車規(guī)級(jí)IGBT模塊。南瑞半導(dǎo)體M1系列采用塑封半橋模塊封裝，充分發(fā)揮SiC MOSFET芯片的高耐溫、高頻率和高耐壓等優(yōu)勢(shì)，芯片下方采用有壓型銀燒結(jié)，芯片正面配合 DTS 銀燒結(jié)+銅線鍵合、塑封轉(zhuǎn)模等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更均勻的電流密度分布，更高的功率循環(huán)壽命，熱容熱阻和雜散電感等方面表現(xiàn)更好，相比傳統(tǒng)HPD模塊的雜散電感高達(dá)12 nH，而南瑞半導(dǎo)體M1系列半橋模塊僅為3-4 nH，相較之下雜散電感下降了75%左右，可靠性更佳。

產(chǎn)品介紹

Product introduction

(南瑞半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)模塊M1)

(車規(guī)級(jí)模塊M1拓?fù)?

M1系列模塊特性：

1. 第三代寬禁帶半導(dǎo)體-SiC；

2. 采用單面水冷+塑封工藝，最高工作結(jié)溫175℃；

3. 高性能 Si3N4 AMB 基板；

4. 雜散電感低，功率密度高，適用高溫、高頻應(yīng)用，超低損耗；

5. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。

（南瑞半導(dǎo)體車規(guī)系列模塊D3：NCM02F12D3A )

（車規(guī)系列模塊D3：NCM02F12D3A拓?fù)洌?/span>

D3：NCM02F12D3A產(chǎn)品特性：

1. 第三代寬禁帶半導(dǎo)體 - 碳化硅；

2. 低漏-源通態(tài)電阻；

3. 低開關(guān)損耗；

4. 銀燒結(jié)工藝。

（南瑞半導(dǎo)體車規(guī)系列模塊D2：NI820F08D2A)

（車規(guī)系列模塊D2：NI820F08D2A)

D2：NI820F08D2A產(chǎn)品特性：

1.高密度功率；

2.低飽和壓降；

3.低開關(guān)損耗；

4.低電感設(shè)計(jì)。

主營業(yè)務(wù)

Introduction to Main Business

1.芯片業(yè)務(wù)

IGBT/FRD芯片設(shè)計(jì)及供應(yīng)

（6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/750V/650V）

SiC MOSFET/SBD芯片設(shè)計(jì)及供應(yīng)

（3300V/1700V/1200V）

2.分立器件業(yè)務(wù)

IGBT/FRD分立器件設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(3300V/1700V/1200V/750V/650V)

SiC MOSFET/SBD分立器件設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(3300V/1700V/1200V)

3.工業(yè)級(jí)模塊業(yè)務(wù)

工業(yè)級(jí)IGBT/FRD模塊設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

工業(yè)級(jí)SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(3300V/1700V/1200V)

4.車規(guī)級(jí)模塊業(yè)務(wù)

車規(guī)級(jí)IGBT模塊設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(1700V/1200V/750V/650V)

車規(guī)級(jí)SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)及供應(yīng)

(1700V/1200V)

5.平臺(tái)服務(wù)

IGBT/FRD/SiC模塊封裝測(cè)試業(yè)務(wù)

(6500V/4500V/3300V/1700V/1200V/650V)

功率半導(dǎo)體器件檢測(cè)業(yè)務(wù)

性能測(cè)試、可靠性測(cè)試、失效分析測(cè)試、應(yīng)用測(cè)試， 可提供產(chǎn)品及器件缺陷分析、專業(yè)技術(shù)人員培訓(xùn)、 產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和方法標(biāo)準(zhǔn)制訂等項(xiàng)目服務(wù)。

定制化開發(fā)

從應(yīng)用需求及可靠性出發(fā)，針對(duì)具體場(chǎng)景對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，功率半導(dǎo)體器件熱仿真業(yè)務(wù)，匹配客戶整體方案。

聯(lián)系方式

周經(jīng)理：18115130736
沈經(jīng)理：18068841299